Float-Zone Mono-Crystalline Silicon
A PAM-XIAMEN pode oferecer wafer de silício de zona flutuante, que é obtido pelo método Float Zone. As hastes de silício monocristalino são obtidas através do crescimento da zona flutuante e, em seguida, processam as hastes de silício monocristalino em bolachas de silício, chamadas bolachas de silício de zona flutuante. Uma vez que o wafer de silício fundido por zona não está em contato com o cadinho de quartzo durante o processo de silício de zona flutuante, o material de silício está em um estado suspenso. Assim, é menos poluído durante o processo de fusão de zona flutuante de silício. O teor de carbono e o teor de oxigênio são menores, as impurezas são menores e a resistividade é maior. É adequado para a fabricação de dispositivos de energia e certos dispositivos eletrônicos de alta tensão.
- Description
Descrição do produto
A PAM-XIAMEN pode oferecer wafer de silício de zona flutuante, que é obtido pelo método Float Zone. As hastes de silício monocristalino são obtidas através do crescimento da zona flutuante e, em seguida, processam as hastes de silício monocristalino em bolachas de silício, chamadas bolachas de silício de zona flutuante. Uma vez que o wafer de silício fundido por zona não está em contato com o cadinho de quartzo durante o processo de silício de zona flutuante, o material de silício está em um estado suspenso. Assim, é menos poluído durante o processo de fusão de zona flutuante de silício. O teor de carbono e o teor de oxigênio são menores, as impurezas são menores e a resistividade é maior. É adequado para a fabricação de dispositivos de energia e certos dispositivos eletrônicos de alta tensão.
1. Especificação de wafer de silício de zona flutuante
| sim | Tipo de Condução | Orientação | Diâmetro (mm) | Condutividade (Ω•cm) |
| Alta resistencia | N&P | <100>&<111> | 76.2-200 | >1000 |
| NTD | N | <100>&<111> | 76.2-200 | 30-800 |
| CFZ | N&P | <100>&<111> | 76.2-200 | 1-50 |
| GD | N&P | <100>&<111> | 76.2-200 | 0,001-300 |
1.1 Especificação de bolacha de silício de zona flutuante
| Parâmetro do Lingote | Item | Descrição |
| método de crescimento | FZ | |
| Orientação | <111> | |
| Fora da orientação | 4±0,5 graus para o <110> mais próximo | |
| Tipo/Dopante | P/Boro | |
| Resistividade | 10-20 W.cm | |
| RRV | ≤15% (borda máx-Cen)/Cen |
1.2 Especificação de bolacha de silício FZ
| metro | Item | Descrição |
| Diâmetro | 150±0,5 mm | |
| Espessura | 675±15 um | |
| Comprimento Plano Primário | 57,5±2,5 mm | |
| Orientação Plana Primária | <011>±1 grau | |
| Comprimento Plano Secundário | Nenhum | |
| Orientação Plana Secundária | Nenhum | |
| TTV | ≤5 um | |
| Arco | ≤40 um | |
| Urdidura | ≤40 um | |
| Perfil de Borda | Padrão SEMI | |
| Superfície frontal | Polimento Químico-Mecânico | |
| LPD | ≥0,3 um@≤15 unid. | |
| Superfície Traseira | gravado com ácido | |
| Edge Chips | Nenhum | |
| Pacote | Embalagem a Vácuo; Plástico interno, alumínio externo |
2. Silício monocristalino de zona flutuanteclassificações
2.1 FZ-Silício
O silício monocristalino com as características de baixo teor de material estranho, baixa densidade de defeitos e estrutura cristalina perfeita é produzido com o processo de silício de zona flutuante; nenhum material estranho é introduzido durante o crescimento do cristal de silício da zona flutuante. OFZ-Silícioa condutividade é geralmente acima de 1000 Ω-cm, e tal silício de zona flutuante de alta resistividade é usado principalmente para produzir elementos de alta tensão inversa e dispositivos fotoeletrônicos. Ele também pode ser usado para o processo de gravação a seco.
2.2 NTDFZ-silício
O silício monocristalino com alta resistividade e uniformidade pode ser obtido por irradiação de nêutrons de FZ-silício, para garantir o rendimento e a uniformidade dos elementos produzidos, e é usado principalmente para produzir o retificador de silício (SR), controle de silício (SCR) , transistor gigante (GTR), tiristor de desligamento de porta (GTO), tiristor de indução estática (SITH), transistor bipolar de porta isolada (IGBT), diodo HV extra (PIN), potência inteligente e IC de potência, etc; é o principal material funcional para vários conversores de frequência, retificadores, elementos de controle de grande potência, novos dispositivos eletrônicos de potência, detectores, sensores, dispositivos fotoeletrônicos e dispositivos de potência especiais.
Bolacha de Silício FZ NTD com uma Concentração de Dopagem Uniforme
2.3 GDFZ-Silício
Utilizando o mecanismo de difusão de material estranho, adicione o material estranho em fase gasosa durante o processo de silício monocristalino de zona flutuante, para resolver o problema de dopagem do processo de zona flutuante da raiz e obter o silício GDFZ que é do tipo N ou tipo P, tem a resistividade 0,001-300 Ω.cm, relativa boa uniformidade de resistividade e irradiação de nêutrons. É aplicável para a produção de vários elementos de potência semicondutores, transistor bipolar de porta isolada (IGBT) e célula solar de alta eficiência, etc.
2.4 CFZ-Silício
O silício monocristalino é produzido com a combinação dos processos Czochralski e float-zone, e tem a qualidade entre o silício monocristalino CZ e o silício monocristalino FZ; os elementos especiais podem ser dopados, como o Ga, Ge e outros. Os wafers solares de silício CFZ de nova geração são melhores do que vários wafers de silício na indústria fotovoltaica global em cada índice de desempenho; a eficiência de conversão do painel solar é de até 24-26%. Os produtos são aplicados principalmente em baterias solares de alta eficiência com estrutura especial, contato traseiro, HIT e outros processos especiais, e mais amplamente utilizados em LED, elementos de energia, automóveis, satélites e outros produtos e campos.
Nossas vantagens em resumo
1.Equipamento avançado de crescimento de epitaxia e equipamento de teste.
2. Oferece a mais alta qualidade com baixa densidade de defeitos e boa rugosidade da superfície de silício da zona de flutuação.
3. Forte equipe de pesquisa e suporte tecnológico para nossos clientes
Si MEMS Wafer cultivado por FZ
4″ FZ Prime Silicon Wafer
3″ FZ Prime Silicon Wafer Espessura: 350±15um
4″ FZ Prime Silicon Wafer Espessura: 400µm +/-25µm
4″FZ Prime Silicon Wafer Espessura: 400µm +/-25µm-2
Lingote de Silício FZ de 4″ com Diâmetro 100,7±0,3mm
3″ FZ Silicon Wafer Espessura: 229-249μm -1
3″ FZ Silicon Wafer Espessura: 229-249μm -2
Bolachas de silício não dopadas intrínsecas FZ
Bloco de silicone tamanho 5x20mm
Lingote de silício FZ de 1″ com diâmetro de 25 mm
Lingote de silício FZ de 2″ com diâmetro de 50 mm
Bolacha de silício intrínseco FZ de 2″
Wafer de silício intrínseco FZ de 4″ SSP
DSP Wafer de Silício Intrínseco FZ de 4″
Bolacha de Si Intrínseco FZ de 4″
Lingote de silício FZ de 3″ com diâmetro de 76 mm
Wafer de silicone FZ de 6″ com diâmetro de 150 mm, ambos os lados gravados
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Epitaxial Silicon Wafer
Silicon Epitaxial Wafer (Epi Wafer) é uma camada de cristal único de silício epitaxial depositado em uma bolacha de silício de cristal único (nota: está disponível para crescer uma camada de camada policristalina de silício em cima de uma bolacha de silício altamente dopada monocristalina, mas precisa de camada intermediária (como óxido ou poli-Si) entre o substrato de Si a granel e a camada superior de silício epitaxial.Também pode ser usado para transistor de filme fino.
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PAM-XIAMEN, um produtor de silício monocristalino a granel, pode oferecer wafers de silício monocristalino <100>, <110> e <111> com dopante N&P em 76,2~200 mm, que são cultivados pelo método CZ. O método Czochralski é um método de crescimento de cristais, conhecido como método CZ. Ele é integrado a um sistema de calor de tubo reto, aquecido por resistência de grafite, derrete o polissilício contido em um cadinho de quartzo de alta pureza e, em seguida, insere o cristal de semente na superfície do fundido para soldagem. Depois disso, o cristal de semente rotativa é abaixado e derretido. O corpo é infiltrado e tocado, levantado gradativamente e finalizado ou puxado através das etapas de decote, decote, ombro, controle de igual diâmetro e acabamento.
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