För singelfotondetektionsteknik, förutom den traditionella InP/InGaAs SPAD, har nya materialsystem såsom lågbrusmaterialsystem konstruerade av Sb-baserade digitala legeringar, multiplikation InP/InGaAs SPAD med joniseringsteknik och InAlAs/InGaAs SPAD också blivit tagit fram. PAM-XIAMEN kan tillhandahålla InP-baserad InGaAs / InAlAs epitaxial wafer för singelfotondetektor, med den specifika strukturen enligt följande:
1. MOCVD Grown InP-baserade heteroepitaxiella wafers för singelfotondetektor
PAM210918 – SPDE
No.1 2-tums SPD Heteroepitaxial Wafer
| Lager nr. | Material | Tjocklek (nm) | dopningsmedel | Dopingnivå (cm-3) |
| 8 | xGa1-xSom | – | – | – |
| 7 | 0.52al0.48Som | – | – | – |
| 6 | xGa1-xSom | 50±3 | – | – |
| 5 | I P | – | – | – |
| 4 | I P | – | – | 6*1016±0,3*1016 |
| 3 | InGaAlAs (gradient i kemisk sammansättning från InxGa1-xVad gäller InP: >3 steg) | – | – | – |
| 2 | xGa1-xSom | – | Si | – |
| 1 | I P | – | – | – |
| 0 | InP-substrat | 350±25um | S | – |
No.2 3-tums InP-baserad Epi-Structure för SPD
| Lager nr. | Material | Tjocklek (nm) | dopningsmedel | Dopingnivå (cm-3) |
| 8 | xGa1-xSom | – | – | 1,5*1019±0,1*1019 |
| 7 | 0.52al0.48Som | – | – | – |
| 6 | InAlGaAs (numerisk gradient i kemisk sammansättning från InxGa1-xVad gäller In0.52al0.48Som: > 13 steg) | – | – | – |
| 5 | xGa1-xSom | 1700±50 | – | – |
| 4 | InAlGaAs (numerisk gradient i kemisk sammansättning från In0.52al0.48Vad gäller InxGa1-xSom: > 13 steg) | – | – | – |
| 3 | 0.52al0.48Som | – | C | – |
| 2 | 0.52al0.48Som | – | – | – |
| 1 | 0.52al0.48Som | – | – | – |
| 0 | InP-substrat | 625±25um | S | – |
No.3 3-tums InP epitaxiell struktur för SPD
| Lager nr. | Material | Tjocklek (nm) | dopningsmedel | Dopingnivå (cm-3) |
| 9 | xGa1-xSom | 50±3 | – | 1,5*1019±0,1*1019 |
| 8 | 0.52al0.48Som | – | – | – |
| 7 | InAlGaAs (numerisk gradient i kemisk sammansättning från InxGa1-xVad gäller In0.52al0.48Som: > 13 steg) | – | – | – |
| 6 | xGa1-xSom | – | – | – |
| 5 | InAlGaAs (numerisk gradient i kemisk sammansättning från In0.52al0.48Vad gäller InxGa1-xSom: > 13 steg) | – | – | – |
| 4 | 0.52al0.48Som | – | C | – |
| 3 | 0.52al0.48Som | – | – | – |
| 2 | 0.52al0.48Som | – | – | – |
| 1 | xGa1-xSom | – | – | – |
| 0 | InP-substrat | 625±25um | Halvisolerad | – |
2. Vad är en singelfotondetektor?
Enfotondetektorn är beroende av sin ultrahöga känslighet för att detektera och räkna enskilda fotoner, och dess huvudsakliga funktion är att omvandla optiska signaler till elektriska signaler. Arbetsprincipen för singelfotondetektorn är huvudsakligen baserad på den fotoelektriska effekten. Den fotoelektriska effekten är att tillståndsändringen sker efter att fotonerna verkar på detektorn, och fotonerna mäts genom att mäta förändringar i elektroniska tillstånd.
För närvarande inkluderar de vanligaste SPD:erna främst Photomultiplier tube (PMT), Avalanche photodiode (APD) och supraledande nanotråds-singelfotondetektor (SNPD). Bland dem är PMT och APD fotoelektriska enheter av traditionell enfotonteknik. Under de senaste åren, med utvecklingen av optoelektronisk detektionsteknologi och nya strukturer, har olika nya optoelektroniska detektorer dykt upp, inklusive kvantpunktsbaserade singelfotondetektorer, synliga fotonräknare, frekvensuppkonverteringsbaserade singelfotondetektorer och supraledande singelfotondetektorer.
3. InP-baserade Single Photon Detector Applications
Enkelfotondetektorer kan detektera extremt svaga ljussignaler och har hög känslighet. Inom många optiska områden är enkelfotondetektionstekniker avgörande och används ofta inom olika områden:
1) Kvantkommunikation: Inom området för kvantkommunikation används enstaka fotoner som kodnings- och överföringsbärare för kvantöverlagringstillstånd, sålunda används enkelfotondetektorer i stor utsträckning som kärndetekteringsanordningar i kvantkommunikationssystem;
2) Enkelfotonlaseravståndsintervall: Inom laseravståndsområdet sänds en smal pulslasersekvens ut från ett mål, och avståndsinformation kan erhållas genom att registrera flygtiden för ljussignalen fram och tillbaka till målet under känd ljushastighet betingelser;
3) InP-baserad SPD kan göras till en enda fotodetektormatris som appliceras i fält som laser 3D-avbildning, 3D-terrängkartläggning, autonom navigering för obemannade fordon och passiv avbildning i glesa fotonmiljöer.
För mer information, vänligen kontakta oss maila påvictorchan@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com.