PAM-XIAMEN can offer 6H SiC wafer with n type or semi-insulating. Silicon carbide wafer is a material presenting different crystalline structures called polytypes, which has more than 250 structures. Different polytypes has different atomic stacking sequences. Polytypes generate the cubic, hexagonal or rhombohedral structures, which include 50% C atoms bonded with 50% Si atoms. Nevertheless, only hexagonal structures of 4H-SiC and 6H-SiC and the cubic structure of 3C-SiC can be for commercial use. Here we make a brief introduction as follows:

1. Specifiaction of 2” 6H SiC Wafer

2. Estrutura Cristalina 6H SiC

A estrutura SiC 6H é uma estrutura cristalina hexagonal de wurtzita. Refere-se a uma sequência de empilhamento de AαBβCγAαCγBβ, que é composta por 2/3 de ligações cúbicas e 1/3 de ligações hexagonais, e os átomos de C relativos à localização dos átomos de Si são fixos. A figura é mostrada abaixo:

3. Parâmetros Básicos de 6H SiC

1) 6H-SiC Lattice Constant, veja a parte de destaque:

2) Índice de refração infravermelho de 6H-SiC, veja a parte de destaque:

3) Índice de refração n(λ), veja a parte em destaque:

4) Comparação de Espectros Raman 6H-SiC e Espectros Raman 4H-SiC

5) Diagrama de DRX 6H-SiC

4. Semelhanças Entre os Politipos de 6H-SiC, 4H-SiC e 3C-SiC em Aplicações

Embora diferentes politipos tenham propriedades diferentes, há semelhanças na tendência. O campo de quebra do carboneto de silício é de 2-4 MV/cm, e o intervalo de energia do carboneto de silício é de 2,3-3,2 eV, que é maior que o do silício. Portanto, o carboneto de silício é um material de banda larga. A combinação das duas propriedades resulta em uma grande superioridade para equipamentos elétricos com baixa resistência e baixa corrente de fuga. Além disso, a velocidade do elétron saturado do material SiC é alta. É um parâmetro muito importante para aplicação de alta frequência. Além disso, a condutividade térmica do carboneto de silício é cerca de 3 vezes maior que a do silício, o que é benéfico para dispositivos de alta temperatura. Esta propriedade tem uma vantagem sobre o material de banda larga (como GaN). E substratos de carboneto de silício podem ser usados ​​para crescer camadas de grafeno por decomposição térmica sob condições de vácuo ultra-alto.

5. Difference Between 4H and 6H SiC Wafer

1) A resistividade comercial de 6H n tipo SiC Wafer é (0,02~0,1)ohm.cm, enquanto 4H é (0,015~0,028)ohm.cm.

2) A sequência de empilhamento do substrato 6H SiC é ABCACB, enquanto 4H é ABCB

3) A condutividade térmica 6H SiC semi-isolante é a~460W/mK e c~320W/mk, enquanto a 4H é a~490W/mK e c~390W/mK. Para n tipo SiC, sua condutividade térmica, tome 4H como exemplo, a~420W/mK e c~370W/mK, que é muito menor que um semi-isolante, por isso o usuário final escolhe SiC Semi-isolante como calor pia ou outro material de condutividade.

4) 6H-SiC band gap é de 3,02eV enquanto 4H é de 3,23eV.

5) Mobilidade do furo do substrato 6H SiC é 90cm2/Vs enquanto 4H é ~ 115cm2/Vs

6) A mobilidade eletrônica de 6H SiC wafer é ~400cm2/Vs enquanto 4H um é ~800cm2/Vs

6. FAQ about 6H-SiC Wafer

Q1: If the Thermal Conductivity of SiC-4H N-type is 420 W/mK  -What is the Thermal Conductivity of your SiC-6H N-type material ?

A: Theoretically it is the same between 6H and 4H.

Q2: I am curious about this because one of the reviewer of my paper wants to know the surface roughness before CMP. Could you tell me the surface roughness of the original 6H-SiC wafer before CMP processed?

A: The surface roughness of 6H-SiC wafer is <1nm before CMP after mechanical polishing.

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