2009 års arbete

Vilka vi är

Före 1990, vi anges ägs kondenserade materiens fysik forskningscentret. I 1990, lanserade centrum Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd (PAM-XIAMEN), är det nu en ledande tillverkare av sammansatta halvledarmaterial i Kina. PAM-XIAMEN utvecklar avancerad kristalltillväxt och epitaxi teknik, sträcker sig från den första generationen Germanium wafer, andra generationen galliumarsenid med substrat tillväxt och epitaxi på ...

Läs mer ...

varför välja oss

null

Bra försäljning service

Vårt mål är att uppfylla alla dina krav, oavsett hur små beställningar och hur svårt frågor de än må vara, att upprätthålla uthållig och lönsam tillväxt för varje kund genom våra kvalificerade produkter och tillfredsställande service.
null

25 + år Erfarenheter

Med mer än 25 + års erfarenhet i förening halvledarmaterial fält och export företag, kan vårt team försäkra er om att vi kan förstå dina behov och ta itu med ditt projekt professionellt.
null

tillförlitlig kvalitet

Kvalitet är vår första prioritet. PAM-XIAMEN har ISO9001: 2008, äger och aktier fyra moderna facories som kan ge ganska stort utbud av kvalificerade produkter för att möta olika behov hos våra kunder, och varje order måste hanteras genom vårt rigorösa kvalitetssystem. Testrapport för varje sändning, och varje wafer är garanti.
null

Fri och professionell Technology Support

Du kan få vår IT-tjänster från förfrågan till efter service baserad på våra 25+ erfarenheter inom halvledar linje.
Efter mer än 20 år av anhopning och utveckling, vårt företag har en uppenbar fördel i tekniska innovationer och talangpool.
I framtiden måste vi öka takten faktiska åtgärder för att förse kunderna med bättre produkter och tjänster

Doktor Chan - VD för Xiamen Powerway Advanced Materials Co, Ltd

Världens mest kända universitet och företag litar på oss

Partners
FRAUNHOFER
SKARP
SBIR STTR
OSRAM
KRAFTINFORMATIONER
ibm LOGO

Senaste Nyheter

Diamantfönster tomt i optisk kvalitet

Industrial diamond window blanks with optical transmissivity for IR-applications are commercially available. The applicable wavelengths of current diamond optical [...]

2021-10-19
Metallavsättning på Silicon Wafer

Silicon wafers with various metal depositions are for sale in sizes from 2 inch to 12 inch. Metal deposition [...]

2021-10-13
Germanium (Ge) Ingot

Monocrystalline Germanium (Ge) ingot is provided with P type by PAM-XIAMEN. Germanium crystal does not contain large-angle grain boundaries [...]

2021-10-08
Germanium (Ge) -fönster

Germanium (Ge) window is provided for infrared (IR) transmission. Ge window is not transparent for visible lingt and UV [...]

2021-09-18
InAs Quantum Dot -lager på InP -substrat

The typical structure of InAs quantum dot (QD) layers on InP substrate is available with wavelength of 1.55um for [...]

2021-09-17
GaN på SiC -substrat

GaN template with single side polished and atomic step is available, which is grown on 4H or 6H SiC [...]

2021-09-16
InSb Magnetoresistance (MR) sensor

Indium antimonide (InSb) thin film magnetoresistor, which is the core sensitive element of magnetoresistance (MR) sensor, is provided from [...]

2021-09-14
Silver nanopulver

Silver nanopowder for sale is typically by laser evaporation in vacuum or in a small pressure of gas to [...]

2021-09-10
Vanliga frågor
Galliumarsenid wafers, P / P

Fråga: Låt oss veta om du kunde leverera under rånet, st 25/50/300. Gallium arsenid wafers, P / P 150,00 ± 0,25 mm) 6 "Diam × 650 ± 25 ^ m, VGF SI odopade GaAs: - [100-2,0 ° mot [110]] ± 0,5 °, u> 4,000cm² / Vs, Båda-sidor -polished, 1 Flat 57,5 ​​± 2,5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7 um, BOW <4 pM, Warp <10 um, TIR <6 ^ m, certifikat: obligatorisk, Sealed under kväve i enda skiva kassett A: Ja, kommer att kontrollera [ ...]

2018-09-13meta-författare
EPD för GaAs-substrat och epitaxiell skiva

F: Kan du råda garanterad EPD för under substrat och epi? Gallium arsenid wafers, P / E 2 "o × 380 ± 25 | im, LEC SI odopade GaAs: - [100] ± 0,5 °, n-typ Ro = (0.8E8-0.9E8) ohmcm, One-sida-polerad, back- sido matt etsas, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2μm, Resistivitet> 1E7 Ohm-cm, Carrier livstid <1PS, Sealed under kväve i enda skiva kassett. A: dislokationsdensiteten <1 × 10 ^ 6 cm-2

2018-09-06meta-författare
Gallium Arsenide Wafer, GaAs, VGF, Semi Insulating, Undoped

Q: We would like to ask for below. (001) +/- 0.5o Orientation Semi Insulating, Undoped Resistivity ≤ 1 – 10 x 108 Ohm-cm3 EPD ≤ 5000 cm-2 1 Side Polished (Ra < 10Å), EPI Ready, Back Side Etched US Semi Standard Flats, No Laser [...]

2018-07-17meta-författare