Wafer di giunzione PN in silicio

Wafer di giunzione PN in silicio

Il materiale della giunzione PN ha un'unica conduttività, che è una caratteristica utilizzata da molti dispositivi nella tecnologia elettronica, come diodi semiconduttori e transistor bipolari. PAM-XIAMEN può offrire wafer di giunzione PN in silicio. Qui elenchiamo solo una struttura epitassiale specifica dell'applicazione del fotodiodo come riferimento. Per ulteriori wafer epitassiali di silicio fare riferimento ahttps://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer/epitassiale-silicon-wafer.html.

wafer di silicio con giunzione pn

1. Specifiche del wafer di giunzione PN in silicio

PAMP21452 – PN

Substrato Silicio
Diametro 5 pollici
Tipo P
Spessore 500 um
Superficie finita Un lato lucido
Ro 8-12Ω·cm
Strato Epi Silicio
Tipo N
Ro 8Ω·cm
Spessore 15um

 

2. Cos'è una giunzione PN in silicio?

Mediante l'impianto di ioni drogati, la diffusione di droganti o la crescita epitassiale, i semiconduttori di tipo P e i semiconduttori di tipo N vengono fabbricati sullo stesso substrato di silicio, formando una regione di carica spaziale chiamata giunzione PN di silicio alla loro interfaccia. La giunzione PN è un dispositivo utilizzato per la rettifica, la commutazione e altri scopi, nonché la struttura di base dei dispositivi a microonde a semiconduttore e dei dispositivi optoelettronici. È anche un componente fondamentale dei transistor bipolari, dei raddrizzatori a tiristori e dei transistor ad effetto di campo. La proprietà più importante delle giunzioni di silicio è l'effetto di rettifica, che consente il passaggio della corrente in una sola direzione.

La giunzione PN per il silicio, anche per altri materiali, può essere approssimativamente divisa in due tipi:

(1) Giunzione mutante: la concentrazione di impurità nelle due zone della giunzione PN è distribuita uniformemente e le mutazioni delle impurità si verificano all'interfaccia. Se la concentrazione di impurità in una regione è molto più elevata di quella nell'altra regione, si parla di giunzione di mutazione unilaterale P+N o giunzione N+P. Formato mediante lega, diffusione superficiale o impiantazione ionica a bassa energia.

(2) Giunzione lineare che cambia lentamente: la distribuzione delle impurità vicino alla giunzione cambia lentamente, il che può essere approssimato da una linea retta, e la sua pendenza è chiamata gradiente di concentrazione delle impurità. Una giunzione ottenuta mediante diffusione profonda o impiantazione ionica ad alta energia.

3. Come funziona la giunzione PN?

Le giunzioni PN si trovano solitamente in due stati: stato di interruzione e stato di polarizzazione diretta:

Nello stato di interruzione, la differenza nella concentrazione dei portatori su entrambi i lati della giunzione PN forma un campo elettrico, che rende difficile il passaggio delle cariche libere attraverso la giunzione PN quando la tensione applicata è zero;

Quando la tensione applicata è polarizzata positivamente, questo campo elettrico viene indebolito e gli elettroni passano rapidamente attraverso la giunzione PN e generano corrente. Quando la tensione applicata è polarizzata in modo inverso, questo campo elettrico si rafforza, creando un effetto che impedisce alla corrente di avanzare.

Schema del principio di funzionamento della giunzione PN (1)

Principio di funzionamento della giunzione PN

 

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