2009 yr work

Vilka vi är

Före 1990, vi anges ägs kondenserade materiens fysik forskningscentret. I 1990, lanserade centrum Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd (PAM-XIAMEN), är det nu en ledande tillverkare av sammansatta halvledarmaterial i Kina. PAM-XIAMEN utvecklar avancerad kristalltillväxt och epitaxi teknik, sträcker sig från den första generationen Germanium wafer, andra generationen galliumarsenid med substrat tillväxt och epitaxi på ...

Läs mer ...

varför välja oss

null

Bra försäljning service

Vårt mål är att uppfylla alla dina krav, oavsett hur små beställningar och hur svårt frågor de än må vara, att upprätthålla uthållig och lönsam tillväxt för varje kund genom våra kvalificerade produkter och tillfredsställande service.
null

25 + år Erfarenheter

Med mer än 25 + års erfarenhet i förening halvledarmaterial fält och export företag, kan vårt team försäkra er om att vi kan förstå dina behov och ta itu med ditt projekt professionellt.
null

tillförlitlig kvalitet

Kvalitet är vår första prioritet. PAM-XIAMEN har ISO9001: 2008, äger och aktier fyra moderna facories som kan ge ganska stort utbud av kvalificerade produkter för att möta olika behov hos våra kunder, och varje order måste hanteras genom vårt rigorösa kvalitetssystem. Testrapport för varje sändning, och varje wafer är garanti.
null

Fri och professionell Technology Support

Du kan få vår IT-tjänster från förfrågan till efter service baserad på våra 25+ erfarenheter inom halvledar linje.
Efter mer än 20 år av anhopning och utveckling, vårt företag har en uppenbar fördel i tekniska innovationer och talangpool.
I framtiden måste vi öka takten faktiska åtgärder för att förse kunderna med bättre produkter och tjänster

Doktor Chan - VD för Xiamen Powerway Advanced Materials Co, Ltd

Världens mest kända universitet och företag litar på oss

Partners
FRAUNHOFER
SHARP
SBIR STTR
OSRAM
POWER INTEGRATIONS
ibm LOGO

Senaste Nyheter

Överföring av glasskivan

Överföring av glasskiva Olika glasskivmaterial har olika överföringar. Slutanvändaren bör kontrollera deras detaljapplikation och [...]

2020-06-18
1470 / 1550nm högeffektiv laserchip

1470 / 1550nm High Power Laser Single Chip PAM XIAMEN erbjuder 1470 / 1550nm lasereffekt med hög effekt som [...]

2020-06-17
6 ″ CZ Prime Silicon Wafer-3

PAM XIAMEN erbjuder 6 ″ CZ Prime Silicon Wafer-3 6 ″ Silicon Wafer CZ, <111>, tjocklek 1,0 mm, resistivitet av p-typ 1-80ohm.cm, varp <50 um, enkel sida polerad För mer information, skicka oss e-post på sales@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com

2020-06-15
8 ″ CZ Prime Silicon Wafer-1

PAM XIAMEN erbjuder 8 ″ CZ Prime Silicon Wafer-1 8 ″ Silicon Wafer Orientation <100> Tjocklek 380 ± 25μm SEMI Notch P-typ Resistivitet 1-10Ωcm Dubbelsidolja För mer information, skicka oss e-post på sales@powerwaywafer.com och powerwaymaterial @ gmail.com

2020-06-15
2 ″ FZ Si-skiva med SSP

PAM XIAMEN erbjuder 2 ″ FZ Si-skiva med SSP 2 ″ Undoped Silicon Wafer Diameter: 50.8mm Tjocklek: 300um Polerad: Enkel sida Polerad Orientering: <100> Resistivitet> 10.000Ωcm För mer information, skicka oss e-post på sales@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com

2020-06-15
6 ″ CZ Si Wafer

PAM XIAMEN erbjuder 6 ″ CZ Si Wafer Wafer Si CZ (100) Dia 6 ”x Tjocklek 675 um Typ dopad B Resistivitet 1-20 ohm.cm Med [...]

2020-06-15
4 ″ CZ Prime Silicon wafer-14

PAM XIAMEN erbjuder 4 ″ CZ Prime Silicon wafer-14 Silicon wafer dia 4 tum tjocklek 500 um P-bor dopad eller N dopad resistivitet 1-10 ohm cm orientering 100 För mer information, skicka oss e-post till sales@powerwaywafer.com och powerwaymaterial @ gmail.com

2020-06-12
2 ″ CZ Prime Silicon Wafer-3

PAM XIAMEN erbjuder 2 ″ CZ Prime Silicon Wafer-3 Silicon wafer dia 2 tum tjocklek 280 um P-typ av bor dopad eller N dopad resistivitet - 1-10 ohm cm orientering-100 För mer information, skicka oss e-post på sales@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com

2020-06-12
FAQs
Galliumarsenid wafers, P / P

Fråga: Låt oss veta om du kunde leverera under rånet, st 25/50/300. Gallium arsenid wafers, P / P 150,00 ± 0,25 mm) 6 "Diam × 650 ± 25 ^ m, VGF SI odopade GaAs: - [100-2,0 ° mot [110]] ± 0,5 °, u> 4,000cm² / Vs, Båda-sidor -polished, 1 Flat 57,5 ​​± 2,5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7 um, BOW <4 pM, Warp <10 um, TIR <6 ^ m, certifikat: obligatorisk, Sealed under kväve i enda skiva kassett A: Ja, kommer att kontrollera [ ...]

2018-09-13meta-författare
EPD för GaAs-substrat och epitaxiell skiva

F: Kan du råda garanterad EPD för under substrat och epi? Gallium arsenid wafers, P / E 2 "o × 380 ± 25 | im, LEC SI odopade GaAs: - [100] ± 0,5 °, n-typ Ro = (0.8E8-0.9E8) ohmcm, One-sida-polerad, back- sido matt etsas, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2μm, Resistivitet> 1E7 Ohm-cm, Carrier livstid <1PS, Sealed under kväve i enda skiva kassett. A: dislokationsdensiteten <1 × 10 ^ 6 cm-2

2018-09-06meta-författare
2 "LT-GaAs Wafer

Fråga: Vi skulle vilja köpa LT-GaAs, kan ni rekommendera specifikationer som passar för programmet? A: 2 "LT-GaAs Wafer Specifikation: diamater (mm) Ф 50,8 mm ± 1 mm Tjocklek 1-2um Marco Defect Density≤ 5 cm-2 Resistivitet (300K)> 10 ^ 8 Ohm-cm Carrier livstid <1PS eller 15ps dislokationsdensitet <1 × 10 ^ 6 cm-2 Användningsyta Surface Area≥80% Polering: Singel sida polerad substrat: GaAs-substrat

2018-07-25meta-författare