Vilka vi är

Före 1990, vi anges ägs kondenserade materiens fysik forskningscentret. I 1990, lanserade centrum Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd (PAM-XIAMEN), är det nu en ledande tillverkare av sammansatta halvledarmaterial i Kina. PAM-XIAMEN utvecklar avancerad kristalltillväxt och epitaxi teknik, sträcker sig från den första generationen Germanium wafer, andra generationen galliumarsenid med substrat tillväxt och epitaxi på ...

Läs mer ...

varför välja oss

null

Bra försäljning service

Vårt mål är att uppfylla alla dina krav, oavsett hur små beställningar och hur svårt frågor de än må vara, att upprätthålla uthållig och lönsam tillväxt för varje kund genom våra kvalificerade produkter och tillfredsställande service.
null

25 + år Erfarenheter

Med mer än 25 + års erfarenhet i förening halvledarmaterial fält och export företag, kan vårt team försäkra er om att vi kan förstå dina behov och ta itu med ditt projekt professionellt.
null

tillförlitlig kvalitet

Kvalitet är vår första prioritet. PAM-XIAMEN har ISO9001: 2008, äger och aktier fyra moderna facories som kan ge ganska stort utbud av kvalificerade produkter för att möta olika behov hos våra kunder, och varje order måste hanteras genom vårt rigorösa kvalitetssystem. Testrapport för varje sändning, och varje wafer är garanti.
null

Fri och professionell Technology Support

Du kan få vår IT-tjänster från förfrågan till efter service baserad på våra 25+ erfarenheter inom halvledar linje.
Efter mer än 20 år av anhopning och utveckling, vårt företag har en uppenbar fördel i tekniska innovationer och talangpool.
I framtiden måste vi öka takten faktiska åtgärder för att förse kunderna med bättre produkter och tjänster

Doktor Chan - VD för Xiamen Powerway Advanced Materials Co, Ltd

Världens mest kända universitet och företag litar på oss

Partners

Senaste Nyheter

MOCVD Tillväxt av InP på 4-tums Si Substrat med GaAs Intermediate Layer

Detta brev beskriver heteroepitaxi av InP på Si med MOCVD. En ny epitaxialstruktur med en tunn GaAs [...]

2019-08-19
Bärare Koncentration och Tjocklek Mätningar av n-typ GaAs epitaxialskikt av cellspänningen i Anodisering

Bärarkoncentrationen och tjocklek av n-typ GaAs epitaxiella skikt erhölls genom mätningar cellspänningen i anodisering, och [...]

2019-08-12
Förbättrad ohmsk kontakt till n-typ 4H-SiC-halvledar användning av kobolt silicider

Flerskiktsstrukturer av kobolt och kisel har deponerats som en ohmsk kontakt på n-typ 4H-SiC-substrat för [...]

2019-08-06
Tillväxt och karakterisering av halvisolerande koldopat / odopad GaN flerskiktsbuffert

We have proposed a new semi-insulating GaN buffer layer, which consists of multiple carbon-doped and undoped GaN layer. The [...]

2019-07-29
Ti: safirglas

PAM XIAMEN erbjuder Ti: safirglas Ti: safirglas Ti safirglas Inledning Titan safir (titandopad safir, AI2O3 Ti3 +) har ett brett emissionsband [...]

2019-07-24
Laser återvinning av slip-inducerad under ytan skada i kanten och hack av en enda kristall kiselskiva

Kanterna och skårorna av kiselskivor är vanligtvis bearbetas genom diamantslipning, och de slip-inducerad under ytan skadeorsaker [...]

2019-07-22
Semiconductor Science and Technology inverkan tillväxtbetingelser på kvaliteten på CdZnTe enkristaller

Experimentella betingelser undersöktes för tillväxt av inneslutningsfria nästan stökiometriska CdZnTe enkristaller med en minimerad koncentration av infödda punkt [...]

2019-07-16
Medelenergi jon bestrålning av Si- och Ge-wafers: studier av ytan Nanopatterning och underskrift av omkristallisation i 100 keV Kr + bombarderade a-Si

Vi rapporterar nya och spännande experimentella resultat på jon-inducerad Nanopatterning av a-Si och a-Ge ytor. Den kristallina Si (100) [...]

2019-07-08
faqs
Galliumarsenid wafers, P / P

Fråga: Låt oss veta om du kunde leverera under rånet, st 25/50/300. Gallium arsenid wafers, P / P 150,00 ± 0,25 mm) 6 "Diam × 650 ± 25 ^ m, VGF SI odopade GaAs: - [100-2,0 ° mot [110]] ± 0,5 °, u> 4,000cm² / Vs, Båda-sidor -polished, 1 Flat 57,5 ​​± 2,5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7 um, BOW <4 pM, Warp <10 um, TIR <6 ^ m, certifikat: obligatorisk, Sealed under kväve i enda skiva kassett A: Ja, kommer att kontrollera [ ...]

2018-09-13meta-författare
EPD för GaAs-substrat och epitaxiell skiva

F: Kan du råda garanterad EPD för under substrat och epi? Gallium arsenid wafers, P / E 2 "o × 380 ± 25 | im, LEC SI odopade GaAs: - [100] ± 0,5 °, n-typ Ro = (0.8E8-0.9E8) ohmcm, One-sida-polerad, back- sido matt etsas, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2μm, Resistivitet> 1E7 Ohm-cm, Carrier livstid <1PS, Sealed under kväve i enda skiva kassett. A: dislokationsdensiteten <1 × 10 ^ 6 cm-2

2018-09-06meta-författare
2 "LT-GaAs Wafer

Fråga: Vi skulle vilja köpa LT-GaAs, kan ni rekommendera specifikationer som passar för programmet? A: 2 "LT-GaAs Wafer Specifikation: diamater (mm) Ф 50,8 mm ± 1 mm Tjocklek 1-2um Marco Defect Density≤ 5 cm-2 Resistivitet (300K)> 10 ^ 8 Ohm-cm Carrier livstid <1PS eller 15ps dislokationsdensitet <1 × 10 ^ 6 cm-2 Användningsyta Surface Area≥80% Polering: Singel sida polerad substrat: GaAs-substrat

2018-07-25meta-författare