PN 접합 재료는 단일 전도성을 가지며, 이는 반도체 다이오드 및 바이폴라 트랜지스터와 같은 전자 기술의 많은 장치에서 활용되는 특성입니다. PAM-XIAMEN은 실리콘 PN 접합 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. 여기에는 참고용으로 포토다이오드 애플리케이션의 특정 에피택셜 구조가 나열되어 있습니다. 더 많은 실리콘 에피택셜 웨이퍼를 참조하세요.https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer/epitaxis-silicon-wafer.html.
1. 실리콘 PN 접합 웨이퍼 사양
PAMP21452 – PN
| 기판 | 규소 |
| 직경 | 5인치 |
| 유형 | P |
| 두께 | 500㎛가 알맞다 |
| 표면 마감 | 한쪽면이 광택 처리됨 |
| 로 | 8-12Ω·cm |
| 에피 층 | 규소 |
| 유형 | N |
| 로 | 8Ω·cm |
| 두께 | 15음 |
2. 실리콘 PN 접합이란 무엇입니까?
도핑 이온 주입, 확산 도펀트 또는 에피택셜 성장을 통해 P형 반도체와 N형 반도체는 동일한 실리콘 기판에 제조되어 경계면에 실리콘 PN 접합이라는 공간 전하 영역을 형성합니다. PN접합은 정류, 스위칭 등의 용도로 사용되는 소자이며, 반도체 마이크로웨이브 소자와 광전자 소자의 기본 구조이다. 또한 바이폴라 트랜지스터, 사이리스터 정류기 및 전계 효과 트랜지스터의 기본 구성 요소이기도 합니다. 실리콘 접합의 가장 중요한 특성은 전류의 한 방향만 통과시키는 정류 효과입니다.
실리콘용 PN 접합은 다른 재료라도 대략 두 가지 유형으로 나눌 수 있습니다.
(1) 돌연변이 접합: PN 접합의 두 영역에 불순물 농도가 균일하게 분포되어 있으며, 경계면에서 불순물 돌연변이가 발생합니다. 한 영역의 불순물 농도가 다른 영역의 불순물 농도보다 훨씬 높은 경우 이를 단방향 돌연변이 접합 P+N 또는 N+P 접합이라고 합니다. 합금, 얕은 확산 또는 저에너지 이온 주입으로 형성됩니다.
(2) 선형 완만하게 변화하는 접합: 접합 근처의 불순물 분포가 천천히 변하며 이를 직선으로 근사할 수 있으며, 그 기울기를 불순물 농도 구배라고 합니다. 깊은 확산이나 고에너지 이온 주입을 통해 얻은 접합입니다.
3. PN 접합은 어떻게 작동하나요?
PN 접합은 일반적으로 차단 상태와 순방향 바이어스 상태의 두 가지 상태에 있습니다.
컷오프 상태에서는 PN 접합 양쪽의 캐리어 농도 차이로 인해 전계가 형성되어 인가 전압이 0일 때 자유 전하가 PN 접합을 통과하기 어렵게 됩니다.
인가된 전압이 양의 방향으로 바이어스되면 이 전기장은 약해지고 전자는 PN 접합을 빠르게 통과하여 전류를 생성합니다. 인가된 전압이 역방향 바이어스되면 이 전기장이 강화되어 전류가 앞으로 이동하는 것을 방지하는 효과가 발생합니다.
PN 접합 작동 원리
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