Vilka vi är
Före 1990, vi anges ägs kondenserade materiens fysik forskningscentret. I 1990, lanserade centrum Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd (PAM-XIAMEN), är det nu en ledande tillverkare av sammansatta halvledarmaterial i Kina. PAM-XIAMEN utvecklar avancerad kristalltillväxt och epitaxi teknik, sträcker sig från den första generationen Germanium wafer, andra generationen galliumarsenid med substrat tillväxt och epitaxi på ...
varför välja oss
Bra försäljning service
25 + år Erfarenheter
tillförlitlig kvalitet
Fri och professionell Technology Support
Efter mer än 20 år av anhopning och utveckling, vårt företag har en uppenbar fördel i tekniska innovationer och talangpool.
I framtiden måste vi öka takten faktiska åtgärder för att förse kunderna med bättre produkter och tjänster
Doktor Chan - VD för Xiamen Powerway Advanced Materials Co, Ltd
Världens mest kända universitet och företag litar på oss
Senaste Nyheter
Rumstemperatur Limning av Wafers Använda Si och Ge filmer med extremt låg elektrisk ledningsförmåga
The technical potential of room temperature bonding of wafers in vacuum using amorphous Si (a-Si) and Ge (a-Ge) films [...]
temperatur InP-skikt överföring på Si låg genom helium implantation och direkt skivbindning
Helium implantation-induced layer splitting of InP in combination with direct wafer bonding was utilized to achieve low temperature layer [...]
Begynnande plasticitet i 4H-SiC under kvasistatiska nanoindentation
We are an expert of semiconductor wafers in semiconductor industry, and we offer technology support and wafers selling for thousands of univerisities and industrial customers by our decades experience, including Cornell University, Stanford Univeristy,Peking University, Shandong Univerity, university of south carolina,Caltech Faraon lab (USA）,University of California, Irvine (USA),Singapore MIT Alliance for Research and Technology Centre (SMART),West Virginia University,Purdue Univerity, University of California, Los Angeles,King Abdullah University of Science & Technology,Massachusetts Institute of Technology,University of Houston,University of Wisconsin,University of Science and Technology of China etc. And now we show one article example as follows, who [...]
Bevis för Deep Acceptorvesiklar Centers i Plant Foto I Kristaller
Vi är en expert på halvledarskivor i halvledarindustrin, och vi erbjuder teknisk hjälp och wafers säljer tusentals univerisities och industrikunder med våra årtionden erfarenhet, inklusive Cornell University, Stanford universitet, Peking University, Shandong Univerity, University of South Carolina, Caltech Faraon lab (USA), University of California, Irvine (USA), Singapore MIT Alliance för forskning och teknik (SMART), West Virginia University, Purdue Univerity, University of California, Los Angeles, kung Abdullah University of Science & Technology, Massachusetts Institute of Technology, University of Houston, University of Wisconsin, University of Science and Technology i Kina etc. och nu visar vi en artikel exempel som följer, som [...]
Karakterisering och jämförelser av kommersiellt tillgänglig kiselkarbid (SiC) effektomkopplare
We are an expert of semiconductor wafers in semiconductor industry, and we offer technology support and wafers selling for thousands of univerisities and industrial customers by our decades experience, including Cornell University, Stanford Univeristy,Peking University, Shandong Univerity, university of south carolina,Caltech Faraon lab (USA）,University of California, Irvine (USA),Singapore MIT Alliance for Research and Technology Centre (SMART),West Virginia University,Purdue Univerity, University of California, Los Angeles,King Abdullah University of Science & Technology,Massachusetts Institute of Technology,University of Houston,University of Wisconsin,University of Science and Technology of China etc. And now we show one article example as follows, who [...]
Multisite microLED optrode array för neurala gränssnitt
Vi är en expert på halvledarskivor i halvledarindustrin, och vi erbjuder teknisk hjälp och wafers säljer tusentals univerisities och industrikunder med våra årtionden erfarenhet, inklusive Cornell University, Stanford universitet, Peking University, Shandong Univerity, University of South Carolina, Caltech Faraon lab (USA), University of California, Irvine (USA), Singapore MIT Alliance för forskning och teknik (SMART), West Virginia University, Purdue Univerity, University of California, Los Angeles, kung Abdullah University of Science & Technology, Massachusetts Institute of Technology, University of Houston, University of Wisconsin, University of Science and Technology i Kina etc. och nu visar vi en artikel exempel som följer, som [...]
Nanoscale depth control of implanted shallow silicon vacancies in silicon carbide†
Vi är en expert på halvledarskivor i halvledarindustrin, och vi erbjuder teknisk hjälp och wafers säljer tusentals univerisities och industrikunder med våra årtionden erfarenhet, inklusive Cornell University, Stanford universitet, Peking University, Shandong Univerity, University of South Carolina, Caltech Faraon lab (USA), University of California, Irvine (USA), Singapore MIT Alliance för forskning och teknik (SMART), West Virginia University, Purdue Univerity, University of California, Los Angeles, kung Abdullah University of Science & Technology, Massachusetts Institute of Technology, University of Houston, University of Wisconsin, University of Science and Technology i Kina etc. och nu visar vi [...]
On-demand generation av enda kiselVakans Defekter i Silicon Carbide
Vi är en expert på halvledarskivor i halvledarindustrin, och vi erbjuder teknisk hjälp och wafers säljer tusentals univerisities och industrikunder med våra årtionden erfarenhet, inklusive Cornell University, Stanford universitet, Peking University, Shandong Univerity, University of South Carolina, Caltech Faraon lab (USA), University of California, Irvine (USA), Singapore MIT Alliance för forskning och teknik (SMART), West Virginia University, Purdue Univerity, University of California, Los Angeles, kung Abdullah University of Science & Technology, Massachusetts Institute of Technology, University of Houston, University of Wisconsin, University of Science and Technology i Kina etc. och nu visar vi en artikel exempel som följer, som [...]
Galliumarsenid wafers, P / P
Fråga: Låt oss veta om du kunde leverera under rånet, st 25/50/300. Gallium arsenid wafers, P / P 150,00 ± 0,25 mm) 6 "Diam × 650 ± 25 ^ m, VGF SI odopade GaAs: - [100-2,0 ° mot [110]] ± 0,5 °, u> 4,000cm² / Vs, Båda-sidor -polished, 1 Flat 57,5 ± 2,5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7 um, BOW <4 pM, Warp <10 um, TIR <6 ^ m, certifikat: obligatorisk, Sealed under kväve i enda skiva kassett A: Ja, kommer att kontrollera [ ...]
EPD för GaAs-substrat och epitaxiell skiva
F: Kan du råda garanterad EPD för under substrat och epi? Gallium arsenid wafers, P / E 2 "o × 380 ± 25 | im, LEC SI odopade GaAs: - [100] ± 0,5 °, n-typ Ro = (0.8E8-0.9E8) ohmcm, One-sida-polerad, back- sido matt etsas, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2μm, Resistivitet> 1E7 Ohm-cm, Carrier livstid <1PS, Sealed under kväve i enda skiva kassett. A: dislokationsdensiteten <1 × 10 ^ 6 cm-2
2 "LT-GaAs Wafer
Fråga: Vi skulle vilja köpa LT-GaAs, kan ni rekommendera specifikationer som passar för programmet? A: 2 "LT-GaAs Wafer Specifikation: diamater (mm) Ф 50,8 mm ± 1 mm Tjocklek 1-2um Marco Defect Density≤ 5 cm-2 Resistivitet (300K)> 10 ^ 8 Ohm-cm Carrier livstid <1PS eller 15ps dislokationsdensitet <1 × 10 ^ 6 cm-2 Användningsyta Surface Area≥80% Polering: Singel sida polerad substrat: GaAs-substrat