Halbleitersensor, hergestellt auf einem epitaktischen SiC-Wafer

Halbleitersensor, hergestellt auf einem epitaktischen SiC-Wafer

Unter Halbleitersensor versteht man einen Sensor, der unter Nutzung verschiedener physikalischer, chemischer und biologischer Eigenschaften von Halbleitermaterialien hergestellt wird. Die meisten verwendeten Halbleitermaterialien sind Silizium sowie III-V- und II-VI-Elementverbindungen. Die Forscher nutzten die hervorragende Leistung und Verfügbarkeit von SiC-Wafern, um SiC-basierte Halbleitersensoren zu entwickeln, die für raue Umgebungen geeignet sind. Sensoren auf SiC-Halbleiterbasis verfügen über eine ausgezeichnete große Bandlücke, die wärmebedingte Leckage von Minoritätsladungsträgern eliminieren und bei höheren Temperaturen arbeiten kann. PAM-XIAMEN kann maßgeschneiderte Lösungen anbietenEpitaktisches Wachstum von SiCzur Vorbereitung von Halbleitersensoren (z. B. Van-der-Pauw-Sensor) mit spezifischen Epitaxiestrukturen wie:

SiC-Wafer für Halbleitersensoren

1. SiC-Epitaxiewachstum für Van Der Pauw Sensor

Epi-Schicht Dicke Dotierstoff
Epischicht vom p-Typ 1 um Al:1018cm-3
Pufferschicht vom n-Typ 1 um N:1018cm-3
n-Typ 4H-SiC (0001) Substrat    

 

2. Anwendungen von SiC-Halbleitersensoren

SiC-Dickschicht-Halbleitersensoren können die Leistungsmängel von Si-basierten Sensoren in rauen Umgebungen wie hohen Temperaturen und hohem Druck ausgleichen und bieten so einen breiteren Anwendungsbereich. Die Einzelheiten sind wie folgt:

1) SiC-Hochtemperatursensoren können aufgrund ihres großen Temperaturmessbereichs (0–500 °C) und der einfachen Integration häufig zur Temperaturüberwachung in der verarbeitenden Industrie, der mechanischen Industrie und der petrochemischen Industrie sowie zur Temperaturregelung in Haushaltsgeräten eingesetzt werden und Lebensmittelindustrie sowie kritische Temperaturüberwachung in der Luft- und Raumfahrt- und Automobilindustrie;

2) SiC-Hochtemperatur-Drucksensoren haben aufgrund ihrer Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen und starker Strahlung breite Anwendungsaussichten in zivilen Anwendungen. SiC-Drucksensoren werden hauptsächlich zur Druckmessung in Kesseln, Pipelines, Hochtemperatur-Reaktionsbehältern, verschiedenen Motorkammern und Ölquellen eingesetzt;

3) SiC-Gassensoren, insbesondere kapazitive Sensoren, können bei Temperaturen von bis zu 1000 °C betrieben werden und haben eine Reaktionszeit von Millisekunden. Derzeit haben SiC-Gassensoren den Normalbetrieb bei hohen Temperaturen von 500 °C erreicht und erfüllen im Wesentlichen die Anforderungen von Hochtemperaturanwendungen wie der Überwachung von Verbrennungsmotoren, der Abgasemissionen von Kraftfahrzeugen und der Abgasdiagnose von Raumfahrzeugen.

Powerway-Wafer

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.

2023-11-03

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