Vilka vi är

Före 1990, vi anges ägs kondenserade materiens fysik forskningscentret. I 1990, lanserade centrum Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd (PAM-XIAMEN), är det nu en ledande tillverkare av sammansatta halvledarmaterial i Kina. PAM-XIAMEN utvecklar avancerad kristalltillväxt och epitaxi teknik, sträcker sig från den första generationen Germanium wafer, andra generationen galliumarsenid med substrat tillväxt och epitaxi på ...

Läs mer ...

varför välja oss

null

Bra försäljning service

Vårt mål är att uppfylla alla dina krav, oavsett hur små beställningar och hur svårt frågor de än må vara, att upprätthålla uthållig och lönsam tillväxt för varje kund genom våra kvalificerade produkter och tillfredsställande service.
null

25 + år Erfarenheter

Med mer än 25 + års erfarenhet i förening halvledarmaterial fält och export företag, kan vårt team försäkra er om att vi kan förstå dina behov och ta itu med ditt projekt professionellt.
null

tillförlitlig kvalitet

Kvalitet är vår första prioritet. PAM-XIAMEN har ISO9001: 2008, äger och aktier fyra moderna facories som kan ge ganska stort utbud av kvalificerade produkter för att möta olika behov hos våra kunder, och varje order måste hanteras genom vårt rigorösa kvalitetssystem. Testrapport för varje sändning, och varje wafer är garanti.
null

Fri och professionell Technology Support

Du kan få vår IT-tjänster från förfrågan till efter service baserad på våra 25+ erfarenheter inom halvledar linje.
Efter mer än 20 år av anhopning och utveckling, vårt företag har en uppenbar fördel i tekniska innovationer och talangpool.
I framtiden måste vi öka takten faktiska åtgärder för att förse kunderna med bättre produkter och tjänster

Doktor Chan - VD för Xiamen Powerway Advanced Materials Co, Ltd

Världens mest kända universitet och företag litar på oss

Partners

Senaste Nyheter

(Inbjuden) Strain Engineered sprickfri GaN på Si för integrerade Vertikala Högeffekts GaN enheter med Si CMOS

The ability to grow thin GaN layers on Si substrates has led to the development of lateral high power [...]

2020-01-20
Heteroepitaxial tillväxt av SiC på Si (100) och (111) genom kemisk ångdeponering Använda trimetylsilan

Heteroepitaxial growth of 3C‐SiC on Si by chemical vapor deposition has been investigated using the precursor trimethylsilane. To optimize [...]

2020-01-20
Top 10 Offentliggörande i i mikroelektronik och Electronic Packaging med Citation

Top 10 Publication in in Microelectronics & Electronic Packaging by Citation Post: PAM-XIAMEN, date: Jan 13,2020 PAM-XIAMEN has compiled top 10 [...]

2020-01-13
Analys av spårmängder av Ge Överfört till Si-skiva Ytor under SiGe Wafer Processing

Effects of trace levels of Ge transferred to Si surfaces during thermal processing of SiGe wafers are presented here. [...]

2020-01-13
Fabrication och termisk budget överväganden av Advanced Ge och InP SULOR substrat

The Silicon on Lattice Engineered Substrate (SOLES) platform enables monolithic integration of III-V compound semiconductor (III-V) and silicon (Si) [...]

2020-01-13
Selektiv epitaxiell tillväxt av SiC: Thermodynamic Analys av SiC-Cl-H och SiC-Cl-H-O Systems

Thermodynamic analysis was conducted to determine the conditions necessary for the selective epitaxial growth (SEG) of SiC on  masked Si [...]

2020-01-07
Tvådimensionella uppställningar av nanometerskala hål och nano V-spår i oxiderade Si-skivor för selektiv tillväxt av Ge-punkter eller Ge / Si heteronanokristaller

Two-dimensional (2D) arrays of nanometre scale holes were opened in thin SiO2 layers on silicon by electron beam lithography and [...]

2020-01-07
2018 TOP 100 US HÖGSKOLE utgifterna för FoU

2018 TOP 100 US HIGHER EDUCATION R&D EXPENDITURES post by PAM-XIAMEN  date: Jan 03,2020 University is an important research and development subject [...]

2020-01-03
faqs
Galliumarsenid wafers, P / P

Fråga: Låt oss veta om du kunde leverera under rånet, st 25/50/300. Gallium arsenid wafers, P / P 150,00 ± 0,25 mm) 6 "Diam × 650 ± 25 ^ m, VGF SI odopade GaAs: - [100-2,0 ° mot [110]] ± 0,5 °, u> 4,000cm² / Vs, Båda-sidor -polished, 1 Flat 57,5 ​​± 2,5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7 um, BOW <4 pM, Warp <10 um, TIR <6 ^ m, certifikat: obligatorisk, Sealed under kväve i enda skiva kassett A: Ja, kommer att kontrollera [ ...]

2018-09-13meta-författare
EPD för GaAs-substrat och epitaxiell skiva

F: Kan du råda garanterad EPD för under substrat och epi? Gallium arsenid wafers, P / E 2 "o × 380 ± 25 | im, LEC SI odopade GaAs: - [100] ± 0,5 °, n-typ Ro = (0.8E8-0.9E8) ohmcm, One-sida-polerad, back- sido matt etsas, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2μm, Resistivitet> 1E7 Ohm-cm, Carrier livstid <1PS, Sealed under kväve i enda skiva kassett. A: dislokationsdensiteten <1 × 10 ^ 6 cm-2

2018-09-06meta-författare
2 "LT-GaAs Wafer

Fråga: Vi skulle vilja köpa LT-GaAs, kan ni rekommendera specifikationer som passar för programmet? A: 2 "LT-GaAs Wafer Specifikation: diamater (mm) Ф 50,8 mm ± 1 mm Tjocklek 1-2um Marco Defect Density≤ 5 cm-2 Resistivitet (300K)> 10 ^ 8 Ohm-cm Carrier livstid <1PS eller 15ps dislokationsdensitet <1 × 10 ^ 6 cm-2 Användningsyta Surface Area≥80% Polering: Singel sida polerad substrat: GaAs-substrat

2018-07-25meta-författare