GaN HEMT epitaxiell skiva

GaN HEMT Epitaxial Wafer

Galliumnitrid (GaN) HEMT (High Electron Mobility Transistors) är nästa generation av RF-transistorteknik. Tack vare GaN-teknologin erbjuder PAM-XIAMEN nu AlGaN / GaN HEMT Epi Wafer på safir eller kisel, och AlGaN / GaN på safirmall.

  • Description

Produktbeskrivning

GaN HEMT epitaxial wafer is a multilayer film grown epitaxially on a substrate, which usually includes a nucleation layer, a transition layer, a buffer layer, a channel layer, a barrier layer, a cap layer, and a passivation layer from bottom to top. The nucleation layer, like AlGaN or AlN, is used to prevent the substrate material from diffusing into the GaN epitaxial layer. The transition layer may contain hierarchical AlGaN, AlN/GaN superlattice or multilayer AlN to balance the stress between the GaN and the substrate. The higher the Al content in the barrier layer of AlGaN, the higher the 2DEG concentration at the heterojunction. Meanwhile, the lower the threshold voltage of the device, and the higher the current capacity. As the Al ratio increasing, the degree of heterogeneous crystal lattice mismatch will be higher, resulting in a decrease in gallium nitride HEMT electron mobility and a decrease in current capacity.

The High Electron Mobility Transistor (HEMT) is developed based on GaN with unique heterostructure and two-dimensional electron gas. The GaN HEMT advantages include high breakdown strength, low on-resistance and faster The switching speed, which is very suitable for medium and low voltage and medium and small power systems, such as travel adapters, wireless chargers, AC-DC converters, smart home appliances, etc. The epitaxial wafer with HEMT structure is more attractive currently for high-frequency converters, in which GaN HEMT breakdown voltage is 600~650 V. With the rapid development of gallium nitride HEMT epi technology, the price of GaN HEMT devices will be competitive, which can gain large GaN HEMT market for GaN HEMT manufacturers. Moreover, due to the gallium nitride HEMT reliability, it can be widely used in industrial fields, such as photovoltaic inverters, energy storage systems, and electric vehicles.

1. GaN HEMT Material: Available size:2”,4”,6”,8”:

More specific parameters of gallium nitride HEMT wafer for D-mode GaN HEMTs, E-mode GaN HEMTs, GaN HEMT power amplifier and RF, please refer to:

GaN på Si för Power, D-mode

GaN på Si för Power, E-mode

GaN på Si för RF

GaN på Sapphire för Power

GaN på Sapphire för RF

GaN på SiC för RF

GaN på GaN

2. Now we show you an example as follows:

2.1 2 "(50,8 mm) GaN HEMT epitaxiella skivor

We offer 2″(50.8mm) gallium nitride HEMT Wafers, the GaN HEMT structure is as follows:

Struktur (från topp till botten):

* Odopad GaN locket (2 ~ 3 nm)

AlxGa1-xN (18 ~ 40nm)

AIN (buffertskikt)

un-dopad GaN (2 ~ 3um)

safirsubstrat

* Vi kan använda Si3N att ersätta GaN på toppen, är vidhäftningen stark, det är belagt med sputter eller PECVD.

2.2 AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on sapphire/GaN

Lager #KompositionTjocklekXdopningsmedelbärarkoncentration
5GaN2 nm
4AlxGa1–xN8nm0.26
3AIN1 nmUn-dopad
2GaN≥1000 nmUn-dopad
1Buffert / övergångsskikt
SubstratKisel350μm / 625μm

2.3  2″(50.8mm),4″ (100mm)AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on Si

2.3.1 Specifications for Aluminium Gallium Nitride (AlGaN) / Gallium Nitride (GaN) Hemt (HEMT) på kiselsubstratet.

KravSpecifikation
AlGaN / GaN HEMT Epi Wafer på Si 
AlGaN / GaN HEMT strukturhänvisa 1,2
substrat MaterialKisel
Orientering<111>
tillväxtmetodFloat Zone
ledningstypP eller N
Storlek (tum)2” , 4”
Tjocklek (^ m)625
BaksidaGrov
Resistivitet (Ω-cm)>6000
Rosett (| im)≤ ± 35

2.3.2 Epi structure: Crack-free Epilayers

Lager #KompositionTjocklekXdopningsmedelbärarkoncentration
5GaN2 nm
4AlxGa1–xN8nm0.26
3AIN1 nmUn-dopad
2GaN≥1000 nmUn-dopad
1Buffert / övergångsskikt
SubstratKisel350μm / 625μm

2.3.3 Electrical Properties of the AlGaN/GaN HEMT structure

2DEG rörlighet (vid 300 K): ≥1,800 cm2 / Vs

2DEG Sheet Carrier Densitet (vid 300 K): ≥0.9 × 1013 cm-2

RMS Ytråhet (AFM): ≤ 0,5 nm (5,0 | j, m x 5,0 ^ m avsöknings Area)

2.4  2″(50.8mm)AlGaN/GaN on sapphire

För specifikation av AlGaN / GaN på safir mall, vänligen kontakta vår försäljningsavdelning: [email protected]

GaN HEMT Applications: Used in blue laser diodes, ultraviolet LEDs (down to 250 nm), and AlGaN/GaN HEMTs device.

3. Explanation of AlGaN/Al/GaN HEMTs:

Nitrid HEMTs håller intensivt utvecklats för hög effekt elektronik i högfrekventa förstärknings- och effektomkopplingstillämpningar. Ofta hög prestanda i DC-drift förloras när HEMT omkopplas - till exempel, kollapsar den på-ström när grindsignalen är pulsad. Man tror att sådana effekter är relaterade till ladda fånga som maskerar effekten av gate på strömflödet. Fältplåtarna på emitter- och styrelektroder har använts för att manipulera det elektriska fältet i anordningen, mildra sådana ström-kollaps fenomen.

4. GaN EpitaxialTechnology — Customized GaN epitaxy on SiC,Si and Sapphire substrate for HEMTs, LEDs:

GAN HEMT epitaxiella skivor (GAN EPI-wafers)

PAM XIAMEN Offers Epitaxial growth of AlGaN/GaN based HEMT on Si wafers

5. GaN Device:

GaN SBD

GaN HEMT

6. Test Characterization Equipment:

Kontaktlös Sheet Resistance

Laser Thin Film Tjocklek Mapping

Hög Temp / hög fuktighet Reverse Bias

Värmechock

DIC Nomarski Mikroskop

Atomkraftsmikroskop (AFM)

Surface Defectivity Scan

Hög Temp Reverse Bias

4PP Sheet Resistens

Kontaktlös Hall Mobility

temperaturcykel

Röntgendiffraktions (XRD) / Reflektans (XRR)

ellipsometer Tjocklek

profilometer

CV Tester

7. Foundry Fabrication:

we also offer foundry GaN HEMT fabrication in the following process as follows:

MOCVD Epitaxi

Metall Sputtring / E-Beam

Torr / våt Metal / Genomslags Etch

Thin Film PECVD / LPCVD / Sputtring

RTA / Furnace Glödgning

Fotolitografi (0.35um min. CD)

Jonimplantation

GaN/SiC HEMT epi-wafers

Aluminium gallium arsenide epi wafer

650V GaN FETs Chip for Fast Charge

Du kan också gilla ...