Con el desarrollo de la computación en la nube, la movilidad, Internet de las cosas, el aprendizaje automático, etc., la demanda de almacenamiento de big data y procesamiento informático también ha aumentado significativamente. Más procesamiento de datos significa más consumo de energía, lo que lleva a la construcción de centros de datos adicionales e infraestructura de apoyo. Con la expansión de los centros de datos en todo el mundo, existe la necesidad de administrar los centros de datos de manera más confiable y eficiente. El nitruro de galio (GaN), especialmente la oblea epi GaN HEMT, es uno de los materiales semiconductores ideales para centros de datos, que PAM-XIAMEN puede ofrecer. Para obtener más oblea GaN HEMT, consultehttps://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/gan-hemt-epitaxial-wafer.html.
Como semiconductor de banda prohibida amplia, la característica más importante del nitruro de galio (GaN) es la alta eficiencia de conversión de potencia. Especialmente en escenarios de alto consumo de energía, como los centros de datos, GaN traerá efectos significativos de ahorro de energía debido a su alta eficiencia. Por eso, elija material de GaN para centros de datos. Más específicamente de la siguiente manera:
Actualmente, hay más de 7 millones de centros de datos en funcionamiento en todo el mundo, que consumen el equivalente al 2 % del consumo mundial de electricidad en 2019. De esto, alrededor del 30 % de la electricidad se utiliza para enfriar las instalaciones. Por lo tanto, al aumentar la eficiencia del servidor y reducir las pérdidas de energía y calor, se pueden lograr importantes ahorros de energía; costes de electricidad y CO2se pueden reducir las emisiones.
Centro de datos
1. Ahorro de energía con GaN
El costo operativo más grande de un centro de datos es la energía con la que funcionan los servidores, que puede llegar al 40 % del costo operativo total. Por lo general, se desperdicia alrededor del 5% al 10% de la energía eléctrica. Además, para 2020, se espera que el consumo de energía del centro de datos aumente a aproximadamente 140 mil millones de kilovatios-hora por año, lo que se traduce en $13 mil millones en facturas anuales de electricidad y casi 150 millones de toneladas de emisiones de carbono.
Se espera que los avances en el diseño de energía que utilizan GaN en lugar de transistores de silicio reduzcan el uso de energía en varios por ciento. Además de los beneficios de ahorro de energía, estas tecnologías pueden facilitar la adopción de menos fuentes de alimentación o más pequeñas en el centro de datos, lo que reduce la necesidad de espacio y energía del centro de datos.
2. Mejora de la eficiencia con GaN
El consumo de energía en un centro de datos es una combinación compleja de pérdida de energía y enfriamiento. En un centro de datos, la energía suministrada a los servidores requiere múltiples conversiones y alrededor del 30 % de la energía se pierde debido a la ineficiencia.
La tecnología GaN puede aumentar la eficiencia general del centro de datos hasta un 84 %. Los dispositivos GaN utilizados para la conversión de energía de corriente alterna (CA) a corriente continua (CC), y luego para la conversión de carga de energía de corriente continua (CC), pueden aumentar la eficiencia general del 77% original al 84%, manteniendo el centro de datos funcionando correctamente.
3. Ahorro de costos por GaN
Se informa que los dispositivos GaN pueden reducir los costos de energía en más de $2300 por rack y ahorrar más de $240 millones en costos operativos generales. Las densidades de potencia de los centros de datos aumentarán en más del 25 %, lo que agregará $1400 millones en oportunidades de ingresos para los operadores de centros de datos de todo el mundo, al tiempo que pospondrá casi $1100 millones en gastos de capital al retrasar la construcción del centro de datos.
Las cantidades masivas de datos que se avecinan están impulsando la necesidad de una infraestructura de centro de datos cada vez más escalable, eficiente y flexible. Los sistemas de energía que utilizan dispositivos de nitruro de galio (GaN) ofrecen una mayor eficiencia de conversión de energía. Las inversiones en esta tecnología de alto rendimiento significan una mayor eficiencia energética y espacial al crear sistemas de energía más pequeños, livianos, de menor costo y más eficientes. La tecnología de nitruro de galio (GaN) permitirá a los operadores de centros de datos no solo administrar mejor sus negocios, sino también, en última instancia, desempeñar un papel importante en el cambio del mundo de la energía y los datos.
Por lo tanto, el uso de material semiconductor de GaN para crear un sistema de energía más pequeño, más liviano, de menor costo y más eficiente puede ofrecer una mayor eficiencia de conversión de energía, satisfaciendo las necesidades del desarrollo de los centros de datos.
Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a victorchan@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com.