2009 års arbete

Vilka vi är

Före 1990, vi anges ägs kondenserade materiens fysik forskningscentret. I 1990, lanserade centrum Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd (PAM-XIAMEN), är det nu en ledande tillverkare av sammansatta halvledarmaterial i Kina. PAM-XIAMEN utvecklar avancerad kristalltillväxt och epitaxi teknik, sträcker sig från den första generationen Germanium wafer, andra generationen galliumarsenid med substrat tillväxt och epitaxi på ...

Läs mer ...

varför välja oss

null

Bra försäljning service

Vårt mål är att uppfylla alla dina krav, oavsett hur små beställningar och hur svårt frågor de än må vara, att upprätthålla uthållig och lönsam tillväxt för varje kund genom våra kvalificerade produkter och tillfredsställande service.
null

25 + år Erfarenheter

Med mer än 25 + års erfarenhet i förening halvledarmaterial fält och export företag, kan vårt team försäkra er om att vi kan förstå dina behov och ta itu med ditt projekt professionellt.
null

tillförlitlig kvalitet

Kvalitet är vår första prioritet. PAM-XIAMEN har ISO9001: 2008, äger och aktier fyra moderna facories som kan ge ganska stort utbud av kvalificerade produkter för att möta olika behov hos våra kunder, och varje order måste hanteras genom vårt rigorösa kvalitetssystem. Testrapport för varje sändning, och varje wafer är garanti.
null

Fri och professionell Technology Support

Du kan få vår IT-tjänster från förfrågan till efter service baserad på våra 25+ erfarenheter inom halvledar linje.
Efter mer än 20 år av anhopning och utveckling, vårt företag har en uppenbar fördel i tekniska innovationer och talangpool.
I framtiden måste vi öka takten faktiska åtgärder för att förse kunderna med bättre produkter och tjänster

Doktor Chan - VD för Xiamen Powerway Advanced Materials Co, Ltd

Världens mest kända universitet och företag litar på oss

Partners
FRAUNHOFER
SKARP
SBIR STTR
OSRAM
KRAFTINFORMATIONER
ibm LOGO

Senaste Nyheter

What Affects 2DEG of AlGaN/GaN HEMT Wafer?

PAM-XIAMEN can provide AlGaN/GaN HEMT heterostructure, like GaN on SiC HEMT wafer, for more wafer parameter please read: https://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/gan-hemt-epitaxial-wafer.html. [...]

2022-07-07
6 tum odopat GaAs-substrat, grund- och mekanisk kvalitet

PAM-XIAMEN supplies 6 inch undoped GaAs substrates, which are prime grade and mechanical grade grown by VGF. For wafer [...]

2022-07-04
Isotropisk etsning och anisotropisk etsning av Silicon Wafer

PAM-XIAMEN can provide etching silicon wafer in P type and N type, more specifications please see: https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer/etching-wafer.html. The etching of silicon wafers is divided into isotropy [...]

2022-07-01
Hur bestämmer man kol- och syrehalten i en kiselkristall?

In the production process of single crystal silicon, impurities such as carbon and oxygen are inevitably introduced due to [...]

2022-06-29
Hur rengör man kiselskivor (Si)?

As the basis for making photovoltaic cells and integrated circuits, silicon wafer cleaning is very important. The effect of [...]

2022-06-24
Varför är Silicon Wafer det mest lämpliga materialet för att göra chips?

When it comes to choosing a material as the basic material for transistors in computers, the key matter we [...]

2022-06-21
Något om Intrinsic och Extrinsic Semiconductors

There are three basic types of semiconductor materials: intrinsic semiconductors, extrinsic semiconductors, also known as impurity semiconductors. Both types [...]

2022-06-20
Silicon Vacancy (Vsi) — Spin Color Center i kiselkarbid

Solid-state spin color center is an important research platform for quantum information processing, and diamond nitrogen vacancy (NV) color [...]

2022-06-14
Vanliga frågor
Galliumarsenid wafers, P / P

Fråga: Låt oss veta om du kunde leverera under rånet, st 25/50/300. Gallium arsenid wafers, P / P 150,00 ± 0,25 mm) 6 "Diam × 650 ± 25 ^ m, VGF SI odopade GaAs: - [100-2,0 ° mot [110]] ± 0,5 °, u> 4,000cm² / Vs, Båda-sidor -polished, 1 Flat 57,5 ​​± 2,5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7 um, BOW <4 pM, Warp <10 um, TIR <6 ^ m, certifikat: obligatorisk, Sealed under kväve i enda skiva kassett A: Ja, kommer att kontrollera [ ...]

2018-09-13meta-författare
EPD for GaAs Substrate

PAM-XIAMEN can supply GaAs wafer with EPD less than 5000/cm2. Q: Could you please advise guaranteed EPD for below substrate and epi? Gallium Arsenide wafers, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI undoped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm, One-side-polished, back-side matte etched, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Resistivity >1E7 Ohm-cm, Carrier [...]

2018-09-06meta-författare
Gallium Arsenide Wafer, GaAs, VGF, Semi Insulating, Undoped

Q: We would like to ask for below. (001) +/- 0.5o Orientation Semi Insulating, Undoped Resistivity ≤ 1 – 10 x 108 Ohm-cm3 EPD ≤ 5000 cm-2 1 Side Polished (Ra < 10Å), EPI Ready, Back Side Etched US Semi Standard Flats, No Laser [...]

2018-07-17meta-författare