12″ Prime Grade Silicon Wafer

A PAM-XIAMEN oferece wafers de silício puro de 300 mm (12 polegadas) em grau nobre, tipo n ou tipo p, e a espessura do wafer de silício de 300 mm é de 775±15. Em comparação com outros fornecedores de wafer de silício, o preço do wafer de silício da Powerway Wafer é mais competitivo com maior qualidade. Os wafers de silício de 300 mm têm um rendimento maior por wafer do que os wafers de silício permeáveis ​​de grande diâmetro.

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Descrição do produto

A PAM-XIAMEN oferece wafers de silício puro de 300 mm (12 polegadas) em grau nobre, tipo n ou tipo p, e a espessura do wafer de silício de 300 mm é de 775±15. Em comparação com outros fornecedores de wafer de silício, o preço do wafer de dispositivo de silício da Powerway Wafer é mais competitivo com maior qualidade. Os wafers de silício de 300 mm têm um rendimento maior por wafer do que os wafers de silício permeáveis ​​de grande diâmetro. Tamanho em/acima de 8 polegadas (200 mm) é chamado de wafer de silício grande. A tecnologia de produção de wafer de silício grande não é apenas o aumento da complexidade do processo devido ao aumento da área, mas também os requisitos mais altos em muitos outros fatores de controle. Por exemplo: teor de oxigênio e sua uniformidade radial no wafer, controle de impurezas, controle OISF, etc. Os requisitos do wafer de silício para controle de defeitos, controle de precipitação de oxigênio, quantificação de resistência, dopagem e uniformidade radial também são maiores. Especialmente para wafer de silício de 300 mm de grau nobre, alguns parâmetros são necessários criticamente, por exemplo, wafer TTV está abaixo de 1,5um e densidade de defeito ~ 0/cm2. O próximo passo é o lingote ou wafer de silício de 450 mm.

 

1. Parâmetros da pastilha de silício de 300 mm

Parâmetros Valor(PAM210512-300-SIL)
Tipo de lingote Cultivado de acordo com o método Czochralski
Diâmetro, mm 300 ± 0,2
dopante B (boro)
Tipo de condutividade P
Oxigen max, OLD-PPMA 40
Carbono, PPMA 1
Orientação cristalográfica <100>
Desvio da orientação de superfície predeterminada do plano cristalino, graus 1
Resistividade de volume, Ohm · cm 8-12
Entalhe Primário Sim
Localização do entalhe 110
Tamanho do entalhe, mm 2,3
Forma Notch V
Espessura da bolacha, mícrons 775 ± 15
Tipo de marcação Laser
Local de Marcação lado traseiro
perfil de borda por SEMI T/4
Arranhões na parte da frente ausente
Polimento frontal sim
Polimento do verso sim
Mudança total na espessura do wafer (TTV), micrômetros 1,5
Deflexão (WARP), mícrons 30
O número de partículas em uma superfície maior que 0,05 mícrons 50
O número de partículas em uma superfície maior que 0,09 mícrons 30
Teor de superfície de alumínio, E10AT/CM2 1
Teor de superfície de cálcio, E10AT/CM2 1
Teor de superfície de cromo, E10AT/CM2 1
Teor de superfície de cobre, E10AT/CM2 1
Teor de superfície de ferro, E10AT/CM2 1
Teor de superfície de potássio, E10AT/CM2 1
Teor de sódio na superfície, E10AT/CM2 1
Teor de superfície de níquel, E10AT/CM2 1
Teor de superfície de zinco, E10AT/CM2 1

Requisitos de embalagem:

Parâmetros
Tipo de embalagem MW300GT-A
Material do Recipiente Interno Polietileno
Material de Embalagem Externa Alumínio
Número de peças em um pacote 25
Reutilização Sim

2. Perguntas frequentes:

Q:Observe que oferecemos “O número de partículas em uma superfície maior que 0,09 mícrons 50” apenas para substrato de silício.

Normalmente, o requisito de partícula é para substrato de silício.

Para garantir a conformidade, você poderia verificar?

UMA:Verificamos duas vezes: Sim, as informações indicadas estão corretas.

 

A PAM-XIAMEN pode oferecer tecnologia e suporte a wafer.

Para mais informações, visite nosso site:https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer,

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