El transistor de inducción estática (SIT) es un tipo de transistor de efecto de campo de unión. Es un dispositivo de control de voltaje unipolar desarrollado sobre la base de transistores de efecto de campo de unión ordinaria, con tres electrodos: activo, compuerta y drenaje. La corriente de drenaje de su fuente está controlada por un campo eléctrico vertical externo en la puerta. El transistor SIT es un dispositivo conductor multiportador adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia. El SiC es muy adecuado para estas aplicaciones. Su alto campo eléctrico crítico, su alta velocidad de deriva de electrones de saturación y su alta conductividad térmica son muy útiles para las propiedades de SIT y pueden combinarse bien. PAM-XIAMEN puede fabricar obleas epitaxiales de SiC para la fabricación de dispositivos de transistores de inducción estática; Tomemos como ejemplo la siguiente epiestructura de SiC. Más epiwafer consultehttps://www.powerwaywafer.com/sic-wafer/sic-epitaxy.html.
1. Estructura Epi del transistor de inducción estática basada en SiC
| capa epi | Espesor | Concentración de dopaje |
| Capa de contacto | 0.3um | – |
| Capa de deriva | – | – |
| capa de búfer | – | – |
| Sustrato 4H-SiC | 3,5 x 1017cm-3 |
2. Operación del transistor de inducción estáticaen SiC
La estructura de compuerta enterrada, la estructura de electrodo de superficie y la estructura de compuerta cubierta dieléctrica son las principales formas estructurales del transistor SIT:
La estructura de la puerta enterrada es una estructura típica, adecuada para dispositivos de alta potencia de baja frecuencia;
La estructura del electrodo de superficie es adecuada para SIT de alta frecuencia y potencia de microondas;
La estructura de puerta cubierta dieléctrica es adecuada tanto para dispositivos de alta potencia de baja frecuencia como para dispositivos de potencia de microondas y alta frecuencia. Sus características incluyen baja dificultad de proceso, alto rendimiento, bajo costo e idoneidad para la producción en masa.
El principio de funcionamiento del transistor de inducción estática es cambiar la altura de la barrera del canal cambiando los voltajes de compuerta y drenaje, controlando así el número de portadores mayoritarios de la región fuente y controlando la distribución de potencial interno del canal a través de medios electrostáticos, logrando así Control de la corriente del canal. La curva característica de salida de SIT exhibe características insaturadas similares a las de los transistores de vacío, en lugar de pentades saturadas como las de los transistores de efecto de campo de unión ordinarios.
3.DdiferenciasentreSENTARSEy generalesFET
Las principales diferencias estructurales entre el transistor de inducción estática y los transistores de efecto de campo generales (FET) son:
1) La concentración de dopaje en la región del canal de los transistores de inducción electrostática es baja, oscilando entre 1012a 1015cm-3, mientras que los FET oscilan entre 1015a 1017cm-3;
2) El transistor de inducción estática tiene un canal corto y, en términos de características de salida, el SIT es una característica de transistor insaturado, mientras que el FET es una característica de pentodo saturado.
4. Aplicaciones del transistor de inducción estática
SIT opera a una frecuencia comparable o incluso superior a la de los MOSFET de potencia y tiene una capacidad de potencia mayor que los MOSFET de potencia. Por lo tanto, se ha aplicado ampliamente en ciertos campos profesionales como equipos de comunicación por radar, amplificación de potencia ultrasónica, amplificación de potencia de pulso y calentamiento por inducción de alta frecuencia.
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