GaAs Wafer

GaAs wafer är ett viktigt III-V halvledarföreningar, en zinkblände gitterstruktur med gitterkonstanten hos 5,65 x 10-10m, smältpunkt av 1237 C och bandgap på 1,4 elektron volts.Gallium arsenid wafer kan göras till halvisolerande material med resistivitet högre än kisel och germanium med tre storleksordningar, som kan användas för att tillverka integrerade kretssubstrat, infraröda detektorer, gammafotondetektorer och så vidare. Eftersom dess elektronrörligheten är 5-6 gånger större än den för kisel, har det använts i stor utsträckning vid tillverkning av mikrovågsanordningar och snabba digitala kretsar. Halvledaranordningar tillverkade av GaAs har fördelarna med hög frekvens, hög temperatur, bra prestanda vid låg temperatur, lågt brus och stark strålningsresistens. Dessutom kan den också användas för att tillverka överföringsanordningar - bulk effektanordningar.

(Galliumarsenid) GaAs Wafer och Epitaxy: GaAs wafer, N-typ, P-typ eller halvisolerande, storlek från 2 "till 6"; GaAs epi wafer för HEMT, pHEMT, mHEMT och HBT

  • Epi Wafer för laserdiod

    GaAs based LD epitaxy wafer, which can generate stimulate emission, is widely used for fabricating laser diode since the superior GaAs epitaxial wafer properties make the device a low energy consumption, high efficiency, long lifetime and etc. In addition to gallium arsenide LD epi wafer, commonly used semiconductor materials are cadmium sulfide (CdS), indium phosphide (InP), and zinc sulfide (ZnS).

  • GaAs (galliumarsenid) Wafers

    As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor undoped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, undoped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.

  • GaAs Epiwafer

    PAM-XIAMEN is manufacturing various types of epi wafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.