Transistor aruhan statik (SIT) ialah sejenis transistor kesan medan simpang. Ia ialah peranti kawalan voltan unipolar yang dibangunkan berdasarkan transistor kesan medan simpang biasa, dengan tiga elektrod: aktif, pintu dan longkang. Arus saliran sumbernya dikawal oleh medan elektrik menegak luaran pada pintu pagar. Transistor SIT ialah peranti pengalir berbilang pembawa yang sesuai untuk aplikasi frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi. SiC sangat sesuai untuk aplikasi ini. Medan elektrik kritikalnya yang tinggi, halaju hanyutan elektron tepu yang tinggi, dan kekonduksian terma yang tinggi sangat berguna untuk sifat SIT dan boleh dipadankan dengan baik. PAM-XIAMEN boleh mengeluarkan wafer epitaxial SiC untuk fabrikasi peranti transistor aruhan statik; sila ambil contoh epi-struktur SiC berikut. Lebih banyak epiwafer sila rujukhttps://www.powerwaywafer.com/sic-wafer/sic-epitaxy.html.
1. Struktur Epi Transistor Aruhan Statik Berdasarkan SiC
| Lapisan epi | ketebalan | Kepekatan Doping |
| Lapisan kenalan | 0.3um | – |
| Lapisan hanyut | – | – |
| Lapisan penampan | – | – |
| Substrat 4H-SiC | 3.5 x 1017cm-3 |
2. Kendalian Transistor Aruhan Statikpada SiC
Struktur pintu terkubur, struktur elektrod permukaan, dan struktur pintu tertutup dielektrik adalah bentuk struktur utama transistor SIT:
Struktur pintu terkubur adalah struktur tipikal, sesuai untuk peranti berkuasa tinggi frekuensi rendah;
Struktur elektrod permukaan sesuai untuk frekuensi tinggi dan kuasa gelombang mikro SIT;
Struktur pintu bertutup dielektrik sesuai untuk kedua-dua peranti kuasa tinggi frekuensi rendah dan peranti kuasa gelombang mikro dan frekuensi tinggi. Ciri-cirinya termasuk kesukaran proses rendah, hasil tinggi, kos rendah, dan kesesuaian untuk pengeluaran besar-besaran.
Prinsip kerja transistor aruhan statik adalah untuk menukar ketinggian penghalang saluran dengan menukar voltan pintu dan longkang, dengan itu mengawal bilangan pembawa majoriti dari kawasan sumber, dan mengawal pengedaran potensi dalaman saluran melalui cara elektrostatik, dengan itu mencapai kawalan arus saluran. Lengkung ciri keluaran SIT mempamerkan ciri tak tepu serupa dengan transistor vakum, dan bukannya pentade tepu seperti transistor kesan medan simpang biasa.
3. DperbezaansantaraDUDUKdan AmFET
Perbezaan struktur utama antara transistor aruhan statik dan transistor kesan medan am (FET) ialah:
1) Kepekatan doping di kawasan saluran transistor aruhan elektrostatik adalah rendah, antara 1012ke 1015cm-3, manakala FET berkisar antara 1015ke 1017cm-3;
2) Transistor aruhan statik mempunyai saluran pendek, dan dari segi ciri keluaran, SIT adalah ciri transistor tak tepu, manakala FET adalah ciri pentod tepu.
4. Aplikasi Transistor Aruhan Statik
SIT beroperasi pada frekuensi yang setanding atau bahkan melebihi MOSFET kuasa, dan mempunyai kapasiti kuasa yang lebih besar daripada MOSFET kuasa. Oleh itu, ia telah digunakan secara meluas dalam bidang profesional tertentu seperti peralatan komunikasi radar, penguatan kuasa ultrasonik, penguatan kuasa nadi, dan pemanasan aruhan frekuensi tinggi.
Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel divictorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.