Der Verbindungshalbleiter Indiumantimonid (InSb) weist als Halbleitermaterial mit direkter Bandlücke eine geringe effektive Elektronenmasse, eine hohe Mobilität und eine schmale Bandlückenbreite auf. Bei niedrigen Temperaturen weist die InSb-Verbindung einen hohen Absorptionskoeffizienten für Infrarotlicht mit einer Quanteneffizienz von mindestens 80 % auf. Im Hinblick auf die Erkennung im mittleren Infrarotbereich im Wellenlängenbereich von 3–5 µm stechen Detektoren auf Basis von InSb-Materialien aufgrund ihrer ausgereiften Materialtechnologie, hohen Empfindlichkeit und guten Stabilität unter vielen Materialgeräten hervor. Die Halbleiterverbindung InSb ist zum bevorzugten Material für die Herstellung von Mittelwellen-Infrarotdetektoren geworden. PAM-XIAMEN kann InSb liefernIII-V-Verbindungshalbleiterfür die Geräteherstellung und akademische Forschung, beispielsweise anhand der folgenden Spezifikation:
1. Spezifikation des InSb-Substrats
| Artikel | InSb-Substrat |
| Dicke | 525 ± 25 um |
| Orientierung | [111A]±0,5° |
| Typ/Dotierstoff | N/Te |
| Widerstand | 0,02–0,028 Ohm·cm |
| Nc | (4-8)E14cm-3/cc |
| EPD | <100/cm2 |
| Mobilität | >1E4 cm2/Vs |
| Oberfläche fertig | SSP, DSP |
2. Analyse der Speicherleistung des InSb-Verbundsubstrats
Im Allgemeinen können InSb-Verbindungshalbleitermaterialien nach der Verarbeitung eine Zeit lang gelagert werden, bevor sie zur Herstellung von Detektoren verwendet werden. Daher ist die Leistungsstabilität von InSb-Wafern während der Lagerung und Verwendung einer der wichtigen Faktoren, die die Leistung der hergestellten Detektoren beeinflussen.
Um die Leistungsänderungen von InSb-Verbindungswafern bei Langzeitlagerung zu untersuchen, haben Forscher beschleunigte Hochtemperatur-Lagertests auf InSb (111)-Substrat durchgeführt. Während des Tests wurden mehrere wichtige Eigenschaften der InSb-Verbindung wie Wafergeometrie, Oberflächenrauheit, elektrische Parameter und Versetzungsdefekte verfolgt und erkannt. Die Ergebnisse zeigen, dass die Oberflächenrauheit unter Hochtemperatur-Beschleunigungstestbedingungen im Wesentlichen unverändert bleibt. Unter den experimentellen Bedingungen kam es zu keiner Addition oder Bewegung von Versetzungen innerhalb des Substrats und elektrische Parameter wie die Ladungsträgerkonzentration blieben unverändert. Bei normaler Lagerung bei atmosphärischer Temperatur bleibt die Leistung der InSb-Verbindung mindestens 2 Jahre lang unverändert.
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