Suprimentos PAM-XIAMENBolachas epitaxiais GaN HEMTe serviços de fabricação de GaN. Nossos serviços de fabricação de GaN fornecidos incluem processo de front-end e processo de back-end. Mais detalhes sobre o processo de fabricação de GaN para HEMTs, veja abaixo:

1. Serviço OEM - Wafers Epitaxial GaN baseados em Si para Dispositivos Eletrônicos de Energia e RF

Nosso fab GaN pode epitaxy wafers GaN de 4-8 polegadas, que é adequado para energia, dispositivos eletrônicos de RF de acordo com seus requisitos estruturais OEM. 

2. Serviço de fundição de chip GaN para dispositivos de energia e RF

Podemos fornecer fotolitografia, gravação de íons reativos, gravação de íons reativos (SiO2, Si3N4), PECVD (SiO2, Si3N4), evaporação por feixe de elétrons (Au, Ni, Cr, Al, Ti), evaporação por feixe de elétrons (ITO), recozimento rápido, CMP (diluição, retificação, polimento) e outros serviços para o processo de fabricação de dispositivos HEMT de GaN.

2.1 Fotolitografia

Podemos controlar com precisão a fotolitografia com 1μm para os wafers de GaN em tamanhos de 4 polegadas e abaixo. Também podemos realizar fotolitografia com precisão com base em suas demandas.

2.2 Gravação por plasma acoplado indutivamente (ICP)

Podemos fazer gravação de padrão para materiais GaN, AlN e AlGaN.

2.3 Gravação de íons reativos (RIE)

Podemos depositar filmes finos de SiO2 e SiNx em wafers de GaN HEMT por ataque padrão.

2.4 Deposição química de vapor aprimorada por plasma (PECVD)

Podemos epitaxiar um filme de SiO2 ou SiNx uniforme, denso e com espessura controlável na superfície de GaN HEMT epi de 6 polegadas e abaixo por deposição de vapor químico aprimorada por plasma.

2.5 Revestimento por evaporação por feixe de elétrons (E-Beam)

O material alvo é bombardeado pelo feixe de elétrons do canhão de elétrons, e o filme ITO (Au, Ni, Cr, Al, Ti, etc) é evaporado na superfície do GaN.

Ou faça a deposição de vapor de filmes metálicos como Ag e Pt.

2.6 Recozimento Rápido (RTA)

Podemos fazer um recozimento rápido com base em suas necessidades, escolhendo gases como N2 e O2 para atender às suas necessidades de processo.

No momento, para atender aos requisitos elétricos dos dispositivos de GaN que você precisa, definiremos diferentes taxas de aquecimento e resfriamento, temperaturas e tempos de recozimento para ligar e fundir os eletrodos metálicos.

3. Serviço de teste de GaN

Fornecemos serviços de teste para wafers epitaxiais de GaN para garantir a qualidade do processo de fabricação de GaN, que são:

3.1 Teste XRD de Materiais de Película Fina Semicondutora

Usamos a varredura ω para digitalizar diferentes planos de cristal de materiais HEMT de película fina de GaN de 2 a 4 polegadas. Com base no princípio de imagem do espaço de inversão do teste de curva de balanço, obteremos a medição do mapeamento do espaço de inversão, obteremos a composição e a tensão do AlGaN e mediremos a espessura do filme.

3.2 Teste AFM para Epiwafers

Existem 2 modos de teste AFM: um é toque e outro é contato. AFM equipado com um módulo C-AFM pode detectar a topografia da superfície de GaN e também pode sondar canais de corrente em GaN.

A função de trabalho de materiais metálicos e o potencial de superfície do semicondutor GaN podem ser testados pela KPFM. Enquanto a força de fricção dos microdomínios em GaN epi pode ser medida pela função LFM. Para distribuição de domínio magnético, podemos usar a função MFM para testar.

3.3 Epitaxial Wafer PL Spectrum Scanner Imager

Nosso gerador de imagens de varredura de espectro PL de wafer epitaxial na fundição pode testar wafers semicondutores com tamanho de 6 polegadas.

O conteúdo do teste inclui espessura e refletividade do filme epitaxial (PR); exibe e gera o valor médio de cada parâmetro medido (Média), erro quadrático médio (Std), taxa de desvio padrão (CV) e etc. Além disso, o teste pode mostrar a distribuição de mapeamento de cada parâmetro e a distorção dos wafers.

3.4 Microscópio de Força de Sonda Kelvin

O microscópio de força atômica tem a função de teste de KPFM. Ele pode medir a função de trabalho de materiais metálicos e o potencial de superfície de pastilhas GaN HEMT. Ele pode testar as mudanças de potencial de superfície de dispositivos HEMT sob iluminação quando instalados com um sistema de teste assistido por luz.

3.5 Teste de Efeito Hall de Alta e Baixa Temperatura

A medição Hall de alta temperatura de materiais de película fina semicondutora está disponível. A temperatura de teste é 90-700K e a força do campo magnético do ímã é 0,5 T, a resistência máxima medida da folha é 10^11 ohm/sq, a corrente mínima de teste é 1μA, a faixa DC é de 1μA a 20 mA, e o modo CA também está disponível (amostras de alta resistência não podem ser medidas no modo CA).

3.6 Espectro transitório de nível profundo

Fornecemos espectroscopia transiente de nível profundo de alta temperatura e teste de espectroscopia transiente de nível profundo assistido por luz, que pode detectar níveis profundos de energia de semicondutores e estados de interface de impurezas e defeitos médios e de rastreamento. O espectro transiente de nível profundo pode ser fornecido para caracterizar o intervalo de banda do semicondutor. Os espectros DLTS de impurezas, níveis de defeitos profundos e estados de interface dentro da distribuição com temperatura.

3.7 Teste de Transporte Quântico

Temos teste de transporte quântico de baixa temperatura e campo magnético forte, teste de resistência de magneto de linha e teste de Hall. As amostras são primeiro medem a temperatura variável IV e, em seguida, medem a resistência do magneto. A faixa de medição magneto-resistiva é de 0,1ohm-100ohm.

Para semicondutores III-V, a mobilidade da amostra e as mudanças na concentração de elétrons com a temperatura podem ser testadas por medição Hall de baixa temperatura e forte campo magnético.

Para amostras de quantidade de efeitos de subconfinamento, como gás de elétrons bidimensionais, campos magnéticos quentes e fortes podem levar à divisão de Zeeman, de modo que efeitos quânticos, como oscilações de SdH, podem ser medidos e propriedades de transporte de diferentes subbandas (concentração de elétrons de mobilidade Gasto ) pode ser obtido.

3.8 Análise de Parâmetros Elétricos de Materiais e Estruturas de Filmes Finos Semicondutores

A análise de parâmetros elétricos de materiais e estruturas de filmes finos semicondutores é fornecida. Analisamos com base no seguinte parâmetro elétrico

Indicadores da unidade de medição da fonte DC: tensão máxima 210V, corrente máxima 100mA, potência máxima 2W; indicadores da unidade de medição de pulso: frequência do gerador de pulso do sistema: 50MHz-1Hz; largura mínima de pulso: 10ns; tensão de pulso máxima: 80V, -40V-40V.

3.9 Espectrômetro Raman de ponta aprimorada

Podemos fazer testes Raman de microárea, possuir o espectrômetro Raman aprimorado com ponta Neaspec (TERS), com uma resolução espacial de 10 nm e intensidade Raman aumentada.

O equipamento de teste é mais de 1000 vezes mais forte e pode medir a força do campo próximo e a confiança de bits de terceira ordem ou mais.

 

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Para obter mais informações, entre em contato conosco pelo e-mail victorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.