단일 광자 검출 기술의 경우 기존의 InP/InGaAs SPAD 외에도 Sb 기반 디지털 합금으로 구성된 저잡음 재료 시스템, 이온화 공학을 사용하는 다중 증배 InP/InGaAs SPAD 및 InAlAs/InGaAs SPAD와 같은 새로운 재료 시스템도 개발되었습니다. 개발. PAM-XIAMEN은 단일 광자 검출기용 InP 기반 InGaAs / InAlAs 에피택셜 웨이퍼를 제공할 수 있으며 다음과 같은 특정 구조를 갖습니다.
1. MOCVD Grown InP based Heteroepitaxial Wafers for Single Photon Detector
PAM210918 – SPDE
No.1 2inch SPD 헤테로에피택셜 웨이퍼
| 레이어 번호 | 자료 | 두께(nm) | 도펀트 | 도핑 수준(cm-3) |
| 8 | 에x조지아1-X같이 | – | – | – |
| 7 | 에0.52알0.48같이 | – | – | – |
| 6 | 에x조지아1-X같이 | 50±3 | – | – |
| 5 | InP를 | – | – | – |
| 4 | InP를 | – | – | 6*1016±0.3*1016 |
| 3 | InGaAlAs(In에서 화학 조성의 구배x조지아1-XInP에 관해서: >3 단계) | – | – | – |
| 2 | 에x조지아1-X같이 | – | 시 | – |
| 1 | InP를 | – | – | – |
| 0 | InP 기판 | 350 ± 25um | S | – |
SPD용 No.2 3인치 InP 기반 Epi-구조
| 레이어 번호 | 자료 | 두께(nm) | 도펀트 | 도핑 수준(cm-3) |
| 8 | 에x조지아1-X같이 | – | – | 1.5*1019±0.1*1019 |
| 7 | 에0.52알0.48같이 | – | – | – |
| 6 | InAlGaAs(In에서 화학 조성의 숫자 구배x조지아1-X인에 관해서0.52알0.48다음과 같이: > 13단계) | – | – | – |
| 5 | 에x조지아1-X같이 | 1700±50 | – | – |
| 4 | InAlGaAs(In에서 화학 조성의 숫자 구배0.52알0.48인에 관해서x조지아1-X다음과 같이: > 13단계) | – | – | – |
| 3 | 에0.52알0.48같이 | – | C | – |
| 2 | 에0.52알0.48같이 | – | – | – |
| 1 | 에0.52알0.48같이 | – | – | – |
| 0 | InP 기판 | 625±25um | S | – |
No.3 SPD용 3인치 InP 에피택셜 구조
| 레이어 번호 | 자료 | 두께(nm) | 도펀트 | 도핑 수준(cm-3) |
| 9 | 에x조지아1-X같이 | 50±3 | – | 1.5*1019±0.1*1019 |
| 8 | 에0.52알0.48같이 | – | – | – |
| 7 | InAlGaAs(In에서 화학 조성의 숫자 구배x조지아1-X인에 관해서0.52알0.48다음과 같이: > 13단계) | – | – | – |
| 6 | 에x조지아1-X같이 | – | – | – |
| 5 | InAlGaAs(In에서 화학 조성의 숫자 구배0.52알0.48인에 관해서x조지아1-X다음과 같이: > 13단계) | – | – | – |
| 4 | 에0.52알0.48같이 | – | C | – |
| 3 | 에0.52알0.48같이 | – | – | – |
| 2 | 에0.52알0.48같이 | – | – | – |
| 1 | 에x조지아1-X같이 | – | – | – |
| 0 | InP 기판 | 625±25um | 반절연 | – |
2. 단일 광자 검출기란 무엇입니까?
단일 광자 감지기는 초고감도를 사용하여 개별 광자를 감지하고 계산하며 주요 기능은 광학 신호를 전기 신호로 변환하는 것입니다. 단일 광자 검출기의 작동 원리는 주로 광전 효과를 기반으로 합니다. 광전 효과는 광자가 검출기에 작용한 후 상태 변화가 일어나는 것으로, 전자 상태의 변화를 측정하여 광자를 측정한다.
현재 일반적으로 사용되는 SPD는 PMT(Photomultiplier Tube), APD(Avalanche Photodiode), SNSPD(Superconducting NanoWire Single Photon Detector) 등이 있다. 그중 PMT와 APD는 전통적인 단일 광자 기술의 광전 장치입니다. 최근 광전자 검출 기술과 새로운 구조의 발전으로 퀀텀닷 기반 단일광자 검출기, 가시광자 계수기, 주파수 업컨버전 기반 단일광자 검출기, 초전도 단일광자 검출기 등 다양한 새로운 광전자 검출기가 등장하고 있다.
3. InP 기반 단일 광자 검출기 응용
단일 광자 검출기는 매우 약한 광 신호를 감지할 수 있으며 감도가 높습니다. 많은 광학 분야에서 단일 광자 검출 기술은 매우 중요하며 다양한 분야에서 널리 사용됩니다.
1) 양자 통신: 양자 통신 분야에서 단일 광자는 양자 중첩 상태 인코딩 및 전송 캐리어로 사용되므로 단일 광자 검출기는 양자 통신 시스템의 핵심 검출 장치로 널리 사용됩니다.
2) 단일 광자 레이저 거리 측정: 레이저 거리 측정 분야에서는 표적에서 좁은 펄스 레이저 시퀀스를 방출하고 알려진 광속에서 목표물을 왕복하는 광 신호의 비행 시간을 기록하여 거리 정보를 얻을 수 있습니다. 정황;
3) InP 기반 SPD는 레이저 3D 이미징, 3D 지형 매핑, 무인 차량의 자율 주행 및 희소 광자 환경에서의 수동 이미징과 같은 분야에 적용되는 단일 광 검출기 어레이로 만들 수 있습니다.
자세한 내용은 다음 이메일로 문의하십시오.victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com.