2009 års arbete

Vilka vi är

Före 1990, vi anges ägs kondenserade materiens fysik forskningscentret. I 1990, lanserade centrum Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd (PAM-XIAMEN), är det nu en ledande tillverkare av sammansatta halvledarmaterial i Kina. PAM-XIAMEN utvecklar avancerad kristalltillväxt och epitaxi teknik, sträcker sig från den första generationen Germanium wafer, andra generationen galliumarsenid med substrat tillväxt och epitaxi på ...

Läs mer ...

varför välja oss

null

Bra försäljning service

Vårt mål är att uppfylla alla dina krav, oavsett hur små beställningar och hur svårt frågor de än må vara, att upprätthålla uthållig och lönsam tillväxt för varje kund genom våra kvalificerade produkter och tillfredsställande service.
null

25 + år Erfarenheter

Med mer än 25 + års erfarenhet i förening halvledarmaterial fält och export företag, kan vårt team försäkra er om att vi kan förstå dina behov och ta itu med ditt projekt professionellt.
null

tillförlitlig kvalitet

Kvalitet är vår första prioritet. PAM-XIAMEN har ISO9001: 2008, äger och aktier fyra moderna facories som kan ge ganska stort utbud av kvalificerade produkter för att möta olika behov hos våra kunder, och varje order måste hanteras genom vårt rigorösa kvalitetssystem. Testrapport för varje sändning, och varje wafer är garanti.
null

Fri och professionell Technology Support

Du kan få vår IT-tjänster från förfrågan till efter service baserad på våra 25+ erfarenheter inom halvledar linje.
Efter mer än 20 år av anhopning och utveckling, vårt företag har en uppenbar fördel i tekniska innovationer och talangpool.
I framtiden måste vi öka takten faktiska åtgärder för att förse kunderna med bättre produkter och tjänster

Doktor Chan - VD för Xiamen Powerway Advanced Materials Co, Ltd

Världens mest kända universitet och företag litar på oss

Partners
FRAUNHOFER
SKARP
SBIR STTR
OSRAM
KRAFTINFORMATIONER
ibm LOGO

Senaste Nyheter

Studier av kiselkarbid epitaxiell teknik

With different fabrication process from the traditional ones, SiC power device cannot be directly made on single crystal SiC materials. It’s [...]

2021-02-25
Tillväxtfasett

What is the Growth Facet? In the central region of SiC {0001} wafer, the doping concentration is usually relatively high, [...]

2021-01-22
2 ″ FZ Intrinsic Si Wafer DSP

PAM XIAMEN offers 2″ FZ Intrinsic Si Wafer DSP 2″ FZ Intrinsic Si Wafer DSP 2″ FZ (100) intrinsic, DSP wafer Si [...]

2021-01-08
2 ″ FZ Intrinsic Si Wafer SSP

PAM XIAMEN offers 2″ FZ Intrinsic Si Wafer SSP 2″ FZ Intrinsic Si Wafer SSP 2″ FZ (100) intrinsic, SSP wafer Si [...]

2021-01-08
3 ″ CZ Si Lapped Wafer

PAM XIAMEN offers 3″ CZ Si Lapped Wafer   3″ CZ Si Lapped Wafer N-type Resistivity6-10Ωcm Thickness180-185um Orientation <111> Double Side Lapped SEMI Flat [...]

2021-01-06
4 ″ CZ Prime Silicon wafer-16

PAM XIAMEN offers 4″CZ Prime Silicon wafer-16 4″ CZ Silicon Wafer SSP Silicon wafers, per SEMI Prime, P/E 4″Ø×525±25μm, SEMI Flats (two), p-type Si:B[100]±0.5°, Ro=(0.001-0.002)Ohmcm, One-side-polished, [...]

2021-01-06
4 ″ CZ Prime Silicon wafer-15

PAM XIAMEN offers 4″CZ Prime Silicon wafer-15 4″ CZ Silicon Wafer Silicon wafers, per SEMI Prime, P/E 4″Ø×525±25μm, SEMI Flats (two), p-type Si:B[100]±0.5°, Ro=(0.001-0.005)Ohmcm, One-side-polished, back-side [...]

2020-12-30
2,5 ″ PBN-värmare

PAM XIAMEN offers 2.5″ PBN Heater 2.5″ PBN Heater. 1. Resistance: 22-35 ohm 2. Voltage: 180 V 3. Current: 15 A 4. Power: 2000 [...]

2020-12-30
Vanliga frågor
Galliumarsenid wafers, P / P

Fråga: Låt oss veta om du kunde leverera under rånet, st 25/50/300. Gallium arsenid wafers, P / P 150,00 ± 0,25 mm) 6 "Diam × 650 ± 25 ^ m, VGF SI odopade GaAs: - [100-2,0 ° mot [110]] ± 0,5 °, u> 4,000cm² / Vs, Båda-sidor -polished, 1 Flat 57,5 ​​± 2,5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7 um, BOW <4 pM, Warp <10 um, TIR <6 ^ m, certifikat: obligatorisk, Sealed under kväve i enda skiva kassett A: Ja, kommer att kontrollera [ ...]

2018-09-13meta-författare
EPD för GaAs-substrat och epitaxiell skiva

F: Kan du råda garanterad EPD för under substrat och epi? Gallium arsenid wafers, P / E 2 "o × 380 ± 25 | im, LEC SI odopade GaAs: - [100] ± 0,5 °, n-typ Ro = (0.8E8-0.9E8) ohmcm, One-sida-polerad, back- sido matt etsas, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2μm, Resistivitet> 1E7 Ohm-cm, Carrier livstid <1PS, Sealed under kväve i enda skiva kassett. A: dislokationsdensiteten <1 × 10 ^ 6 cm-2

2018-09-06meta-författare
2 "LT-GaAs Wafer

Fråga: Vi skulle vilja köpa LT-GaAs, kan ni rekommendera specifikationer som passar för programmet? A: 2 "LT-GaAs Wafer Specifikation: diamater (mm) Ф 50,8 mm ± 1 mm Tjocklek 1-2um Marco Defect Density≤ 5 cm-2 Resistivitet (300K)> 10 ^ 8 Ohm-cm Carrier livstid <1PS eller 15ps dislokationsdensitet <1 × 10 ^ 6 cm-2 Användningsyta Surface Area≥80% Polering: Singel sida polerad substrat: GaAs-substrat

2018-07-25meta-författare