2009 års arbete

Vilka vi är

Före 1990, vi anges ägs kondenserade materiens fysik forskningscentret. I 1990, lanserade centrum Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd (PAM-XIAMEN), är det nu en ledande tillverkare av sammansatta halvledarmaterial i Kina. PAM-XIAMEN utvecklar avancerad kristalltillväxt och epitaxi teknik, sträcker sig från den första generationen Germanium wafer, andra generationen galliumarsenid med substrat tillväxt och epitaxi på ...

Läs mer ...

varför välja oss

null

Bra försäljning service

Vårt mål är att uppfylla alla dina krav, oavsett hur små beställningar och hur svårt frågor de än må vara, att upprätthålla uthållig och lönsam tillväxt för varje kund genom våra kvalificerade produkter och tillfredsställande service.
null

25 + år Erfarenheter

Med mer än 25 + års erfarenhet i förening halvledarmaterial fält och export företag, kan vårt team försäkra er om att vi kan förstå dina behov och ta itu med ditt projekt professionellt.
null

tillförlitlig kvalitet

Kvalitet är vår första prioritet. PAM-XIAMEN har ISO9001: 2008, äger och aktier fyra moderna facories som kan ge ganska stort utbud av kvalificerade produkter för att möta olika behov hos våra kunder, och varje order måste hanteras genom vårt rigorösa kvalitetssystem. Testrapport för varje sändning, och varje wafer är garanti.
null

Fri och professionell Technology Support

Du kan få vår IT-tjänster från förfrågan till efter service baserad på våra 25+ erfarenheter inom halvledar linje.
Efter mer än 20 år av anhopning och utveckling, vårt företag har en uppenbar fördel i tekniska innovationer och talangpool.
I framtiden måste vi öka takten faktiska åtgärder för att förse kunderna med bättre produkter och tjänster

Doktor Chan - VD för Xiamen Powerway Advanced Materials Co, Ltd

Världens mest kända universitet och företag litar på oss

Partners
FRAUNHOFER
SKARP
SBIR STTR
OSRAM
KRAFTINFORMATIONER
ibm LOGO

Senaste Nyheter

Fotonik epitaxiella wafers

With the continuous evolution of optical telecommunication and opto-electronics device applications towards high speed and high performance, we are closely [...]

2023-11-30
SiC BJT Wafer *S

SiC wafer can be used to manufacture BJT (bipolar junction transistor) devices with low conduction resistance and high blocking voltage up to [...]

2023-11-28
SiC MESFET Epitaxial Wafer *S

MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) is a field-effect transistor composed of Schottky barrier gates. SiC microwave MESFET was developed between 1995 [...]

2023-11-24
4H-SiC GTO Wafer *S

Den ultrahögspänningsstyrda tyristorenheten (GTO) baserad på 4H-SiC, under inverkan av dubbelriktad bärarinjektion och konduktivitet [...]

2023-11-17
4H-SiC för akustisk resonator med hög överton (HBAR)

Hög övertons bulk akustisk resonator (HBAR) kombinerar fördelarna med ytakustisk våg (SAW) och bulk akustisk våg (BAW) resonatorer, [...]

2023-11-15
4H SiC APD Epitaxial Wafer *S

Detektering av svagt ultraviolett ljus har viktiga tillämpningsmöjligheter inom områden som brandvarning, koronadetektering och djuprymdsdetektering. [...]

2023-11-10
SiC Schottky Diode Epi Wafer

Kiselkarbidmaterial (SiC) har betydande fördelar i nyckelegenskaper som bandgapbredd och kritisk nedbrytningsfältstyrka, [...]

2023-11-08
Halvledarsensor tillverkad på SiC Epitaxial Wafer

Halvledarsensor hänvisar till en sensor gjord genom att använda olika fysikaliska, kemiska och biologiska egenskaper hos halvledarmaterial. Majoriteten [...]

2023-11-03
Vanliga frågor
Galliumarsenid wafers, P / P

Fråga: Låt oss veta om du kunde leverera under rånet, st 25/50/300. Gallium arsenid wafers, P / P 150,00 ± 0,25 mm) 6 "Diam × 650 ± 25 ^ m, VGF SI odopade GaAs: - [100-2,0 ° mot [110]] ± 0,5 °, u> 4,000cm² / Vs, Båda-sidor -polished, 1 Flat 57,5 ​​± 2,5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7 um, BOW <4 pM, Warp <10 um, TIR <6 ^ m, certifikat: obligatorisk, Sealed under kväve i enda skiva kassett A: Ja, kommer att kontrollera [ ...]

2018-09-13meta-författare
EPD för GaAs-substrat

PAM-XIAMEN can supply GaAs wafer with EPD less than 5000/cm2. Q: Could you please advise guaranteed EPD for below substrate and epi? Gallium Arsenide wafers, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI undoped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm, One-side-polished, back-side matte etched, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Resistivity >1E7 Ohm-cm, Carrier [...]

2018-09-06meta-författare
Gallium Arsenide Wafer, GaAs, VGF, Halvisolerande, odopad

Q: We would like to ask for below. (001) +/- 0.5o Orientation Semi Insulating, Undoped Resistivity ≤ 1 – 10 x 108 Ohm-cm3 EPD ≤ 5000 cm-2 1 Side Polished (Ra < 10Å), EPI Ready, Back Side Etched US Semi Standard Flats, No Laser [...]

2018-07-17meta-författare