2009 års arbete

Vilka vi är

Före 1990, vi anges ägs kondenserade materiens fysik forskningscentret. I 1990, lanserade centrum Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd (PAM-XIAMEN), är det nu en ledande tillverkare av sammansatta halvledarmaterial i Kina. PAM-XIAMEN utvecklar avancerad kristalltillväxt och epitaxi teknik, sträcker sig från den första generationen Germanium wafer, andra generationen galliumarsenid med substrat tillväxt och epitaxi på ...

Läs mer ...

varför välja oss

null

Bra försäljning service

Vårt mål är att uppfylla alla dina krav, oavsett hur små beställningar och hur svårt frågor de än må vara, att upprätthålla uthållig och lönsam tillväxt för varje kund genom våra kvalificerade produkter och tillfredsställande service.
null

25 + år Erfarenheter

Med mer än 25 + års erfarenhet i förening halvledarmaterial fält och export företag, kan vårt team försäkra er om att vi kan förstå dina behov och ta itu med ditt projekt professionellt.
null

tillförlitlig kvalitet

Kvalitet är vår första prioritet. PAM-XIAMEN har ISO9001: 2008, äger och aktier fyra moderna facories som kan ge ganska stort utbud av kvalificerade produkter för att möta olika behov hos våra kunder, och varje order måste hanteras genom vårt rigorösa kvalitetssystem. Testrapport för varje sändning, och varje wafer är garanti.
null

Fri och professionell Technology Support

Du kan få vår IT-tjänster från förfrågan till efter service baserad på våra 25+ erfarenheter inom halvledar linje.
Efter mer än 20 år av anhopning och utveckling, vårt företag har en uppenbar fördel i tekniska innovationer och talangpool.
I framtiden måste vi öka takten faktiska åtgärder för att förse kunderna med bättre produkter och tjänster

Doktor Chan - VD för Xiamen Powerway Advanced Materials Co, Ltd

Världens mest kända universitet och företag litar på oss

Partners
FRAUNHOFER
SKARP
SBIR STTR
OSRAM
KRAFTINFORMATIONER
ibm LOGO

Senaste Nyheter

Studie om effekten av varmglödgning på egenskaperna hos ScxAl1-xN tunna filmer

AlN thin film, as a piezoelectric material with a wurtzite structure, has attracted much attention due to its excellent [...]

2024-04-24
Teoretisk studie om vakanser nära ytan i 3C-SiC

Silicon carbide (SiC) is a hot research material in the field of quantum information technology. For example, defect vacancies [...]

2024-04-23
Studie om en allmän metod för polering av SiC-skivor till atomär nivå

Silicon carbide (SiC) is crucial for the growth of graphene as a substrate material for epitaxial graphene. PAM-XIAMEN can [...]

2024-04-22
Forskning om kompensationseffekt i Al-dopad P-Type 4H-SiC av PVT

PAM-XIAMEN kan förse dig med P-typ SiC-substrat, mer specifikationer se: https://www.powerwaywafer.com/p-type-silicon-carbide-substrate-and-igbt-devices.html. SiC enkristall har [...]

2024-04-19
Studie på AlN Single Crystal Grown on AlN Seed Crystal

Enkristall AlN-substrat kan förses med specifikationer som finns i https://www.powerwaywafer.com/aln-substrate.html. AlN enkristall är den direkta bandgap-halvledaren [...]

2024-04-18
4H-SiC PVT-tillväxt: Uppnå kristallstrukturens tillväxtstabilitet

PAM-XIAMEN kan förse dig med 4H-SiC wafers som passar dina krav, specifikationer som finns i https://www.powerwaywafer.com/sic-wafer/sic-wafer-substrate.html. Styrningen av en enkristall [...]

2024-04-17
Effekt av kvävedopning på Czochralski monokristallint kisel

PAM-XIAMEN kan leverera kväve (N)-dopade kiselwafers, specifikationer se: https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer. Dopningen av kväve som en [...]

2024-04-16
Studie om dopningsmedel och kompensation av AlN

PAM-XIAMEN kan leverera AlN enkristallsubstrat, ytterligare specifikation se https://www.powerwaywafer.com/aln-substrate.html. De huvudsakliga n-typ AlN-kandidatdopämnena är [...]

2024-04-15
Vanliga frågor
Galliumarsenid wafers, P / P

Fråga: Låt oss veta om du kunde leverera under rånet, st 25/50/300. Gallium arsenid wafers, P / P 150,00 ± 0,25 mm) 6 "Diam × 650 ± 25 ^ m, VGF SI odopade GaAs: - [100-2,0 ° mot [110]] ± 0,5 °, u> 4,000cm² / Vs, Båda-sidor -polished, 1 Flat 57,5 ​​± 2,5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7 um, BOW <4 pM, Warp <10 um, TIR <6 ^ m, certifikat: obligatorisk, Sealed under kväve i enda skiva kassett A: Ja, kommer att kontrollera [ ...]

2018-09-13meta-författare
EPD för GaAs-substrat

PAM-XIAMEN kan leverera GaAs wafer med EPD mindre än 5000/cm2. F: Kan du rekommendera garanterad EPD för nedanstående substrat och epi? Galliumarsenidskivor, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI c-dopad GaAs:-[100]±0,5°, n-typ Ro=(0,8E8-0,9E8)Ohmcm, Ensidigt polerad, baksida -sida matt etsad, 2 plattor, LT-GaAs EPI: 1-2µm, resistivitet >1E7 Ohm-cm, [...]

2018-09-06meta-författare
Gallium Arsenide Wafer, GaAs, VGF, Halvisolerande, odopad

F: Vi skulle vilja fråga efter nedan. (001) +/- 0,5o Orientering Halvisolerande, C-dopad Resistivitet ≤ 1 – 10 x 108 Ohm-cm3 EPD ≤ 5000 cm-2 1 Sida polerad (Ra < 10Å), EPI Ready, Back Side Etched US Semi Standard Flats, Nej [...]

2018-07-17meta-författare