مستشعر أشباه الموصلات مُصنع على رقاقة الفوقي من كربيد السيليكون

  • منزل
  • أخبار
  • مستشعر أشباه الموصلات مُصنع على رقاقة الفوقي من كربيد السيليكون

مستشعر أشباه الموصلات مُصنع على رقاقة الفوقي من كربيد السيليكون

يشير مستشعر أشباه الموصلات إلى جهاز استشعار مصنوع باستخدام الخصائص الفيزيائية والكيميائية والبيولوجية المختلفة لمواد أشباه الموصلات. غالبية المواد شبه الموصلة المستخدمة هي السيليكون، بالإضافة إلى مركبات العناصر III-V وII-VI. استخدم الباحثون الأداء الممتاز وتوافر رقائق SiC لتطوير مستشعر أشباه الموصلات المعتمد على SiC المناسب للبيئات القاسية. تتمتع المستشعرات القائمة على أشباه الموصلات SiC بفجوة نطاق كبيرة ممتازة، والتي يمكن أن تقضي على تسرب حامل الأقلية الناتج عن الحرارة وتعمل في درجات حرارة أعلى. يمكن أن توفر PAM-XIAMEN حسب الطلبكربيد النمو الفوقيلإعداد أجهزة استشعار أشباه الموصلات (على سبيل المثال، جهاز استشعار فان دير باو)، مع الهياكل الفوقي محددة مثل:

رقاقة SiC لمستشعر أشباه الموصلات

1. نمو الفوقية SiC لمستشعر Van Der Pauw

طبقة Epi سماكة المقوي
طبقة epilayer من النوع p 1um آل:1018سم-3
طبقة عازلة من النوع n 1um ن:1018سم-3
ن نوع 4H-SiC (0001) الركيزة    

 

2. تطبيقات استشعار أشباه الموصلات SiC

يمكن لمستشعر أشباه الموصلات ذو الغشاء السميك SiC أن يعوض عيوب أداء المستشعر المعتمد على Si في البيئات القاسية مثل ارتفاع درجة الحرارة والضغط العالي، وبالتالي الحصول على مساحة تطبيق أوسع. والتفاصيل هي على النحو التالي:

1) يمكن استخدام مستشعرات درجة الحرارة العالية SiC، نظرًا لنطاق قياس درجة الحرارة الكبير (0-500 ℃) وسهولة التكامل، على نطاق واسع لمراقبة درجة الحرارة في صناعة المعالجة، والصناعة الميكانيكية، وصناعة البتروكيماويات، والتحكم في درجة الحرارة في الأجهزة المنزلية وصناعة الأغذية، ومراقبة درجات الحرارة الحرجة في صناعات الطيران والسيارات؛

2) تتمتع مستشعرات الضغط ذات درجة الحرارة العالية SiC بآفاق تطبيق واسعة في التطبيقات المدنية نظرًا لمقاومتها لدرجة الحرارة العالية والإشعاع القوي. تُستخدم مستشعرات الضغط SiC بشكل أساسي لقياس الضغط في الغلايات وخطوط الأنابيب وأوعية التفاعل ذات درجة الحرارة العالية وغرف المحركات المختلفة وآبار النفط؛

3) يمكن لأجهزة استشعار غاز SiC، وخاصة أجهزة الاستشعار السعوية، أن تعمل عند درجات حرارة تصل إلى 1000 درجة مئوية ولها وقت استجابة بالمللي ثانية. في الوقت الحاضر، حققت مستشعرات الغاز SiC التشغيل العادي عند درجات حرارة عالية تصل إلى 500 درجة مئوية، وتلبي بشكل أساسي متطلبات تطبيقات درجات الحرارة المرتفعة مثل مراقبة محرك الاحتراق الداخلي، وانبعاثات عوادم السيارات، وتشخيص عادم محرك المركبات الفضائية.

بوويروايفير

لمزيد من المعلومات، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكترونيvictorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.

2023-11-03

شارك هذا المنشور

متعلق المشاركات

SiO2+Si3N4 on Silicon wafer

PAM XIAMEN offers SiO2 +Si3N4 on Silicon wafer as follows No.1: 300 nm SiO2+50nm Si3N4 Films on Si (100), 2″ dia x 0.250 mm t, P type , B-doped,Resistivity:0.01-0.1ohm.cm Thermal oxide Layer Research Grade , about 80 % useful area SiO2(300nm)+50nm Si3N4 layer on 2″ Silicon wafer( Both [...]

2019-04-29مؤلف ميتا
خدمة التصنيع النانوي

PAM-XIAMEN, one of leading nanofabrication companies, has formed a compatible management system of multi-material, multi-user, multi-device, multi-process after years of exploration. The details as follows: * Multi-Material We can process multiple materials: Si, III-V semiconductor, glass, ceramic; – Can process wafers of 6 inches and below, compatible [...]

2021-11-30مؤلف ميتا
4″ Silicon Wafer-3

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon Wafer. Diameter Type Dopant Growth method Orientation Resistivity  Thickness Surface Grade 100 P Boron CZ -100 1-20 43768 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 40-60 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 80-100 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 180-200 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 300-350 P/E PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 300-350 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 350-400 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 375-425 P/E PRIME 100 P Boron CZ -100 .001-.005 450-500 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 .005-.02 450-500 P/P PRIME 100 P Boron FZ -100 >3000 450-500 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 450-500 P/P PRIME 100 P Boron CZ -100 .001-.005 500-550 P/E PRIME 100 P Boron CZ -100 .005-.02 500-550 P/E PRIME 100 P Boron FZ -100 >3000 500-550 P/E PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 500-550 P/E PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 500-550 P/E/DTOx PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 500-550 P/E/Ni PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 500-550 P/E/WTOx 100 P Boron CZ -100 1-20 950-1050 P/E PRIME 100 P Boron CZ -100 1-20 950-1050 P/P PRIME For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of semiconductor material in China.PAM-XIAMEN develops advanced crystal growth and epitaxy technologies, [...]

2019-03-04مؤلف ميتا
6″ Prime Silicon Wafer Thickness 525+/-25um

PAM XIAMEN offers 6″ Prime Silicon Wafer Thickness 525+/-25um. Si, 150mm dia. SSP 525+/-25 thick N type Phos or antimony resistivity 0.01-0.2 ohm-cm. with 200A thermal OX and 1200A LPCVD nitride – stoichiometric For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email [...]

2019-06-28مؤلف ميتا
3″ FZ Silicon Wafer Thickness：229-249μm -1

PAM XIAMEN offers 3″ FZ Silicon Wafer Thickness：229-249μm. 3″ Si FZ Diameter 76-76.6mm Thickness 229-249μm Resistivity 39-47Ωcm TTV ≤10μm RRG ≤ 7% about 1.5mil is etched from the surfaces in order to remove any surface damage 1.5mil = 1.5*25.4= 38.1μm 1.1 Wafers are to be [...]

2019-08-22مؤلف ميتا
MGO MAGNESIUM OXIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE-2

PAM XIAMEN offers MgO Magnesium Oxide Single Crystal. Applications of MgO single crystal substrates: Substrate for high temperature superconducting film formation, such as YBCO film (filter used for communication and space observation) Substrate for ferroelectric film formation, such as PZT film (infrared ray sensor used for [...]

2019-03-14مؤلف ميتا