O semicondutor composto de antimoneto de índio (InSb), como um material semicondutor de bandgap direto, tem baixa massa efetiva de elétrons, alta mobilidade e largura de bandgap estreita. Em baixas temperaturas, o composto InSb possui alto coeficiente de absorção de luz infravermelha, com eficiência quântica maior ou igual a 80%. Em termos de detecção de infravermelho médio na faixa de comprimento de onda de 3-5um, os detectores baseados em materiais InSb se destacam entre muitos dispositivos de materiais devido à sua tecnologia de material madura, alta sensibilidade e boa estabilidade. O composto semicondutor InSb tornou-se o material preferido para a preparação de detectores infravermelhos de ondas médias. PAM-XIAMEN pode fornecer InSbSemicondutor composto III-Vpara fabricação de dispositivos e pesquisas acadêmicas, tomando como exemplo a seguinte especificação:
1. Especificação do substrato InSb
| Item | Substrato InSb |
| Espessura | 525±25um |
| Orientação | [111A]±0,5° |
| Tipo/Dopante | N/Te |
| Resistividade | 0,02~0,028 ohm·cm |
| Nc | (4-8)E14cm-3/cc |
| EPD | <100/cm2 |
| Mobilidade | >1E4 cm2/Vs |
| Superfície acabada | SSP, DSP |
2. Análise de desempenho de armazenamento do substrato composto InSb
De modo geral, os materiais semicondutores compostos InSb podem ser armazenados por um período de tempo após o processamento antes de serem usados para preparar detectores. Portanto, a estabilidade de desempenho dos wafers InSb durante o armazenamento e uso é um dos fatores importantes que afetam o desempenho dos detectores preparados.
A fim de investigar as mudanças de desempenho do wafer composto InSb sob armazenamento de longo prazo, os pesquisadores conduziram testes de armazenamento acelerado em alta temperatura no substrato InSb (111). Durante o teste, várias propriedades importantes do composto InSb, como geometria do wafer, rugosidade da superfície, parâmetros elétricos e defeitos de deslocamento, foram rastreadas e detectadas. Os resultados indicam que sob condições de teste de aceleração de alta temperatura, a rugosidade da superfície permanece basicamente inalterada. Nas condições experimentais, não houve adição ou movimento de discordâncias dentro do substrato, e os parâmetros elétricos, como a concentração de transportadores, permaneceram inalterados. Durante o armazenamento à temperatura atmosférica normal, o desempenho do composto InSb permanece inalterado durante pelo menos 2 anos.
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