Med utvecklingen av miniatyrisering och enkelchipsenheter är integrationen av aktiva och passiva kretsar trenden. Konventionella filter har blivit flaskhalsen för miniatyrisering och single-chip av mikrovågs- och millimetervågenheter på grund av deras stora storlek (särskilt i millimetervågfrekvensbandet), och endast chipbaserade filter kan lösa detta problem. När det gäller nya processer och teknologier för chipbaserade filter har mikrotillverkningsteknik baserad på kiselwafers fördelar som hög noggrannhet, låg kostnad och lämplighet för massproduktion. Kiselfiltret som uppnås genom dess bearbetningsmetoder har uppenbara fördelar i millimetervågsfrekvensbandet, såsom högt Q-värde, låg förlust, liten storlek och låg kostnad. Kiselfilter kan också vara kompatibla med konventionella processer för en integrerad mikrovågskrets (MMIC). De har inte bara blivit utvecklingstrenden för olika elektroniska enheter, utan också ett utmärkt sätt att lösa det chipbaserade problemet med millimetervågsfilter. PAM-XIAMEN kan leverera silikonsubstrat för filter, ta följande specifikation till exempel:
1. Substratspecifikationer för silikonfilter
Besök gärna webbplatsen:https://www.powerwaywafer.com/silikon-wafer för att välja den specifikation du behöver.
För närvarande är integrerade mikrovågsfotoniska filter huvudsakligen implementerade på tre materialplattformar: InP, kisel och kiselnitrid (Si3N4). Processutvecklingen av InP-baserade plattformar är den mest mogna, som samtidigt kan förbereda aktiva enheter (lasrar, modulatorer, optiska förstärkare och detektorer) och passiva enheter (optiska vågledare), men det finns problem som höga förluster (1,5-3dB/ cm), komplexa processer, höga kostnader och inkompatibilitet med CMOS-processer. Kiselbaserade och kiselnitridbaserade materialplattformar kan använda befintliga mogna mikroelektroniska integrationsprocesser för enhetsförberedelser, med låg vågledartransmissionsförlust (Si: 0,1~2dB/cm; Si3N4: 0,01~0,2dB/cm), låg förberedelsekostnad, enkel massproduktion , och god kompatibilitet med CMOS standardprocesser. De har potential för enkelchipsintegration med drivkretsar.
2. Om Filter på Silicon Subtrate
Silikonfilter är den viktiga komponenten i RF-system, och dess prestanda påverkar direkt kvaliteten på signalkommunikationen. På grund av behovet av att ta emot signaler från olika frekvensband i RF-fronten behöver störningarna mellan signaler lösas med filter, som används i både sändnings- och mottagningskanaler. Därför är det en kärnkomponent i RF-systemet och påverkar direkt kommunikationskvaliteten för signaler i olika frekvensband. Det används ofta i basstationer och terminalutrustning.
Signalstyrkan som passerar av filtret varierar vid olika frekvenser, och filtreringskurvan kan ritas för att mäta filtrets prestanda. Nyckelindikatorerna inkluderar:
Kvalitetsfaktor: definieras som mittfrekvensen dividerad med filterbandbredden, mäter filtrets förmåga att separera intilliggande frekvenskomponenter i signalen. Ju högre Q-värde, desto smalare passbandsbredd och desto bättre filtreringseffekt;
Bandbredd: Generellt är det en 3dB bandbredd, vilket hänvisar till bandbredden där signalförlusten är inom 50 %. Den beskriver frekvensområdet för signalen som kan passera genom filtret och återspeglar filtrets frekvensval;
Insättningsförlust: Avser dämpningen som orsakas av införandet av filter på den ursprungliga signalen i kretsen, uttryckt i dB. Ju större insättningsförlusten är, desto större är dämpningsgraden;
Out Band Rejection: En viktig indikator för att mäta prestanda för filterval. Ju högre indikator, desto bättre dämpning av störningssignaler utanför bandet;
Fördröjningstid: Den tid som krävs för att signalen ska passera genom filtret.
För mer information, vänligen kontakta oss maila påvictorchan@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com.