O transistor de indução estático (SIT) é um tipo de transistor de efeito de campo de junção. É um dispositivo de controle de tensão unipolar desenvolvido com base em transistores de efeito de campo de junção comuns, com três eletrodos: ativo, portão e dreno. A corrente de drenagem da fonte é controlada por um campo elétrico vertical externo na porta. O transistor SIT é um dispositivo condutor multiportadora adequado para aplicações de alta frequência e alta potência. O SiC é muito adequado para essas aplicações. Seu alto campo elétrico crítico, alta velocidade de deriva de elétrons de saturação e alta condutividade térmica são muito úteis para as propriedades do SIT e podem ser bem combinados. A PAM-XIAMEN pode fabricar wafers epitaxiais de SiC para a fabricação de dispositivos transistores de indução estática; por favor, tome a seguinte epi-estrutura SiC, por exemplo. Mais epiwafer consultehttps://www.powerwaywafer.com/sic-wafer/sic-epitaxy.html.
1. Estrutura Epi do transistor de indução estática baseada em SiC
| Camada Epi | Espessura | Concentração de dopagem |
| Camada de contato | 0,3um | – |
| camada de deriva | – | – |
| Camada tampão | – | – |
| Substrato 4H-SiC | 3,5x1017cm-3 |
2. Operação do transistor de indução estáticaligado no SiC
Estrutura de porta enterrada, estrutura de eletrodo de superfície e estrutura de porta dielétrica coberta são as principais formas estruturais do transistor SIT:
A estrutura do portão enterrado é uma estrutura típica, adequada para dispositivos de baixa frequência e alta potência;
A estrutura do eletrodo de superfície é adequada para SIT de alta frequência e potência de microondas;
A estrutura do portão coberto dielétrico é adequada tanto para dispositivos de alta potência de baixa frequência quanto para dispositivos de alta frequência e potência de micro-ondas. Suas características incluem baixa dificuldade de processo, alto rendimento, baixo custo e adequação para produção em massa.
O princípio de funcionamento do transistor de indução estático é alterar a altura da barreira do canal alterando as tensões de porta e dreno, controlando assim o número de portadoras majoritárias da região da fonte e controlando a distribuição de potencial interno do canal através de meios eletrostáticos, conseguindo assim controle da corrente do canal. A curva característica de saída do SIT exibe características insaturadas semelhantes aos transistores de vácuo, em vez de pentagramas saturados como os transistores de efeito de campo de junção comuns.
3.DdiferençaéentreSENTARe GeralFET
As principais diferenças estruturais entre o transistor de indução estático e os transistores de efeito de campo geral (FET) são:
1) A concentração de dopagem na região do canal dos transistores de indução eletrostática é baixa, variando de 1012para 1015cm-3, enquanto os FETs variam de 1015para 1017cm-3;
2) O transistor de indução estático possui canal curto e, em termos de características de saída, o SIT é uma característica de transistor insaturado, enquanto o FET é uma característica de pentodo saturado.
4. Aplicações do transistor de indução estática
O SIT opera a uma frequência comparável ou mesmo superior à dos MOSFETs de potência e tem uma capacidade de potência maior do que os MOSFETs de potência. Portanto, tem sido amplamente aplicado em certos campos profissionais, como equipamentos de comunicação por radar, amplificação de potência ultrassônica, amplificação de potência de pulso e aquecimento por indução de alta frequência.
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