Vilka vi är

Före 1990, vi anges ägs kondenserade materiens fysik forskningscentret. I 1990, lanserade centrum Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd (PAM-XIAMEN), är det nu en ledande tillverkare av sammansatta halvledarmaterial i Kina. PAM-XIAMEN utvecklar avancerad kristalltillväxt och epitaxi teknik, sträcker sig från den första generationen Germanium wafer, andra generationen galliumarsenid med substrat tillväxt och epitaxi på ...

Läs mer ...

varför välja oss

null

Bra försäljning service

Vårt mål är att uppfylla alla dina krav, oavsett hur små beställningar och hur svårt frågor de än må vara, att upprätthålla uthållig och lönsam tillväxt för varje kund genom våra kvalificerade produkter och tillfredsställande service.
null

25 + år Erfarenheter

Med mer än 25 + års erfarenhet i förening halvledarmaterial fält och export företag, kan vårt team försäkra er om att vi kan förstå dina behov och ta itu med ditt projekt professionellt.
null

tillförlitlig kvalitet

Kvalitet är vår första prioritet. PAM-XIAMEN har ISO9001: 2008, äger och aktier fyra moderna facories som kan ge ganska stort utbud av kvalificerade produkter för att möta olika behov hos våra kunder, och varje order måste hanteras genom vårt rigorösa kvalitetssystem. Testrapport för varje sändning, och varje wafer är garanti.
null

Fri och professionell Technology Support

Du kan få vår IT-tjänster från förfrågan till efter service baserad på våra 25+ erfarenheter inom halvledar linje.
Efter mer än 20 år av anhopning och utveckling, vårt företag har en uppenbar fördel i tekniska innovationer och talangpool.
I framtiden måste vi öka takten faktiska åtgärder för att förse kunderna med bättre produkter och tjänster

Doktor Chan - VD för Xiamen Powerway Advanced Materials Co, Ltd

Världens mest kända universitet och företag litar på oss

Partners

Senaste Nyheter

Titanium/Gold Schottky Contacts on P-Type GaAs Grown on (111)A and (100) GaAs Substrates Using Molecular Beam Epitaxy

The Schottky barrier heights of Ti/Au contacts on p-type GaAs, grown on (111)A and (100) GaAs substrates by molecular [...]

2019-10-21
Utvärderingsförfarande hos tröskelspänningsskift av SiC MOSFETs under negativt grindförspänningen med användning av n-typ SiC-MOS-kondensatorer

A novel method for estimating threshold voltage shifts of n-channel SiC MOSFETs under negative gate bias stresses has been [...]

2019-10-21
4 "FZ Prime Silicon Wafer-7

PAM XIAMEN offers  4″ FZ Prime Silicon Wafer-7 4″ FZ Si wafer N type Orientation (100) Thickness 500±15μm Resistitvity>2000Ωcm DSP For more information, please visit our [...]

2019-10-18
GaN epitaxiell tillväxt på 4 grader från axeln Si- och C-face 4H-SiC utan buffertskikt genom tri-halid ångfas epitaxi med höghastighets wafer rotations

The results of GaN epitaxial crystal growth on 4° off-axis Si- and C-face 4H-SiC without buffer layers by tri-halide [...]

2019-10-18
Elektroniska och magnetiska egenskaper GaN / MNN / GaN och MNN / GaN / MNN mellanskikt

In this work we execute computational calculations to investigate the structural, electronic and magnetic properties of the GaN/MnN/GaN and [...]

2019-09-27
N Typ GaN

2″GaN Free-standing Substrate Item      PAM-FS-GaN50-N Conduction Type N-type Size 2″(50.8)+/-1mm Thickness 300+/-25um Orientation C-axis(0001)+/-0.5o Primary Flat Location (1-100)+/-0.5o Primary Flat Length 16+/-1mm Secondary Flat Location (11-20)+/-3o Secondary Flat Length 8+/-1mm Resistivity(300K) <0.5Ω·cm Dislocation Density <5×106cm-2 Marco Defect Density A grade<=2cm-2 B grade>2cm-2 TTV <=15um BOW <=20um Surface Finish Front Surface:Ra<0.2nm.Epi-ready [...]

2019-09-24
Nitride Semiconductor Wafer

Nitride Semiconductor Wafer  Free-standing Gallium Nitride  Item No. Type Orientation Thickness Grade Micro Defect Density Surface Usable area          N-Type   PAM-FS-GaN50-N 2″ N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%  PAM-FS-GaN45-N dia.45mm,N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%  PAM-FS-GaN40-N dia.40mm,N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or [...]

2019-09-24
GaN-substrat

What we provide: Item undoped N- Si doped N+ Semi-insulating P+ Freestanding GaN substrate yes yes yes GaN on sapphire yes yes yes yes InGaN on sapphire yes *** AlN on sapphire yes LED wafer (p+GaN/MOW/N+GaN/N-AlGaN/N+GaN/N-GaN/sapphire) Freestanding GaN substrate/GaN on sapphire/LED [...]

2019-09-24
faqs
Galliumarsenid wafers, P / P

Fråga: Låt oss veta om du kunde leverera under rånet, st 25/50/300. Gallium arsenid wafers, P / P 150,00 ± 0,25 mm) 6 "Diam × 650 ± 25 ^ m, VGF SI odopade GaAs: - [100-2,0 ° mot [110]] ± 0,5 °, u> 4,000cm² / Vs, Båda-sidor -polished, 1 Flat 57,5 ​​± 2,5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7 um, BOW <4 pM, Warp <10 um, TIR <6 ^ m, certifikat: obligatorisk, Sealed under kväve i enda skiva kassett A: Ja, kommer att kontrollera [ ...]

2018-09-13meta-författare
EPD för GaAs-substrat och epitaxiell skiva

F: Kan du råda garanterad EPD för under substrat och epi? Gallium arsenid wafers, P / E 2 "o × 380 ± 25 | im, LEC SI odopade GaAs: - [100] ± 0,5 °, n-typ Ro = (0.8E8-0.9E8) ohmcm, One-sida-polerad, back- sido matt etsas, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2μm, Resistivitet> 1E7 Ohm-cm, Carrier livstid <1PS, Sealed under kväve i enda skiva kassett. A: dislokationsdensiteten <1 × 10 ^ 6 cm-2

2018-09-06meta-författare
2 "LT-GaAs Wafer

Fråga: Vi skulle vilja köpa LT-GaAs, kan ni rekommendera specifikationer som passar för programmet? A: 2 "LT-GaAs Wafer Specifikation: diamater (mm) Ф 50,8 mm ± 1 mm Tjocklek 1-2um Marco Defect Density≤ 5 cm-2 Resistivitet (300K)> 10 ^ 8 Ohm-cm Carrier livstid <1PS eller 15ps dislokationsdensitet <1 × 10 ^ 6 cm-2 Användningsyta Surface Area≥80% Polering: Singel sida polerad substrat: GaAs-substrat

2018-07-25meta-författare