Som leverandør af halvlederwafere leveres siliciumwafers fra FZ eller CZ i førsteklasses kvalitet, testkvalitet og så videre. Flere wafer specifikationer, se venligsthttps://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer. Efterbehandlingen af ​​siliciumkrystallen fra PAM-XIAMEN introduceres nedenfor.

Efter at siliciumkrystallen er dyrket, er hele waferproduktionen kun halvvejs igennem. Dernæst skal krystallen skæres og testes. Krystalstangen med hoved og hale afskåret vil gennemgå en række behandlinger, såsom slibning og udskæring af yderdiameter.

1. Siliciumkrystalskæring

I lang tid har skiveskæring brugt en sav med indvendig diameter. Savklingen er en ringformet tynd klinge, og kanten med indvendig diameter er indlagt med diamantpartikler. Undgå brud forårsaget af, at klingen forlader barren under det sidste afskæringstrin.

Wafer udskæring

Tykkelsen, buen og kæden af ​​den skivede wafer er nøglepunkterne i proceskontrol.

Ud over selve skæremaskinens stabilitet og design, har de faktorer, der påvirker kvaliteten af ​​waferen, stor indflydelse på savklingens spænding og opretholdelsen af ​​diamantens skarphed.

2. Kantafrunding af siliciumwafer i tern

Kanten af ​​den netop udskårne wafer er en skarp ret vinkel vinkelret på skæreplanet. På grund af silicium-enkeltkrystals hårde og sprøde materialeegenskaber knækkes denne vinkel let, hvilket ikke kun påvirker waferens styrke, men også er en kilde til forureningspartikler i processen. I den efterfølgende halvlederfremstilling påvirker den ubehandlede waferkant også tykkelsen af ​​den optiske gruppe og det epitaksiale lag, og kantformen og den ydre diameter af den udskårne wafer trimmes automatisk af en numerisk computermaskine.

Det nødvendige udstyr er dog dyrt, og det tekniske niveau er højt. Medmindre det kræves af kunden, vil denne proces ikke blive udført.

Wafer Kant afrunding

3. Lapping af siliciumwafer

Formålet med lapping er at fjerne savmærker eller overfladeskader forårsaget af terninger eller hjulslibning, og samtidig bringe waferoverfladen til en planhed, der kan poleres.

Wafer Lapping

4. Ætsning af siliciumwafer

After the above-mentioned processing process, a damaged layer is formed on the surface of the silicon wafer due to processing stress, which must be removed by chemical etching before polishing. The etching solution can be divided into two types: acidic and alkaline.

Wafer Etching

5. Silicon Wafer Gettering

The flaws and defects on the wafer are felt in the lower half layer by sandblasting to facilitate the subsequent IC process.

6. Silicon Wafer Surface Polishing

Surface polishing is the last step in wafer processing. It removes about 10-20 microns of wafer surface thickness. The purpose is to improve the micro-defects left in the previous process, and achieve the optimization of local flatness to meet the requirements of IC process. Basically, this process is a chemical-mechanical reaction mechanism. The top layer of the wafer is corroded by NaOH, KOH, and NH4OH in the abrasive, and the power source of corrosion is provided by mechanical friction.

Wafer Polishing

7. Wafer Cleaning

After polishing, the silicon wafers are physically and chemically cleaned with ultrapure water and chemicals, respectively.

Wafer Cleaning

8. Wafer Inspection

Wafer flatness and graininess are key influencing factors in integrated circuit devices. Therefore, the flatness and particle size of each silicon wafer need to be checked by specially designed instruments to ensure the wafer quality.

Wafer Inspection

9. Wafer Packaging

Inspicerede siliciumwafers fyldes i ultra-rene skibsklare kassetter og vakuumforsegles i specielle fugttætte poser.

Wafer emballage

For mere information, kontakt os venligst e-mail på victorchan@powerwaywafer.com og powerwaymaterial@gmail.com.