Silicon-based devices are approaching physical limits, and compound semiconductors have broad prospects. Meanwhile, in some high-power, high-voltage, high-frequency, and high-temperature applications (such as new energy and 5G communications), the performance of silicon-based devices has gradually failed to meet the requirements. Due to the excellent performance of compound semiconductors represented by SiC wafer, the compound semiconductors are gradually being used for large-scale commercial use in the fields of communication radio frequency, optical communication, and power electronics. PAM-XIAMEN can offer SiC substrate. For SiC wafer market forecast, please refer to the diagram of SiC wafer demand in global market:

Fig. 1 Efterfrågan på SiC-skivor 2017-2025 (tio tusen stycken)

Det kan ses från figur 2 att SiC-material kommer att vara en viktig grund för SiC- och GaN-enheter inom området för ny energi och 5G-kommunikation i framtiden.

Fig. 2 SiC Wafer produktionslinje

1. SiC Wafer Market i 5G-kommunikation

För 5G-kommunikation används GaN-on-SiC främst inom radiofrekvensfältet, främst på grund av den höga värmeledningsförmågan och låga RF-förlusten av SiC-substrat, vilket är lämpligt för makrobasstationer med hög effekt. Enligt Yole förväntas marknaden för GaN-radiofrekvensenheter inom kommunikationsinfrastruktur nå 731 miljoner USD 2025, och den sammansatta tillväxttakten från 2019 till 2025 kommer att nå 14,88%. Den totala marknadsstorleken kommer att nå 2 miljarder US-dollar 2025, och den sammansatta tillväxttakten från 2019 till 2025 kommer att nå 12%. Därför fortsätter efterfrågan på SiC-wafermarknaden att öka. Mer om den globala SiC-wafermarknaden specifikt ur perspektivet av ny energi:

2. Ny energi driver marknadsutvecklingen för kiselkarbidwafer

2.1 SiC Power Devices för nya energifordon

Marknadsandelen för SiC-wafer kommer att växa inom det nya energiområdet. Vi kan se från figur 3 att nya energifordon växer snabbt, vilket driver den snabba expansionen av efterfrågan på krafthalvledarmarknaden, och kraftenheter tillverkade av 4H kiselkarbidsubstrat kan komma med stora möjligheter.

Fig. 3-1 Framtida tillväxttakt för nya energifordon

Fig.3-2 Komponenter för elfordonstillämpningar

Under förhållanden med samma effektnivå kan användningen av enheter på enkristall-SiC-substrat minska volymen av elektriska enheter och elektroniska kontroller för att möta behoven av högre effekttäthet och mer kompakt design, vilket gör det möjligt för elfordon att ha en längre räckvidd .

2.2 Solcellsgenerering baserad på SiC Power Device

I framtiden kommer solcellsproduktion att vara huvudriktningen för global utveckling av ny energi, och den nyinstallerade kapaciteten kommer att fortsätta att öka. Växelriktare är en oumbärlig del av fotovoltaisk kraft och är en av nycklarna till effektiv och snabb penetration av fotovoltaisk kraftgenerering. Fotovoltaiska växelriktare som använder SiC-MOSFET eller kraftmoduler i kombination med SiC-MOSFET och SiC-SBD kan öka omvandlingseffektiviteten från 96 % till mer än 99 %, vilket resulterar i en minskning av energiförlusten på över 50 %.

Fig. 4 Prognos för marknadsföring av SiC-enheter i solcellsenheter

På det hela taget, med miniatyriseringen av enheter och kraven på effektivitetsförbättring, kan kraftelektroniska enheter gjorda av sammansatta halvledare täcka fält med hög effekt, hög frekvens och full kontroll. Som ett resultat är uppkomsten av kiselkarbidsubstrat i linje med trenden med framtida förbättringar av energieffektiviteten. I framtiden kommer kiselkarbidskivans marknadsstorlek att fortsätta att expandera inom områdena PFC-kraftförsörjning, solceller, rena el- och hybridfordon, avbrottsfri strömförsörjning (UPS), motordrift, vindkraftsproduktion och järnvägstransport. Därför SiC wafer marknaden leverantörer, inklusivePAM-XIAMEN, bör öka investeringarna i produktionskapacitet för att möta framtida efterfrågan.

För mer information, kontakta oss via e-post på victorchan@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com.