Vilka vi är

Före 1990, vi anges ägs kondenserade materiens fysik forskningscentret. I 1990, lanserade centrum Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd (PAM-XIAMEN), är det nu en ledande tillverkare av sammansatta halvledarmaterial i Kina. PAM-XIAMEN utvecklar avancerad kristalltillväxt och epitaxi teknik, sträcker sig från den första generationen Germanium wafer, andra generationen galliumarsenid med substrat tillväxt och epitaxi på ...

varför välja oss

null

Bra försäljning service

Vårt mål är att uppfylla alla dina krav, oavsett hur små beställningar och hur svårt frågor de än må vara, att upprätthålla uthållig och lönsam tillväxt för varje kund genom våra kvalificerade produkter och tillfredsställande service.
null

25 + år Erfarenheter

Med mer än 25 + års erfarenhet i förening halvledarmaterial fält och export företag, kan vårt team försäkra er om att vi kan förstå dina behov och ta itu med ditt projekt professionellt.
null

tillförlitlig kvalitet

Kvalitet är vår första prioritet. PAM-XIAMEN har ISO9001: 2008, äger och aktier fyra moderna facories som kan ge ganska stort utbud av kvalificerade produkter för att möta olika behov hos våra kunder, och varje order måste hanteras genom vårt rigorösa kvalitetssystem. Testrapport för varje sändning, och varje wafer är garanti.
null

Fri och professionell Technology Support

Du kan få vår IT-tjänster från förfrågan till efter service baserad på våra 25+ erfarenheter inom halvledar linje.
Efter mer än 20 år av anhopning och utveckling, vårt företag har en uppenbar fördel i tekniska innovationer och talangpool.
I framtiden måste vi öka takten faktiska åtgärder för att förse kunderna med bättre produkter och tjänster

Doktor Chan - VD för Xiamen Powerway Advanced Materials Co, Ltd

Världens mest kända universitet och företag litar på oss

Partners

Senaste Nyheter

12 "Dummy Grade Silicon Wafer Tjocklek 650-700um

PAM XIAMEN offers 12″ Dummy Grade Silicon Wafer Thickness 650-700um. 12” 300mm dummy grade wafers Surface is double side [...]

12 "Dummy Grade Silicon Wafer Tjocklek 700-730um

PAM XIAMEN offers 12″ Dummy Grade Silicon Wafer Thickness 700-730um. 12” 300mm dummy grade wafers Surface is double side [...]

4 "FZ Prime Silicon Wafer

PAM XIAMEN offers 4″ FZ Prime Silicon Wafer. 4”FZ P-type orientation 111 thickness 400±15 Resistivity 15000Ωcm polished side 1 [...]

4 "CZ Prime Silicon Wafer

PAM XIAMEN offers 4″ CZ Prime Silicon Wafer. 4inch Prime CZ-Si wafer 4 inch (+/- 0.5 mm), thickness = [...]

8 "CZ Dummy Grade Silicon Wafer

PAM XIAMEN offers 8″ CZ Dummy Grade Silicon Wafer. 8inch (5 pieces) Dummy CZ-Si wafer 8 inch (+/- 0.5 [...]

Förbättrade InAsP metamorfa skikt odlade på ett InP-substrat med användning av underliggande InP odlas vid låga temperaturer

The use of an InP epitaxial layer grown at low temperatures before the growth of a step-graded InAsP metamorphic [...]

Bärare Koncentration och Tjocklek Mätningar av n-typ GaAs epitaxialskikt av cellspänningen i Anodisering

The carrier concentration and thickness of n-type GaAs epitaxial layers were obtained by cell voltage measurements in anodization, and [...]

AIN / GaN Short-Period supergitter koherent Grown på 6H-SiC (0001) Substrat från Molecular Beam Epitaxy

Vi visar den koherenta tillväxten av AlN / GaN korttidssupergitter (sPSL) på 6H-SiC (0001) substrat genom molekylär strålepitaxi. En hög kvalitet [...]

faqs