Il transistor a induzione statica (SIT) è un tipo di transistor a giunzione ad effetto di campo. Si tratta di un dispositivo di controllo della tensione unipolare sviluppato sulla base di normali transistor ad effetto di campo a giunzione, con tre elettrodi: attivo, gate e drain. La corrente di drenaggio della sorgente è controllata da un campo elettrico verticale esterno sul cancello. Il transistor SIT è un dispositivo conduttivo multiportante adatto per applicazioni ad alta frequenza e ad alta potenza. Il SiC è molto adatto per queste applicazioni. Il suo elevato campo elettrico critico, l'elevata velocità di deriva degli elettroni di saturazione e l'elevata conduttività termica sono molto utili per le proprietà del SIT e possono essere ben abbinati. PAM-XIAMEN può produrre wafer epitassiali SiC per la fabbricazione di dispositivi transistor a induzione statica; si prega di prendere ad esempio la seguente epistruttura SiC. Per ulteriori informazioni su epiwafer fare riferimento ahttps://www.powerwaywafer.com/sic-wafer/sic-epitaxy.html.
1. Struttura Epi del transistor a induzione statica basata su SiC
| Strato Epi | Spessore | Concentrazione di doping |
| Strato di contatto | 0,3um | – |
| Strato di deriva | – | – |
| Strato tampone | – | – |
| Substrato 4H-SiC | 3,5 x 1017centimetro-3 |
2. Funzionamento del transistor a induzione staticasu SiC
La struttura del gate sepolto, la struttura dell'elettrodo superficiale e la struttura del gate coperto dielettrico sono le principali forme strutturali del transistor SIT:
La struttura a cancello interrato è una struttura tipica, adatta per dispositivi ad alta potenza a bassa frequenza;
La struttura dell'elettrodo superficiale è adatta per SIT ad alta frequenza e potenza a microonde;
La struttura del cancello coperto dielettrico è adatta sia per dispositivi ad alta potenza a bassa frequenza che per dispositivi ad alta frequenza e potenza a microonde. Le sue caratteristiche includono bassa difficoltà di processo, resa elevata, basso costo e idoneità alla produzione di massa.
Il principio di funzionamento del transistor a induzione statica consiste nel modificare l'altezza della barriera del canale modificando le tensioni di gate e drain, controllando così il numero di portatori maggioritari dalla regione di sorgente e controllando la distribuzione del potenziale interno del canale attraverso mezzi elettrostatici, ottenendo così controllo della corrente del canale. La curva caratteristica di uscita del SIT mostra caratteristiche insature simili ai transistor sotto vuoto, piuttosto che pentadi saturi come i normali transistor ad effetto di campo a giunzione.
3.DdifferenzaSfraSEDERSIe GeneraleFET
The main structural differences between static induction transistor and general field-effect transistors (FET) are:
1)The doping concentration in the channel region of electrostatic induction transistors is low, ranging from 1012 to 1015centimetro-3, while FETs range from 1015 to 1017centimetro-3;
2)Static induction transistor has short channel, and in terms of output characteristics, the SIT is an unsaturated transistor characteristic, while the FET is a saturated pentode characteristic.
4. Applications of Static Induction Transistor
SIT operates at a frequency comparable to or even exceeding that of power MOSFETs, and has a larger power capacity than power MOSFETs. Therefore, it has been widely applied in certain professional fields such as radar communication equipment, ultrasonic power amplification, pulse power amplification, and high-frequency induction heating.
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