Il materiale della giunzione PN ha un'unica conduttività, che è una caratteristica utilizzata da molti dispositivi nella tecnologia elettronica, come diodi semiconduttori e transistor bipolari. PAM-XIAMEN può offrire wafer di giunzione PN in silicio. Qui elenchiamo solo una struttura epitassiale specifica dell'applicazione del fotodiodo come riferimento. Per ulteriori wafer epitassiali di silicio fare riferimento ahttps://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer/epitassiale-silicon-wafer.html.
1. Specifiche del wafer di giunzione PN in silicio
PAMP21452 – PN
Substrato | Silicio |
Diametro | 5 pollici |
Tipo | P |
Spessore | 500 um |
Superficie finita | Un lato lucido |
Ro | 8-12Ω·cm |
Strato Epi | Silicio |
Tipo | N |
Ro | 8Ω·cm |
Spessore | 15um |
2. Cos'è una giunzione PN in silicio?
Mediante l'impianto di ioni drogati, la diffusione di droganti o la crescita epitassiale, i semiconduttori di tipo P e i semiconduttori di tipo N vengono fabbricati sullo stesso substrato di silicio, formando una regione di carica spaziale chiamata giunzione PN di silicio alla loro interfaccia. La giunzione PN è un dispositivo utilizzato per la rettifica, la commutazione e altri scopi, nonché la struttura di base dei dispositivi a microonde a semiconduttore e dei dispositivi optoelettronici. È anche un componente fondamentale dei transistor bipolari, dei raddrizzatori a tiristori e dei transistor ad effetto di campo. La proprietà più importante delle giunzioni di silicio è l'effetto di rettifica, che consente il passaggio della corrente in una sola direzione.
La giunzione PN per il silicio, anche per altri materiali, può essere approssimativamente divisa in due tipi:
(1) Giunzione mutante: la concentrazione di impurità nelle due zone della giunzione PN è distribuita uniformemente e le mutazioni delle impurità si verificano all'interfaccia. Se la concentrazione di impurità in una regione è molto più elevata di quella nell'altra regione, si parla di giunzione di mutazione unilaterale P+N o giunzione N+P. Formato mediante lega, diffusione superficiale o impiantazione ionica a bassa energia.
(2) Giunzione lineare che cambia lentamente: la distribuzione delle impurità vicino alla giunzione cambia lentamente, il che può essere approssimato da una linea retta, e la sua pendenza è chiamata gradiente di concentrazione delle impurità. Una giunzione ottenuta mediante diffusione profonda o impiantazione ionica ad alta energia.
3. Come funziona la giunzione PN?
Le giunzioni PN si trovano solitamente in due stati: stato di interruzione e stato di polarizzazione diretta:
Nello stato di interruzione, la differenza nella concentrazione dei portatori su entrambi i lati della giunzione PN forma un campo elettrico, che rende difficile il passaggio delle cariche libere attraverso la giunzione PN quando la tensione applicata è zero;
Quando la tensione applicata è polarizzata positivamente, questo campo elettrico viene indebolito e gli elettroni passano rapidamente attraverso la giunzione PN e generano corrente. Quando la tensione applicata è polarizzata in modo inverso, questo campo elettrico si rafforza, creando un effetto che impedisce alla corrente di avanzare.
Principio di funzionamento della giunzione PN
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