Servicios de fabricación de GaN para dispositivos HEMT

Servicios de fabricación de GaN para dispositivos HEMT

Suministros PAM-XIAMENObleas epitaxiales GaN HEMTy servicios de fabricación de GaN. Nuestros servicios de fabricación de GaN suministrados incluyen procesos de front-end y procesos de back-end. Más detalles sobre el proceso de fabricación de GaN para HEMT, consulte a continuación:

Oblea GaN HEMT para alimentación, dispositivo RF

1. Servicio OEM: obleas epitaxiales de GaN basadas en Si para dispositivos electrónicos de potencia y RF

Nuestra fábrica de GaN puede epitaxiar obleas de GaN de 4 a 8 pulgadas, lo cual es adecuado para dispositivos electrónicos de potencia y RF de acuerdo con los requisitos estructurales del OEM. 

2. Servicio de fundición de chips GaN para dispositivos de potencia y RF

Podemos suministrar fotolitografía, grabado de iones reactivos, grabado de iones reactivos (SiO2, Si3N4), PECVD (SiO2, Si3N4), evaporación de haz de electrones (Au, Ni, Cr, Al, Ti), evaporación de haz de electrones (ITO), recocido rápido, Servicios de CMP (adelgazamiento, esmerilado, pulido) y etc. para el proceso de fabricación de GaN de dispositivos HEMT.

2.1 Fotolitografía

Podemos controlar con precisión la fotolitografía con 1 μm para las obleas de GaN en tamaños de 4 pulgadas e inferiores. También podemos realizar fotolitografías precisas según sus demandas.

2.2 Grabado por plasma acoplado inductivamente (ICP)

Podemos hacer grabado de patrones para materiales de GaN, AlN y AlGaN.

2.3 Grabado con iones reactivos (RIE)

Podemos depositar películas delgadas de SiO2 y SiNx en obleas GaN HEMT mediante grabado de patrones.

Equipos de fabricación de GaN - RIE

2.4 Deposición química de vapor mejorada con plasma (PECVD)

Podemos epitaxiar una película de SiO2 o SiNx uniforme, densa y de espesor controlable en la superficie de GaN HEMT epi de 6 pulgadas o menos mediante deposición de vapor químico mejorada con plasma.

2.5 Revestimiento de evaporación por haz de electrones (E-Beam)

El material objetivo es bombardeado por el haz de electrones del cañón de electrones y la película de ITO (Au, Ni, Cr, Al, Ti, etc.) se evapora en la superficie de GaN.

O haga la deposición de vapor de películas metálicas como Ag y Pt.

2.6 Recocido Rápido (RTA)

Podemos realizar un recocido rápido en función de sus necesidades, eligiendo gases como N2 y O2 para que coincidan con los requisitos de su proceso.

Por el momento, para cumplir con los requisitos eléctricos de los dispositivos de GaN que necesita, estableceremos diferentes velocidades de calentamiento y enfriamiento, temperaturas de recocido y tiempos para alear y fusionar los electrodos metálicos.

3. Servicio de prueba de GaN

Suministramos servicios de prueba para obleas epitaxiales de GaN para garantizar la calidad del proceso de fabricación de GaN, que son:

3.1 Prueba XRD de materiales de película delgada de semiconductores

Utilizamos el escaneo ω para escanear diferentes planos de cristal de materiales HEMT de película delgada de GaN de 2 a 4 pulgadas. Con base en el principio de imagen del espacio de inversión de la prueba de la curva oscilante, lograremos la medición del mapeo del espacio de inversión, obtendremos la composición y el estrés de AlGaN y mediremos el espesor de la película.

3.2 Prueba AFM para Epiwafers

Hay 2 modos para la prueba AFM: uno es tocar y otro es contacto. El AFM equipado con un módulo C-AFM puede detectar la topografía superficial de GaN y también puede sondear canales de corriente en GaN.

KPFM puede probar la función de trabajo de los materiales metálicos y el potencial superficial del semiconductor de GaN. Mientras que la fuerza de fricción de los microdominios en GaN epi se puede medir mediante la función LFM. Para la distribución del dominio magnético, podemos usar la función MFM para probar.

Equipos de fabricación de GaN - AFM

3.3 Generador de imágenes de barrido de espectro PL de obleas epitaxiales

Nuestro generador de imágenes de barrido de espectro PL de obleas epitaxiales en la fundición puede probar obleas semiconductoras de menos de 6 pulgadas.

El contenido de la prueba incluye el espesor de la película epitaxial y la reflectividad (PR); muestra y emite el valor promedio de cada parámetro medido (Mean), el error cuadrático medio (Std), la tasa de desviación estándar (CV), etc. Además, la prueba puede mostrar la distribución de mapeo de cada parámetro y la deformación de las obleas.

3.4 Microscopio de fuerza con sonda Kelvin

El microscopio de fuerza atómica tiene la función de prueba de KPFM. Puede medir la función de trabajo de los materiales metálicos y el potencial superficial de las obleas GaN HEMT. Puede probar los cambios de potencial superficial de los dispositivos HEMT bajo iluminación cuando se instala con un sistema de prueba asistido por luz.

3.5 Prueba de efecto Hall de alta y baja temperatura

La medición Hall de alta temperatura de materiales de película delgada semiconductores está disponible. La temperatura de prueba es de 90-700 K, y la intensidad del campo magnético del imán es de 0,5 T, la resistencia máxima de la lámina medida es de 10^11 ohm/sq, la corriente de prueba mínima es de 1 μA, el rango de CC es de 1 μA a 20 mA, y el modo CA también está disponible (las muestras de alta resistencia no se pueden medir en el modo CA).

3.6 Espectro transitorio de nivel profundo

Suministramos espectroscopía transitoria de nivel profundo de alta temperatura y pruebas de espectroscopía transitoria de nivel profundo asistida por luz, que pueden detectar semiconductores Niveles de energía profundos y estados de interfaz del medio y trazas de impurezas y defectos. El espectro transitorio de nivel profundo se puede proporcionar para caracterizar la brecha de banda de semiconductores Los espectros DLTS de impurezas, niveles de defectos profundos y estados de interfaz dentro de la distribución con la temperatura.

3.7 Prueba de transporte cuántico

Tenemos pruebas de transporte cuántico de campo magnético fuerte y baja temperatura, prueba de resistencia de magneto de línea y prueba de Hall. Las muestras primero miden la temperatura variable IV y luego miden la magneto resistencia. El rango de medición magnetorresistivo es de 0,1 ohmios a 100 ohmios.

Para los semiconductores III-V, la movilidad de la muestra y los cambios de concentración de electrones con la temperatura se pueden probar mediante la medición de Hall de campo magnético fuerte y baja temperatura.

Para muestras cuantitativas de efectos de subconfinamiento, como el gas de electrones bidimensionales, los campos magnéticos fuertes y de baja temperatura pueden conducir a la división de Zeeman, por lo que se pueden medir los efectos cuánticos, como las oscilaciones SdH, y las propiedades de transporte de diferentes subbandas (concentración de electrones de movilidad Gasto ) Puede ser obtenido.

3.8 Análisis de parámetros eléctricos de estructuras y materiales de película delgada de semiconductores

Se proporciona el análisis de parámetros eléctricos de estructuras y materiales de película delgada de semiconductores. Lo analizamos en base a los siguientes parámetros eléctricos.

Indicadores de unidad de medida de fuente de CC: tensión máxima 210 V, corriente máxima 100 mA, potencia máxima 2 W; indicadores de unidad de medición de pulso: frecuencia del generador de pulso del sistema: 50MHz-1Hz; ancho de pulso mínimo: 10ns; voltaje de pulso máximo: 80V, -40V-40V.

Espectrómetro Raman mejorado de 3,9 puntas

Podemos realizar pruebas Raman de microárea, poseer un espectrómetro Raman mejorado con la punta (TERS) de Neaspec, con una resolución espacial de 10 nm y una mayor intensidad Raman.

El equipo de prueba es más de 1000 veces más fuerte y puede medir la fuerza de campo cercano y la confianza de bit de tercer orden o más.

Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a[email protected] y [email protected].

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