O material da junção PN possui condutividade única, característica utilizada por diversos dispositivos da tecnologia eletrônica, como diodos semicondutores e transistores bipolares. PAM-XIAMEN pode oferecer wafers de junção PN de silício. Aqui apenas listamos uma estrutura epitaxial específica de aplicação de fotodiodo para sua referência. Mais wafers epitaxiais de silício, consultehttps://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer/epitaxial-silicon-wafer.html.
1. Especificação do wafer de junção PN de silício
PAMP21452 – PN
Substrato | Silício |
Diâmetro | 5 polegadas |
Tipo | P |
Espessura | 500 um |
Superfície acabada | Um lado polido |
ro | 8-12Ω·cm |
Camada Epi | Silício |
Tipo | N |
ro | 8Ω·cm |
Espessura | 15um |
2. O que é uma junção PN de silício?
Por dopagem de implantação iônica, difusão de dopantes ou crescimento epitaxial, semicondutores do tipo P e semicondutores do tipo N são fabricados no mesmo substrato de silício, formando uma região de carga espacial chamada junção PN de silício em sua interface. A junção PN é um dispositivo usado para retificação, comutação e outros fins, bem como a estrutura básica de dispositivos semicondutores de microondas e dispositivos optoeletrônicos. É também um componente fundamental de transistores bipolares, retificadores tiristores e transistores de efeito de campo. A propriedade mais importante das junções de silício é o efeito de retificação, que permite a passagem de apenas uma direção da corrente.
A junção PN para silício, mesmo outros materiais, pode ser dividida em dois tipos:
(1) Junção mutante: A concentração de impurezas nas duas zonas da junção PN é distribuída uniformemente e ocorrem mutações de impurezas na interface. Se a concentração de impurezas em uma região for muito maior do que na outra região, isso é chamado de junção de mutação unilateral P+N ou junção N+P. Formado por liga, difusão rasa ou implantação iônica de baixa energia.
(2) Junção linear de mudança lenta: A distribuição de impurezas perto da junção está mudando lentamente, o que pode ser aproximado por uma linha reta, e sua inclinação é chamada de gradiente de concentração de impurezas. Uma junção obtida por difusão profunda ou implantação iônica de alta energia.
3. Como funciona a junção PN?
As junções PN geralmente estão em dois estados que são o estado de corte e o estado de polarização direta:
No estado de corte, a diferença na concentração de portadores em ambos os lados da junção PN forma um campo elétrico, o que dificulta a passagem de cargas livres pela junção PN quando a tensão aplicada é zero;
Quando a tensão aplicada é polarizada positivamente, esse campo elétrico é enfraquecido e os elétrons passam rapidamente pela junção PN e geram corrente. Quando a tensão aplicada é polarizada reversamente, esse campo elétrico se fortalece, criando um efeito que impede que a corrente avance.
Princípio de funcionamento da junção PN
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