2009 års arbete

Vilka vi är

Före 1990, vi anges ägs kondenserade materiens fysik forskningscentret. I 1990, lanserade centrum Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd (PAM-XIAMEN), är det nu en ledande tillverkare av sammansatta halvledarmaterial i Kina. PAM-XIAMEN utvecklar avancerad kristalltillväxt och epitaxi teknik, sträcker sig från den första generationen Germanium wafer, andra generationen galliumarsenid med substrat tillväxt och epitaxi på ...

Läs mer ...

varför välja oss

null

Bra försäljning service

Vårt mål är att uppfylla alla dina krav, oavsett hur små beställningar och hur svårt frågor de än må vara, att upprätthålla uthållig och lönsam tillväxt för varje kund genom våra kvalificerade produkter och tillfredsställande service.
null

25 + år Erfarenheter

Med mer än 25 + års erfarenhet i förening halvledarmaterial fält och export företag, kan vårt team försäkra er om att vi kan förstå dina behov och ta itu med ditt projekt professionellt.
null

tillförlitlig kvalitet

Kvalitet är vår första prioritet. PAM-XIAMEN har ISO9001: 2008, äger och aktier fyra moderna facories som kan ge ganska stort utbud av kvalificerade produkter för att möta olika behov hos våra kunder, och varje order måste hanteras genom vårt rigorösa kvalitetssystem. Testrapport för varje sändning, och varje wafer är garanti.
null

Fri och professionell Technology Support

Du kan få vår IT-tjänster från förfrågan till efter service baserad på våra 25+ erfarenheter inom halvledar linje.
Efter mer än 20 år av anhopning och utveckling, vårt företag har en uppenbar fördel i tekniska innovationer och talangpool.
I framtiden måste vi öka takten faktiska åtgärder för att förse kunderna med bättre produkter och tjänster

Doktor Chan - VD för Xiamen Powerway Advanced Materials Co, Ltd

Världens mest kända universitet och företag litar på oss

Partners
FRAUNHOFER
SKARP
SBIR STTR
OSRAM
KRAFTINFORMATIONER
ibm LOGO

Senaste Nyheter

P Type Boron Doped Silicon Epitaxial Wafer

At present, P-P+ (boron doped) silicon epitaxial wafers are widely used in the manufacture of large-scale integrated circuits and [...]

2022-12-08
P-typ indiumfosfidhalvledarsubstrat

Indium phosphide (InP) is one of the III-V compound semiconductors. It is a new generation of electronic functional materials [...]

2022-11-29
405nm GaN laserdiodskiva

Group III nitride materials are a kind of direct band gap materials, which have the advantages of wide band [...]

2022-11-25
GaN tillverkningstjänster för HEMT-enheter

PAM-XIAMEN supplies GaN HEMT epitaxial wafers and GaN fabrication services. Our GaN fabrication services supplied include front-end process and [...]

2022-11-23
GaN Foundry Services för LED-tillverkning

PAM-XIAMEN can offer LED epitaxy wafers and is able to offer GaN foundry services & supplies for LEDs. The [...]

2022-11-22
1060nm High Power Laser Wafer

InGaAs quantum well (QW), as a commonly used two-dimensional material in near-infrared band, has important applications in semiconductor lasers, [...]

2022-10-28
InGaAs fotodiodstruktur

Ternary compound semiconductor material InxGa1-xAs is a mixed solid solution formed by GaAs and InAs. It is a sphalerite [...]

2022-10-19
AlGaN UV LED Wafer

AlGaN is a direct wide band gap semiconductor material. By changing the composition of AlGaN material, the band gap [...]

2022-10-14
Vanliga frågor
Galliumarsenid wafers, P / P

Fråga: Låt oss veta om du kunde leverera under rånet, st 25/50/300. Gallium arsenid wafers, P / P 150,00 ± 0,25 mm) 6 "Diam × 650 ± 25 ^ m, VGF SI odopade GaAs: - [100-2,0 ° mot [110]] ± 0,5 °, u> 4,000cm² / Vs, Båda-sidor -polished, 1 Flat 57,5 ​​± 2,5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7 um, BOW <4 pM, Warp <10 um, TIR <6 ^ m, certifikat: obligatorisk, Sealed under kväve i enda skiva kassett A: Ja, kommer att kontrollera [ ...]

2018-09-13meta-författare
EPD for GaAs Substrate

PAM-XIAMEN can supply GaAs wafer with EPD less than 5000/cm2. Q: Could you please advise guaranteed EPD for below substrate and epi? Gallium Arsenide wafers, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI undoped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm, One-side-polished, back-side matte etched, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Resistivity >1E7 Ohm-cm, Carrier [...]

2018-09-06meta-författare
Gallium Arsenide Wafer, GaAs, VGF, Semi Insulating, Undoped

Q: We would like to ask for below. (001) +/- 0.5o Orientation Semi Insulating, Undoped Resistivity ≤ 1 – 10 x 108 Ohm-cm3 EPD ≤ 5000 cm-2 1 Side Polished (Ra < 10Å), EPI Ready, Back Side Etched US Semi Standard Flats, No Laser [...]

2018-07-17meta-författare