Photo Mask

Ofertas PAM, Xiamenmáscaras

Uma máscara de foto é uma fina camada de material suportado por um substrato mais espessa mascaramento e o material de tapar absorve a luz em diferentes graus e pode ser modelado com uma concepção personalizada. O padrão é usado para modular luz e transferir o padrão através do processo de fotolitografia, que é o processo fundamental usado para construir quase todos os dispositivos digitais de hoje.

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Descrição do produto

Máscara foto

Ofertas PAM, Xiamenmáscaras

Fotomáscara em tamanho grande

Photomask Middium e tamanho pequeno

Chapa fotográfica

Filme Fotográfico Tipografia

Filme fotográfico

Chrome Photomask

Em branco para fotomáscara de cromo

Máscara Fotolitográfica

UMAmáscara de fotoé uma camada fina de material de máscara suportado por um substrato mais espesso e o material de máscara absorve luz em vários graus e pode ser padronizado com um design personalizado. O padrão é usado para modular a luz e transferir o padrão por meio do processo de fotolitografia, que é o processo fundamental usado para construir quase todos os dispositivos digitais atuais.

O que é uma fotomáscara

Uma fotomáscara é uma placa opaca com orifícios ou transparências que permitem que a luz brilhe em um padrão definido. Eles são comumente usados ​​em fotolitografia. Litográficofotomáscarassão tipicamente blanks de sílica fundida transparentes cobertos com um padrão definido com uma película absorvente de metal cromado.máscaras are used at wavelengths of 365 nm, 248 nm, and 193 nm. Photomasks have also been developed for other forms of radiation such as 157 nm, 13.5 nm (EUV), X-ray, electrons, and ions; but these require entirely new materials for the substrate and the pattern film. A set of photomask, each defining a pattern layer in integrated circuit fabrication, is fed into a photolithography stepper or scanner, and individually selected for exposure. In double patterning techniques, a photomask would correspond to a subset of the layer pattern. In photolithography for the mass production of integrated circuit devices, the more correct term is usually photoreticle or simply reticle. In the case of a photomask, there is a one-to-one correspondence between the mask pattern and the wafer pattern. This was the standard for the 1:1 mask aligners that were succeeded by steppers and scanners with reduction optics. As used in steppers and scanners, the reticle commonly contains only one layer of the chip. (However, some photolithography fabrications utilize reticles with more than one layer patterned onto the same mask). The pattern is projected and shrunk by four or five times onto the wafer surface. To achieve complete wafer coverage, the wafer is repeatedly “stepped” from position to position under the optical column until full exposure is achieved. Features 150 nm or below in size generally require phase-shifting to enhance the image quality to acceptable values. This can be achieved in many ways. The two most common methods are to use an attenuated phase-shifting background film on the mask to increase the contrast of small intensity peaks, or to etch the exposed quartz so that the edge between the etched and unetched areas can be used to image nearly zero intensity. In the second case, unwanted edges would need to be trimmed out with another exposure. The former method is attenuated phase-shifting, and is often considered a weak enhancement, requiring special illumination for the most enhancement, while the latter method is known as alternating-aperture phase-shifting, and is the most popular strong enhancement technique. As leading-edge semiconductor features shrink, photomask features that are 4× larger must inevitably shrink as well. This could pose challenges since the absorber film will need to become thinner, and hence less opaque. A recent study by IMEC has found that thinner absorbers degrade image contrast and therefore contribute to line-edge roughness, using state-of-the-art photolithography tools. One possibility is to eliminate absorbers altogether and use “chromeless” masks, relying solely on phase-shifting for imaging. The emergence of immersion lithography has a strong impact on photomask requirements. The commonly used attenuated phase-shifting mask is more sensitive to the higher incidence angles applied in “hyper-NA” lithography, due to the longer optical path through the patterned film.

Materiais da máscara - diferença entre quartzo e vidro de cal sodada:

Os tipos mais comuns de vidro para a fabricação de máscaras são Quartzo e Cal Sodada. O quartzo é mais caro, mas tem a vantagem de um coeficiente de expansão térmica muito menor (o que significa que se expande menos se a máscara esquentar durante o uso) e também é transparente em comprimentos de onda ultravioleta (DUV) mais profundos, onde o vidro de cal de soda é opaco. O quartzo deve ser usado onde o comprimento de onda usado para expor a máscara for menor ou igual a 365 nm (linha i). Uma máscara de fotolitografia é uma placa ou filme opaco com áreas transparentes que permitem que a luz brilhe em um padrão definido. Eles são comumente usados ​​em processos de fotolitografia, mas também são usados ​​em muitas outras aplicações por uma ampla gama de indústrias e tecnologias. Existem diferentes tipos de máscara para diferentes aplicações, nomeadamente com base na resolução necessária.

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Máscara Master 1X

1X Dimensões da máscara mestre e materiais de substrato

Produto Dimensões Materiais de Substrato
1X Master 4 ”X4” X0,060 ”ou 0,090” Quartzo e cal refrigerante
5 ”X5” X0,090 ” Quartzo e cal refrigerante
6 ”X6” X0,120 ”ou 0,250” Quartzo e cal refrigerante
7 ”X7” X0,120 ”ou 0,150” Quartzo e cal refrigerante
7,25 ”redondo X 0,150” Quartzo
9 ”X9” X0,120 ”ou 0,190” Quartzo e cal refrigerante

 

Especificações comuns para máscaras master 1X (material de quartzo)

Tamanho do CD CD Média para Nominal Uniformidade de CD Inscrição tamanho do defeito
2.0 um ≤ 0,25 um ≤ 0,25 um ≤ 0,25 um ≥2,0 um
4,0 um ≤0,30 um ≤0,30 um ≤0,30 um ≥3,5 um

 

Especificação comum para máscaras master 1X (material de cal refrigerante)

Tamanho do CD CD Média para Nominal Uniformidade de CD Inscrição tamanho do defeito
≤4 um ≤ 0,25 um ———— ≤ 0,25 um ≥3,0 um
> 4 um ≤0,30 um ———— ≤0,45 um ≥5,0 um

 

Máscara UT1X

Dimensões da máscara UT1X e materiais de substrato

Produto Dimensões substrato material
UT1X 3 ″ X5 ″ X0,090 ″ Quartzo
5 ″ X5 ″ X0,090 ″ Quartzo
6 ″ X6 ″ X0,120 ″ ou 0,250 ″ Quartzo

 

Especificações comuns para máscaras UT1X

Tamanho do CD CD Média para Nominal Uniformidade de CD Inscrição tamanho do defeito
1,5 um ≤0,15 um ≤0,15 um ≤0,15 um ≥0,50 um
3,0 um ≤0,20 um ≤0,20 um ≤0,20 um ≥0,60 um
4,0 um ≤ 0,25 um ≤ 0,25 um ≤0,20 um ≥0,75 um

 

Máscaras binárias padrão

Dimensões da máscara binária padrão e materiais de substrato

Produto Dimensões Materiais de Substrato
2X 6 ″ X 6 ″ X 0,250 ″ Quartzo
2,5X
4X
5X 5 ″ X5 ″ X0,090 ″ Quartzo
6 ″ X6 ″ X0.250 ″ Quartzo

 

Especificações comuns para máscaras binárias padrão

Tamanho do CD CD Média para Nominal Uniformidade de CD Inscrição tamanho do defeito
2.0 um ≤ 0,10 um ≤0,15 um ≤ 0,10 um ≥0,50 um
3,0 um ≤0,15 um ≤0,15 um ≤0,15 um ≥0,75 um
4,0 um ≤0,20 um ≤0,20 um ≤0,20 um ≥1,00 um

 

Máscaras de área média

Dimensões e materiais da máscara de área média

Produto Dimensões Materiais de Substrato
1X 9 ″ X9 ″ 0,120 ″ Quartz Soda Lime (absorvedores de cromo e óxido de ferro disponíveis)
9 ″ X9 ″ 0,190 ″ Quartzo

 

Especificações comuns para máscaras de área média (material de quartzo)

Tamanho do CD CD Média para Nominal Uniformidade de CD Inscrição tamanho do defeito
0,50 um ≤0,20 um ———— ≤0,15 um ≥1,50 um

 

Especificações comuns para máscaras de área média (material de cal refrigerante)

Tamanho do CD CD Média para Nominal Uniformidade de CD Inscrição tamanho do defeito
10 um ≤4,0 um ———— ≤4,0 um ≥10 um
4 hum ≤2,0 um ———— ≤1,0 um ≥5 um
2,5 um ≤ 0,5 um ———— ≤0,75 um ≥3 um

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