Mit der Entwicklung von Miniaturisierungs- und Single-Chip-Geräten liegt der Trend in der Integration aktiver und passiver Schaltkreise. Herkömmliche Filter sind aufgrund ihrer Größe (insbesondere im Millimeterwellen-Frequenzband) zum Flaschenhals für die Miniaturisierung und Einzelchip-Technologie von Mikrowellen- und Millimeterwellengeräten geworden, und nur Chip-basierte Filter können dieses Problem lösen. Im Hinblick auf neue Prozesse und Technologien für Chip-basierte Filter bietet die auf Siliziumwafern basierende Mikrofabrikationstechnologie Vorteile wie hohe Genauigkeit, niedrige Kosten und Eignung für die Massenproduktion. Der durch seine Verarbeitungsmethoden erzielte Siliziumfilter weist im Millimeterwellen-Frequenzband offensichtliche Vorteile auf, wie z. B. einen hohen Q-Wert, geringen Verlust, geringe Größe und niedrige Kosten. Siliziumfilter können auch mit herkömmlichen MMIC-Prozessen (Single Chip Microwave Integrated Circuit) kompatibel sein. Sie sind nicht nur zum Entwicklungstrend verschiedener elektronischer Geräte geworden, sondern auch ein hervorragendes Mittel zur Lösung des chipbasierten Problems der Millimeterwellenfilter. PAM-XIAMEN kann Siliziumsubstrate für Filter liefern. Nehmen Sie zum Beispiel die folgende Spezifikation:
1. Substratspezifikationen für Siliziumfilter
Bitte besuchen Sie die Website:https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer um die von Ihnen benötigte Spezifikation auszuwählen.
Derzeit werden integrierte photonische Mikrowellenfilter hauptsächlich auf drei Materialplattformen implementiert: InP, Silizium und Siliziumnitrid (Si3N4). Am ausgereiftesten ist die Prozessentwicklung von InP-basierten Plattformen, die gleichzeitig aktive Geräte (Laser, Modulatoren, optische Verstärker und Detektoren) und passive Geräte (optische Wellenleiter) vorbereiten können, es gibt jedoch Probleme wie hohe Verluste (1,5–3 dB/ cm), komplexe Prozesse, hohe Kosten und Inkompatibilität mit CMOS-Prozessen. Materialplattformen auf Silizium- und Siliziumnitridbasis können bestehende ausgereifte mikroelektronische Integrationsprozesse für die Gerätevorbereitung nutzen, mit geringem Wellenleiter-Übertragungsverlust (Si: 0,1–2 dB/cm; Si3N4: 0,01–0,2 dB/cm), niedrigen Vorbereitungskosten und einfacher Massenproduktion und gute Kompatibilität mit CMOS-Standardprozessen. Sie haben das Potenzial für die Ein-Chip-Integration mit Ansteuerschaltungen.
2. Über Filter auf Siliziumsubstrat
Der Siliziumfilter ist eine wichtige Komponente in HF-Systemen und seine Leistung wirkt sich direkt auf die Qualität der Signalkommunikation aus. Aufgrund der Notwendigkeit, Signale aus verschiedenen Frequenzbändern im HF-Frontend zu empfangen, müssen die Interferenzen zwischen Signalen durch Filter gelöst werden, die sowohl in Sende- als auch in Empfangskanälen verwendet werden. Daher ist es eine Kernkomponente des HF-Systems und beeinflusst direkt die Kommunikationsqualität von Signalen in verschiedenen Frequenzbändern. Es wird häufig in Basisstationen und Endgeräten verwendet.
Die vom Filter durchgelassene Signalstärke variiert bei verschiedenen Frequenzen, und die Filterkurve kann gezeichnet werden, um die Leistung des Filters zu messen. Zu den Schlüsselindikatoren gehören:
Qualitätsfaktor: Definiert als Mittenfrequenz dividiert durch die Filterbandbreite, misst die Fähigkeit des Filters, benachbarte Frequenzkomponenten im Signal zu trennen. Je höher der Q-Wert, desto schmaler die Durchlassbandbreite und desto besser die Filterwirkung;
Bandbreite: Im Allgemeinen handelt es sich um eine Bandbreite von 3 dB, was sich auf die Bandbreite bezieht, bei der der Signalverlust innerhalb von 50 % liegt. Es beschreibt den Frequenzbereich des Signals, der den Filter passieren kann, und spiegelt die Frequenzauswahl des Filters wider;
Einfügedämpfung: Bezieht sich auf die Dämpfung, die durch die Einführung von Filtern auf das Originalsignal in der Schaltung verursacht wird, ausgedrückt in dB. Je größer die Einfügungsdämpfung ist, desto größer ist der Dämpfungsgrad.
Out-Band-Rejection: Ein wichtiger Indikator zur Messung der Leistung der Filterauswahl. Je höher der Indikator, desto besser ist die Unterdrückung von Out-of-Band-Störsignalen;
Verzögerungszeit: Die Zeit, die das Signal benötigt, um den Filter zu passieren.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.