Med udviklingen af ​​cloud computing, mobilitet, Internet of Things, machine learning osv., er efterspørgslen efter big data storage og computing behandling også steget markant. Mere databehandling betyder mere energiforbrug, hvilket fører til opførelse af yderligere datacentre og understøttende infrastruktur. Med udvidelsen af ​​datacentre rundt om i verden er der behov for at administrere datacentre mere pålideligt og effektivt. Galliumnitrid (GaN), især GaN HEMT epi wafer, er et af halvledermaterialer, der er ideelle til datacenter, som kan tilbydes af PAM-XIAMEN. For mere GaN HEMT wafer, se venligsthttps://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/gan-hemt-epitaxial-wafer.html.

Som en halvleder med bred båndgab er den største egenskab ved galliumnitrid (GaN) høj effektkonverteringseffektivitet. Især i scenarier med højt energiforbrug, såsom datacentre, vil GaN medføre betydelige energibesparende effekter på grund af dets høje effektivitet. Derfor skal du vælge GaN-materiale til datacentre. Mere specifikt som følger:

I øjeblikket er der mere end 7 millioner datacentre i drift rundt om i verden, hvilket forbruger hvad der svarer til 2 % af det globale elforbrug i 2019. Heraf bruges omkring 30 % af elektriciteten til at køle anlægget. Ved at øge servereffektiviteten og reducere strøm- og varmetab kan der derfor opnås betydelige energibesparelser; elomkostninger og CO₂emissioner kan reduceres.

Datacenter

1. Energibesparelse med GaN

Den største driftsomkostning for et datacenter er den strøm, serverne kører på, hvilket kan være helt op til 40 % af de samlede driftsomkostninger. Normalt spildes omkring 5%-10% af den elektriske energi. Derudover forventes datacentrets energiforbrug i 2020 at stige til cirka 140 milliarder kilowatt-timer om året, hvilket svarer til 13 milliarder dollars i årlige elregninger og næsten 150 millioner tons kulstofemissioner.

Fremskridt inden for strømdesign, der bruger GaN i stedet for siliciumtransistorer, forventes at reducere energiforbruget med flere procent. Ud over de energibesparende fordele kan disse teknologier lette adoptionen af ​​færre eller mindre strømforsyninger i datacentret og derved reducere behovet for datacenterplads og strøm.

2. Forbedring af effektiviteten med GaN

Energiforbrug i et datacenter er en kompleks kombination af strømtab og afkøling. I et datacenter kræver den strøm, der leveres til serverne, flere konverteringer, og omkring 30 % af strømmen går tabt på grund af ineffektivitet.

GaN-teknologi kan øge den samlede datacentereffektivitet til 84 %. GaN-enheder, der bruges til strømkonvertering fra vekselstrøm (AC) til jævnstrøm (DC), og derefter til jævnstrøm (DC) strømkonvertering af belastninger, kan øge den samlede effektivitet fra de oprindelige 77 % til 84 %, hvilket bevarer datacentret fungerer korrekt.

3. Omkostningsbesparelse med GaN

Det er rapporteret, at GaN-enheder kan reducere strømomkostningerne med mere end $2.300 pr. rack og spare mere end $240 millioner i samlede driftsomkostninger. Datacentrets strømtæthed vil stige med mere end 25 procent, hvilket vil tilføje $1,4 milliarder i indtægtsmuligheder til datacenteroperatører på verdensplan, mens det udskyder næsten $1,1 milliarder i kapitaludgifter ved at forsinke opførelsen af ​​datacenter.

De kommende enorme mængder data driver behovet for stadig mere skalerbar, effektiv og fleksibel datacenterinfrastruktur. Strømsystemer, der bruger Gallium Nitride (GaN)-enheder, giver højere effektkonverteringseffektivitet. Investeringer i denne højtydende teknologi betyder større energi- og pladseffektivitet ved at skabe mindre, lettere, lavere omkostninger og mere effektive strømsystemer. Gallium Nitride (GaN) teknologi vil gøre det muligt for datacenteroperatører ikke kun at drive deres forretning bedre, men i sidste ende at spille en vigtig rolle i at ændre verden af ​​energi og data.

Derfor kan brug af GaN-halvledermateriale til at skabe mindre, lettere, lavere omkostninger og mere effektivt strømsystem tilbyde højere effektkonverteringseffektivitet, der opfylder behovene for udvikling af datacentre.

For mere information, kontakt os venligst e-mail på victorchan@powerwaywafer.com og powerwaymaterial@gmail.com.