Ge (germânio) Cristais individuais e bolachas

Ge (Germânio) Cristais e Bolachas

PAM-XIAMEN oferece wafer de germânio de 2”, 3”, 4” e 6”, que é a abreviação de Ge wafer cultivado por VGF / LEC. O wafer de germânio do tipo P e N levemente dopado também pode ser usado para experimentos de efeito Hall. À temperatura ambiente, o germânio cristalino é quebradiço e tem pouca plasticidade. O germânio tem propriedades semicondutoras. O germânio de alta pureza é dopado com elementos trivalentes (como índio, gálio, boro) para obter semicondutores de germânio tipo P; e elementos pentavalentes (como antimônio, arsênico e fósforo) são dopados para obter semicondutores de germânio do tipo N. O germânio tem boas propriedades semicondutoras, como alta mobilidade de elétrons e alta mobilidade de lacunas.
  • Descrição

Descrição do produto

Single Crystal Germanium Wafer

PAM-XIAMEN offers 2”, 3”, 4” and 6” germanium wafer, which is short for Ge wafer grown by VGF / LEC. Lightly doped N and P type Germanium wafer can be also used for Hall effect experiment. At room temperature, crystalline germanium is brittle and has little plasticity. Germanium has semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (such as indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors; and pentavalent elements (such as antimony, arsenic, and phosphorus) are doped to obtain N-type germanium semiconductors. Germanium has good semiconductor properties, such as high electron mobility and high hole mobility.

1. Properties of Germanium Wafer

1.1 General Properties of Germanium Wafer

General  Properties Structure Cúbico, a = 5,6754 Å
Densidade: 5.765 g / cm3
Ponto de fusão: 937,4 oC
Condutividade térmica: 640
Tecnologia de crescimento de cristais Czochralski
Doping disponível não dopado Sb Doping Doping em ou Ga
Tipo condutor / N P
Resistividade, ohm.cm >35 <0,05 0,05 - 0,1
EPD <5 × 103 / cm2 <5 × 103 / cm2 <5 × 103 / cm2
<5 × 102 / cm2 <5 × 102 / cm2 <5 × 102 / cm2

 

1.2 Grades and Application of Germanium wafer

Classe eletrônica Usado para diodos e transistores,
Grau infravermelho ou óptico Usado para janelas ou discos ópticos IR, componentes ópticos
Cell Grade Usado para substratos de células solares

 

1.3 Standard Specs of Germanium Crystal and wafer

Orientação de cristais <111>, <100> e <110> ± 0,5o ou orientação personalizada
Boule de cristal como crescido 1 "~ 6" diâmetro x 200 mm Comprimento
Espaço em branco padrão como cortado 1 "x 0,5 mm 2 ″ x0.6mm 4 ″ x0.7mm 5 "e 6" x0,8mm
Bolacha polida padrão (um / dois lados polidos) 1 ″ x 0,30 mm 2 ″ x0.5mm 4 ″ x0.5mm 5 "e 6" x0.6mm
  • Special size and orientation are available upon requested Wafers

2. Specification of Germanium Wafer

2.1 Specification of Germanium Wafer of 2”,3”,4”and 6”size

Item Especificações Observações
Método crescimento VGF
Tipo de condução tipo n, tipo p, não dopado  
dopante Gálio ou antimônio
wafer Diamter 2, 3,4 e 6 polegada
Orientação de cristais (100), (111), (110)
Espessura 200 ~ 550 hum
DO EJ ou US
Concentração transportadora solicitação aos clientes  
Resistividade à TA (0,001 ~ 80) Ohm.cm
Etch Pit Densidade <5000 / cm2
Marcação a laser a pedido
Acabamento de superfície P / E ou P / P
Preparado para Epi Sim
Pacote recipiente de bolacha única ou cassete

 

2.2 Germanium Wafer for Solar Cell

Especificação da bolacha de Ge de 4 polegadas para células solares  —
doping P  —
Substâncias dopantes Ge-Ga  —
Diâmetro 100 ± 0,25 mm  —
Orientação (100) 9 ° fora em direção a <111> +/- 0,5
Ângulo de inclinação fora da orientação N / D  —
Orientação plana primária N / D  —
Comprimento Plano primária 32 ± 1 milímetros
Orientação plana secundária N / D  —
Comprimento Plano secundário N / D milímetros
cc (0,26-2,24) E18 / cc
Resistividade (0,74-2,81) E-2 ohm.cm
Mobilidade Electron 382-865 cm2 / vs
EPD <300 / cm2
Laser Mark N / D  —
Espessura 175 ± 10 μm
TTV <15 μm
TIR N / D μm
ARCO <10 μm
Urdidura <10 μm
Face frontal Polido  —
Face traseira Terra  —

 

2.3 Ge Wafer (as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter)

PAM180212-GE

Item DSP Ge Wafer
Dia 4”
Espessura 1.50mm +/- 0.10mm
Orientação N / D
Conductivity N / D
Resistividade N / D
Surface Process Double-side polished; minimum 90mm dia. central clear aperture
Other Parameters 60-40 scratch-dig or better
Less than 2 arc minutes parallelism
Surfaces optically flat to within 1 fringe irregular per any 25mm dia. in the clear aperture

 

2.4 Germanium Used as Thin FIR Window (PAM211121-GE)

4″ Germanium wafer with low plasma frequency, undoped ,175µm+/-25um. (100), single side polished.

3. Germanium Wafer Process

With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
1) O germânio de alta pureza é obtido durante o refino da zona.
2) Um cristal de germânio é produzido através do processo Czochralski.
3) A pastilha de germânio é fabricada através de várias etapas de corte, retificação e gravação.
4) As bolachas são limpas e inspecionadas. Durante esse processo, as bolachas são polidas de lado único ou polido de lado duplo, de acordo com os requisitos personalizados. Vem a bolacha epi-ready.
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

4. Application of Germanium:

O espaço em branco ou janela de germânio é usado em soluções de visão noturna e de imagem termográfica para equipamentos de segurança comercial, combate a incêndio e monitoramento industrial. Além disso, são usados ​​como filtros para equipamentos analíticos e de medição, janelas para medição remota de temperatura e espelhos para lasers.

Thin Germanium substrates are used in III-V triple-junction solar cells and for power Concentrated PV (CPV) systems and as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter application.

5. Test of Germanium Wafer:

The resistivity of the crystal germanium wafer was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.

 

 

 

 

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Ge Wafer Supplier

P Type Thin Germanium Wafer | Solar Cell

Germanium Substrate for Optics and Epi-growth

As-cut Germanium (Ge) Window

Doped or Undoped Germanium (Ge) Crystal | Ge Single Crystal Growth

Germanium (Ge) Ingot

Single Crystal Germanium Wafer with Orientation (110) toward<111>

Test Method for Dislocation Density of Monocrystal Germanium

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