Ge (Germânio) Cristais e Bolachas
- Descrição
Descrição do produto
Single Crystal Germanium Wafer
PAM-XIAMEN offers 2”, 3”, 4” and 6” germanium wafer, which is short for Ge wafer grown by VGF / LEC. Lightly doped N and P type Germanium wafer can be also used for Hall effect experiment. At room temperature, crystalline germanium is brittle and has little plasticity. Germanium has semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (such as indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors; and pentavalent elements (such as antimony, arsenic, and phosphorus) are doped to obtain N-type germanium semiconductors. Germanium has good semiconductor properties, such as high electron mobility and high hole mobility.
1. Properties of Germanium Wafer
1.1 General Properties of Germanium Wafer
General Properties Structure | Cúbico, a = 5,6754 Å | ||
Densidade: 5.765 g / cm3 | |||
Ponto de fusão: 937,4 oC | |||
Condutividade térmica: 640 | |||
Tecnologia de crescimento de cristais | Czochralski | ||
Doping disponível | / | Sb Doping | Doping em ou Ga |
Tipo condutor | N | N | P |
Resistividade, ohm.cm | >35 | <0,05 | 0,05 - 0,1 |
EPD | <5 × 103 / cm2 | <5 × 103 / cm2 | <5 × 103 / cm2 |
<5 × 102 / cm2 | <5 × 102 / cm2 | <5 × 102 / cm2 |
1.2 Grades and Application of Germanium wafer
Classe eletrônica | Usado para diodos e transistores, |
Grau infravermelho ou óptico | Usado para janelas ou discos ópticos IR, componentes ópticos |
Cell Grade | Usado para substratos de células solares |
1.3 Standard Specs of Germanium Crystal and wafer
Orientação de cristais | <111>, <100> e <110> ± 0,5o ou orientação personalizada | |||
Boule de cristal como crescido | 1 "~ 6" diâmetro x 200 mm Comprimento | |||
Espaço em branco padrão como cortado | 1 "x 0,5 mm | 2 ″ x0.6mm | 4 ″ x0.7mm | 5 "e 6" x0,8mm |
Bolacha polida padrão (um / dois lados polidos) | 1 ″ x 0,30 mm | 2 ″ x0.5mm | 4 ″ x0.5mm | 5 "e 6" x0.6mm |
- Special size and orientation are available upon requested Wafers
2. Specification of Germanium Wafer
2.1 Specification of Germanium Wafer of 2”,3”,4”and 6”size
Item | Especificações | Observações |
Método crescimento | VGF | — |
Tipo de condução | n-type, p type | |
dopante | Gálio ou antimônio | — |
wafer Diamter | 2, 3,4 e 6 | polegada |
Orientação de cristais | (100), (111), (110) | — |
Espessura | 200 ~ 550 | hum |
DO | EJ ou US | — |
Concentração transportadora | solicitação aos clientes | |
Resistividade à TA | (0,001 ~ 80) | Ohm.cm |
Etch Pit Densidade | <5000 | / cm2 |
Marcação a laser | a pedido | — |
Acabamento de superfície | P / E ou P / P | — |
Preparado para Epi | Sim | — |
Pacote | recipiente de bolacha única ou cassete | — |
2.2 Germanium Wafer for Solar Cell
Especificação da bolacha de Ge de 4 polegadas | para células solares | — |
doping | P | — |
Substâncias dopantes | Ge-Ga | — |
Diâmetro | 100 ± 0,25 mm | — |
Orientação | (100) 9 ° fora em direção a <111> +/- 0,5 | |
Ângulo de inclinação fora da orientação | N / D | — |
Orientação plana primária | N / D | — |
Comprimento Plano primária | 32 ± 1 | milímetros |
Orientação plana secundária | N / D | — |
Comprimento Plano secundário | N / D | milímetros |
cc | (0,26-2,24) E18 | / cc |
Resistividade | (0,74-2,81) E-2 | ohm.cm |
Mobilidade Electron | 382-865 | cm2 / vs |
EPD | <300 | / cm2 |
Laser Mark | N / D | — |
Espessura | 175 ± 10 | μm |
TTV | <15 | μm |
TIR | N / D | μm |
ARCO | <10 | μm |
Urdidura | <10 | μm |
Face frontal | Polido | — |
Face traseira | Terra | — |
2.3 Ge Wafer (as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter)
PAM180212-GE
Item | DSP Ge Wafer |
Dia | 4” |
Espessura | 1.50mm +/- 0.10mm |
Orientação | N / D |
Conductivity | N / D |
Resistividade | N / D |
Surface Process | Double-side polished; minimum 90mm dia. central clear aperture |
Other Parameters | 60-40 scratch-dig or better |
Less than 2 arc minutes parallelism | |
Surfaces optically flat to within 1 fringe irregular per any 25mm dia. in the clear aperture |
2.4 Germanium Used as Thin FIR Window (PAM211121-GE)
4″ Germanium wafer with low plasma frequency, 175µm+/-25um. (100), single side polished.
3. Germanium Wafer Process
With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
1) O germânio de alta pureza é obtido durante o refino da zona.
2) Um cristal de germânio é produzido através do processo Czochralski.
3) A pastilha de germânio é fabricada através de várias etapas de corte, retificação e gravação.
4) As bolachas são limpas e inspecionadas. Durante esse processo, as bolachas são polidas de lado único ou polido de lado duplo, de acordo com os requisitos personalizados. Vem a bolacha epi-ready.
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.
4. Application of Germanium:
O espaço em branco ou janela de germânio é usado em soluções de visão noturna e de imagem termográfica para equipamentos de segurança comercial, combate a incêndio e monitoramento industrial. Além disso, são usados como filtros para equipamentos analíticos e de medição, janelas para medição remota de temperatura e espelhos para lasers.
Thin Germanium substrates are used in III-V triple-junction solar cells and for power Concentrated PV (CPV) systems and as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter application.
5. Test of Germanium Wafer:
The resistivity of the crystal germanium wafer was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.
Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips on July 3, 2023. Exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
For more information, please contact us email at victorchan@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com.
P Type Thin Germanium Wafer | Solar Cell
Germanium Substrate for Optics and Epi-growth
Doped or Undoped Germanium (Ge) Crystal | Ge Single Crystal Growth
Single Crystal Germanium Wafer with Orientation (110) toward<111>
Test Method for Dislocation Density of Monocrystal Germanium