2009 yr work

Quem Somos

Antes de 1990, que são demonstrados propriedade centro de pesquisa Física da Matéria condensada. Em 1990, o centro lançou Xiamen Powerway Avançada Material Co., Ltd (PAM-Xiamen), agora é um fabricante líder de materiais semicondutores compostos na China. PAM-XIAMEN desenvolve crescimento avançado cristal e tecnologias epitaxia, a gama do wafer Germânio primeira geração, segundo o arseneto de gálio geração com crescimento substrato e epitaxia em ...

Porque escolher-nos

null

Bom serviço de vendas

Nosso objetivo é atender todas as suas necessidades, não importa quão pequenas encomendas e como perguntas difíceis que sejam, para manter o crescimento sustentado e rentável para cada cliente através de nossos produtos qualificados e serviço satisfatório.
null

Experiências 25 anos

Com mais de 25 + anos de experiências no campo do material de semicondutores compostos e negócios de exportação, nossa equipe pode garantir que possamos entender suas necessidades e lidar com o seu projeto profissional.
null

Qualidade de confiança

Qualidade é a nossa primeira prioridade. PAM-XIAMEN tem sido ISO9001: 2008, possui e compartilha quatro facories modernos que podem fornecer bastante uma grande variedade de produtos qualificados para atender às diferentes necessidades de nossos clientes, e cada ordem tem de ser tratado através do nosso sistema de qualidade rigoroso. relatório de teste é fornecido para cada embarque e cada wafer são garantia.
null

Suporte gratuito e profissional Tecnologia

Você pode obter o nosso serviço tecnologia livre de pergunta para após o serviço com base em nossas mais de 25 experiências na linha de semicondutores.
Após mais de 20 anos de acumulação e desenvolvimento, nossa empresa tem uma vantagem óbvia em inovação tecnológica e talentos.
No futuro, precisamos acelerar o ritmo da ação real para oferecer aos clientes os melhores produtos e serviços

Doutor Chan - CEO da Xiamen Powerway Avançada Material Co., Ltd

Mais famoso universidades e empresas do mundo confiam em nós

Partners

Notícias Recentes

P Type Boron Doped Silicon Epitaxial Wafer

At present, P-P+ (boron doped) silicon epitaxial wafers are widely used in the manufacture of large-scale integrated circuits and [...]

Substrato semicondutor de fosfeto de índio tipo P

Indium phosphide (InP) is one of the III-V compound semiconductors. It is a new generation of electronic functional materials [...]

Wafer de diodo laser GaN 405nm

Group III nitride materials are a kind of direct band gap materials, which have the advantages of wide band [...]

Serviços de fabricação de GaN para dispositivos HEMT

PAM-XIAMEN supplies GaN HEMT epitaxial wafers and GaN fabrication services. Our GaN fabrication services supplied include front-end process and [...]

Serviços de fundição GaN para fabricação de LED

PAM-XIAMEN can offer LED epitaxy wafers and is able to offer GaN foundry services & supplies for LEDs. The [...]

Wafer de Laser de Alta Potência 1060nm

InGaAs quantum well (QW), as a commonly used two-dimensional material in near-infrared band, has important applications in semiconductor lasers, [...]

Estrutura do fotodiodo InGaAs

Ternary compound semiconductor material InxGa1-xAs is a mixed solid solution formed by GaAs and InAs. It is a sphalerite [...]

Wafer de LED UV AlGaN

AlGaN is a direct wide band gap semiconductor material. By changing the composition of AlGaN material, the band gap [...]

FAQs