O detector de antimoneto de índio (InSb) é sensível para a banda de infravermelho de onda média (MWIR). Em termos de detecção de infravermelho médio na banda de 3-5um, devido às vantagens da tecnologia de materiais maduros, alta sensibilidade e boa estabilidade, os detectores InSb se destacam dos detectores baseados em outros materiais. Em baixa temperatura,Material InSbtem um alto coeficiente de absorção para luz infravermelha (~1014cm-1), uma eficiência quântica maior ou igual a 80% e uma alta mobilidade de portadora (un~105cm2∙V-1∙s-1). O detector InSb IR tem vantagens técnicas muito proeminentes, e seus campos de aplicação abrangem orientação de precisão, imagens portáteis, veículos, navios, aeronaves, aeroespaciais, etc. 3,7 um ~ 4,8 um. Especificações, consulte a tabela abaixo:
1. Parâmetros Técnicos do Detector MWIR InSb
| Nome do produto | Especificação principal | |
| MW128×128
(JT) Detector infravermelho InSb |
Número de pixels | 128×128 |
| Pixel pitch | 15um × 15um | |
| Operabilidade de pixel | 99% | |
| Responsividade Não uniformidade | ≤6% | |
| NETD | ≤15mK | |
| FOV | 2 | |
| Tempo de espera | ≤30s | |
| Peso | ≤250g | |
2. Processo de Detectores InSb Infravermelhos
Com o desenvolvimento contínuo da tecnologia de detecção de infravermelho, os chips fotossensíveis baseados em materiais InSb passaram de chips unitários para chips de múltiplos elementos, line array e area array. Após o processo de interconexão flip-chip, o chip fotossensível e o circuito de processamento de sinal são combinados e colocados no plano focal do sistema óptico, que constitui o componente central da detecção do sinal infravermelho. Na realização da conversão fotoelétrica, o desempenho do chip fotossensível é um dos principais fatores que determinam o nível de detecção do detector InSb resfriado. Na preparação do chip fotossensível de matriz de área, a qualidade da junção PN e o isolamento efetivo das unidades de pixel fotossensíveis são as chaves principais para a preparação do chip de matriz de área. O processo de preparação da junção PN é dividido em processo de difusão, processo de implantação iônica e processo de epitaxia. Para diferentes técnicas de fabricação de junção PN, as técnicas de fabricação de estrutura de matriz de superfície correspondentes também são diferentes.
Diagrama Esquemático da Rota de Tecnologia do Detector de Plano Focal InSb
O nível técnico do detector infravermelho InSb na faixa de ondas médias foi continuamente aprimorado. O tamanho da matriz de área continua a aumentar, a eficiência quântica do detector InSb continua a melhorar e a operação de alta temperatura e os detectores multicoloridos duplos estão totalmente desenvolvidos.
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