Le transistor à induction statique (SIT) est un type de transistor à effet de champ à jonction. Il s'agit d'un dispositif de contrôle de tension unipolaire développé sur la base de transistors à effet de champ à jonction ordinaire, avec trois électrodes : active, grille et drain. Son courant source-drain est contrôlé par un champ électrique vertical externe sur la grille. Le transistor SIT est un dispositif conducteur multiporteur adapté aux applications haute fréquence et haute puissance. Le SiC est très adapté à ces applications. Son champ électrique critique élevé, sa vitesse de dérive élevée des électrons à saturation et sa conductivité thermique élevée sont très utiles pour les propriétés du SIT et peuvent être bien adaptés. PAM-XIAMEN peut fabriquer des tranches épitaxiales SiC pour la fabrication de dispositifs à transistors à induction statique ; veuillez prendre l'épi-structure SiC suivante par exemple. Plus d'épiwafer, veuillez vous référer àhttps://www.powerwaywafer.com/sic-wafer/sic-epitaxy.html.

1. Structure Epi de transistor à induction statique basée sur SiC

2. Fonctionnement du transistor à induction statiquesur sur SiC

La structure de grille enterrée, la structure d'électrode de surface et la structure de grille recouverte de diélectrique sont les principales formes structurelles du transistor SIT :

La structure de porte enterrée est une structure typique, adaptée aux appareils basse fréquence et haute puissance ;

La structure de l'électrode de surface convient au SIT à haute fréquence et à micro-ondes ;

La structure de grille recouverte de diélectrique convient aussi bien aux dispositifs basse fréquence haute puissance qu'aux dispositifs haute fréquence et à micro-ondes. Ses caractéristiques comprennent une faible difficulté de processus, un rendement élevé, un faible coût et une aptitude à la production de masse.

Le principe de fonctionnement du transistor à induction statique consiste à modifier la hauteur de la barrière du canal en modifiant les tensions de grille et de drain, contrôlant ainsi le nombre de porteurs majoritaires de la région source et en contrôlant la distribution de potentiel interne du canal par des moyens électrostatiques, obtenant ainsi contrôle du courant du canal. La courbe caractéristique de sortie du SIT présente des caractéristiques insaturées similaires à celles des transistors à vide, plutôt que des pentades saturées comme les transistors à effet de champ à jonction ordinaires.

3.DdifférencesentreS'ASSEOIRet généralFET

Les principales différences structurelles entre le transistor à induction statique et les transistors à effet de champ (FET) généraux sont :

1) La concentration de dopage dans la région du canal des transistors à induction électrostatique est faible, allant de 10¹²à 10¹⁵cm^-3, tandis que les FET vont de 10¹⁵à 10¹⁷cm^-3;

2) Le transistor à induction statique a un canal court et en termes de caractéristiques de sortie, le SIT est une caractéristique de transistor insaturé, tandis que le FET est une caractéristique de pentode saturée.

4. Applications du transistor à induction statique

Le SIT fonctionne à une fréquence comparable, voire supérieure, à celle des MOSFET de puissance et a une capacité de puissance supérieure à celle des MOSFET de puissance. Par conséquent, il a été largement appliqué dans certains domaines professionnels tels que les équipements de communication radar, l’amplification de puissance ultrasonique, l’amplification de puissance d’impulsion et le chauffage par induction à haute fréquence.

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