Wafer Process:
Wafer Crystal Growth
Vid tillverkning av kristallwafers är det första kritiska steget enkristalltillväxt. Användning av polykristall som råmaterial med liten procent av dopningsmedel, såsom kväve, vanadin, bor eller fosfor. (detta dopämne bestämmer de elektriska egenskaperna eller resistiviteten hos skivorna, som skivas från kristallen), växer tackor genom en förseglad tillväxtugn.
Wafer Cutting
Fröänden (toppen) och den avsmalnande änden (botten) av göten tas bort, sedan skärs götet i kortare sektioner för att optimera skivningsoperationen som kommer att följa senare. Därefter slipas varje sektion till den angivna diametern på en mekanisk svarv. Slutligen skärs kristall till skivor.
Wafer Polering
Waferpolering krävs för wafertillverkning av halvledarenheter. Första steget är grov lappning genom mekanisk polering, andra steget är tunnpolering med CMP (Chemical Mechanical Polishing), för att förbättra skivans planhet och ytjämnhet, göra dess yta för att få precisionen av epitaxial skiva blir äntligen epi-ready wafer.
Rengöring av rån
Under polering fortsätter skivorna redan i en serie rengöringssystem. Men innan skivorna packas i behållare måste de fortfarande inspektera skivorna för att se om det finns sträckor, fläckar och inneslutningar.
Wafer Epitaxi
Epitaxi är en process som odlar ett tunt lager av den polerade ytan av wafersubstratet efter reaktor, och sedan blir epiwafer, vilket ger våra kunder att bygga sammansatta halvledarenheter i världen.
Tillväxt och epitaxiteknik
Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE)-teknik
Odlat med HVPE-process och teknologi för produktion av sammansatta halvledare som GaN, AlN och AlGaN. De används i ett stort antal applikationer: halvledarbelysning, kortvågig optoelektronik och RF-strömenhet.
Om du behöver mer information, se: https://www.powerwaywafer.com/GaN-Templates.html
Molecular Beam Epitaxy (MBE)-teknik
MBE är en metod för att lägga ner lager av material med atomtjocklek på substrat. Detta görs genom att skapa en "molekylär stråle" av ett material som träffar substratet. De resulterande "supergittren" har ett antal tekniskt viktiga användningsområden, inklusive kvantbrunnslasrar för halvledande system och Giant Magneto-Resistance för metalliska system.
Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)-teknik
Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) eller Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) är en kemisk ångavsättningsmetod för epitaxi genom att avsätta atomer på ett wafersubstrat.
Om du behöver mer information, se: https://www.powerwaywafer.com/GaAs-Epiwafer.html
Och nu ger vi en kort introduktion av MBE och MOCVD.
1: MBE
MBE är en metod för att lägga ner lager av material med atomtjocklek på substrat. Detta görs genom att skapa en "molekylär stråle" av ett material som träffar substratet. De resulterande "supergittren" har ett antal tekniskt viktiga användningsområden, inklusive kvantbrunnslasrar för halvledande system och Giant Magneto-Resistance för metalliska system.
In the compound semiconductor industry, using MBE technology,we grow epitaxial layers on GaAs and other compound semiconductor substrates,and offer epi wafers and develop multilayer substrates for for microwaves and RF applications.
1-1: Karakteristika för molekylär strålepitaxi:
Låg tillväxthastighet på ~ 1 monolager (gitterplan) per sek
Low growth temperature (~ 550°C for GaAs)
Smooth growth surface with steps of atomic height and large flat terraces
Precise control of surface composition and morphology
Abrupt variation of chemical composition at interfaces
In-situ control of crystal growth at the atomic level
1-2: Fördelar med MBE-teknik:
Ren tillväxtmiljö
Precise control of the beam fluxes
and growth condition
Easy implementation of in situ
diagnostic instruments
Compatibility with other high vacuum
thin-film processing methods (metal
evaporation, ion beam milling, ion implantation)
1-3:MBE-process:
2: MOCVD
Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) eller Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) är en kemisk ångavsättningsmetod för epitaxi genom att avsätta atomer på ett wafersubstrat.
The MOCVD principle is quite simple: Atoms that you would like to be in your crystal are combined with complex organic gas molecules and passed over a hot wafer substrate. The heat breaks up the molecules and deposits the desired atoms on the surface, layer by layer. By varying the composition of the gas, we can change the properties of the crystal at an almost atomic scale. It can grow high quality semiconductor layers and the crystal structure of these layers is perfectly aligned with that of the substrate.