Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd., a leading supplier of High Purity Semi-insulating SiC substrate and other related products and services announced the new availability of size 2”&3”&4”&6” is on mass production by PVT. This new product represents a natural addition to PAM-XIAMEN’s product line. Dr. Shaka, said, “We are pleased to offer High Purity Semi-insulating SiC wafer to our customers. 4H Semi-insulating Silicon Carbide (SiC) substrate is available in on-axis orientation. From epitaxy process of semi-insulating silicon carbide wafers in our research, we found micropipe density normally is not main obstacle to grow high quality epi layers, instead, carbon inclusions because a problem, hence, we focus on control or remove wafer without or smaller carbon inclusions, so for research grade and production grade high purity Semi-insulating SiC substrate, it can ensure high quality heteroepitaxy such as AlGaN/GaN structure”.
1. High Purity Semi Insulating SiC Wafer List:
| Numéro d'article | Diamètre | Type | Orientation | Épaisseur | Résistivité (Ohm-cm) | Qualité |
| S4H-150-SI-PWAM-500-D | 150mm | HPSI | Sur axe | 500 µm +/- 25 µm | ≥ 1E7 | Grade factice |
| S4H-150-SI-PWAM-500-R | 150mm | HPSI | Sur axe | 500 µm +/- 25 µm | ≥ 1E7 | Grade de recherche |
| S4H-150-SI-PWAM-500-A | 150mm | HPSI | Sur axe | 500 µm +/- 25 µm | ≥ 1E7 | Qualité de production |
| S4H-100-SI-PWAM-500-D | 100mm | HPSI | Sur axe | 500 µm +/- 25 µm | ≥ 1E7 | Grade factice |
| S4H-100-SI-PWAM-500-R | 100mm | HPSI | Sur axe | 500 µm +/- 25 µm | ≥ 1E7 | Grade de recherche |
| S4H-100-SI-PWAM-500-A | 100mm | HPSI | Sur axe | 500 µm +/- 25 µm | ≥ 1E7 | Qualité de production |
| S4H-76-SI-PWAM-350-D | 76,2 mm | HPSI | Sur axe | 350 µm +/- 25 µm | ≥ 1E7 | Grade factice |
| S4H-76-SI-PWAM-350-R | 76,2 mm | HPSI | Sur axe | 350 µm +/- 25 µm | ≥ 1E7 | Grade de recherche |
| S4H-76-SI-PWAM-350-A | 76,2 mm | HPSI | Sur axe | 350 µm +/- 25 µm | ≥ 1E7 | Qualité de production |
| S4H-51-SI-PWAM-350-D | 50,8 mm | HPSI | Sur axe | 350 µm +/- 25 µm | ≥ 1E7 | Grade factice |
| S4H-51-SI-PWAM-350-R | 50,8 mm | HPSI | Sur axe | 350 µm +/- 25 µm | ≥ 1E7 | Grade de recherche |
| S4H-51-SI-PWAM-350-A | 50,8 mm | HPSI | Sur axe | 350 µm +/- 25 µm | ≥ 1E7 | Qualité de production |
2. Specification of High Purity Semi-Insulating SiC Substrate
2-1 HIGH PURITY SEMI-INSULATING 4H-SIC WAFER SPECIFICATION,2”
| PROPRIÉTÉ DU SOUS-TRAIT | S4H-51-SI-PWAM-350 |
| Description | Substrat factice de la catégorie 4H SEMI de la catégorie 4H de recherche de catégorie de production A / B C / D |
| Polytype | 4H |
| Diamètre | (50,8 ± 0,38) millimètre |
| Épaisseur | (350 ± 25) μm |
| Type | Semi-isolant haute pureté (HPSI), non dopé |
| dopant | non dopé |
| Résistivité (RT) | > 1E7 Ω · cm |
| Rugosité de surface | <0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (polissage optique face C) |
| FWHM | A <30 arcsec B / C / D <50 arcsec |
| Densité du micropipe | A + ≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientation de la surface | |
| Sur l'axe <0001> ± 0,5 ° | |
| Hors axe 3,5 ° vers <11-20> ± 0,5 ° | |
| Orientation à plat primaire | Parallèle {1-100} ± 5 ° |
| Longueur plat primaire | 16,00 ± 1,70 mm |
| Orientation à plat secondaire | Face Si: 90 ° cw. depuis l'orientation à plat ± 5 ° |
| Face C: 90 ° ccw. depuis l'orientation à plat ± 5 ° | |
| longueur plat secondaire | 8,00 ± 1,70 mm |
| Finition de surface | Poli simple ou double face |
| Conditionnement | Boîte à gaufrettes simple ou boîte à gaufrettes multiples |
| Surface utilisable | ≥ 90% |
| exclusion de bord | 1 mm |
2-2 HIGH PURITY SEMI-INSULATING 4H-SIC SUBSTRATE SPECIFICATION,3”
| PROPRIÉTÉ DU SOUS-TRAIT | S4H-76-N-PWAM-350 |
| Description | Substrat factice de SiC de la catégorie 4H de la catégorie D de recherche de la catégorie de production A / B C / D |
| Polytype | 4H |
| Diamètre | (76,2 ± 0,38) millimètre |
| Épaisseur | (350 ± 25) μm |
| Type | Semi-isolant haute pureté (HPSI) |
| dopant | non dopé |
| Résistivité (RT) | > 1E7Ω · cm |
| Rugosité de surface | <0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (polissage optique face C) |
| FWHM | A <30 arcsec B / C / D <50 arcsec |
| Densité du micropipe | A + ≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV / Arc / Warp | ＜ 25 μm |
| Orientation de la surface | <0001> ± 0,5 ° |
| Orientation à plat primaire | <11-20> ± 5,0 ° |
| Longueur plat primaire | 22,22 mm ± 3,17 mm |
| 0,875 "± 0,125" | |
| Orientation à plat secondaire | Face Si: 90 ° cw. depuis l'orientation à plat ± 5 ° |
| Face C: 90 ° ccw. depuis l'orientation à plat ± 5 ° | |
| longueur plat secondaire | 11,00 ± 1,70 mm |
| Finition de surface | Poli simple ou double face |
| Conditionnement | Boîte à gaufrettes simple ou boîte à gaufrettes multiples |
| Rayure | Aucun |
| Surface utilisable | ≥ 90% |
| exclusion de bord | 2mm |
2-3 4H HIGH PURITY SEMI-INSULATING SIC WAFER SPECIFICATION,4”
| SUBSTRAIE PROPERTY | A Grade | B Grade | C Grade |
| Diamètre | 100.0 mm + 0.0/-0.5 mm | ||
| Surface orientation | {0001} ± 0.2° | ||
| Orientation à plat primaire | [11-20] ± 5° | ||
| Orientation à plat secondaire | Silicon face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0° | ||
| Longueur plat primaire | 32.5 mm ± 2.0 mm | ||
| longueur plat secondaire | 18.0 mm ± 2.0 mm | ||
| Rugosité de surface | Si-face Ra≤0.2 nm | ||
| Épaisseur | 500.0μm ± 25.0μm | ||
| TTV(10mm2) | ≤10μm | ||
| LTV | ≤3μm | ≤5μm | |
| Warp | ≤35μm | ≤45μm | |
| Bow(Absolute) | ≤25μm | ≤30μm | |
| Densité du micropipe | ≤1 cm-2 | ≤10 cm-2 | ≤20 cm-2 |
| Resistivity | ≥1E8Ω-cm | 75% area: ≥1E8Ω-cm | |
| Polytype | None permitted | Cumulative area≤5% | |
| Hex Plates by high intensity light | None permitted | Qty.6＜100μm | Cumulative area≤5% |
| Visual Carbon Inclusions | Cumulative area≤0.05% | Cumulative area≤10% | N / A |
| Surface finish | Double Side Polish, Si Face CMP (chemical polishing) | ||
| Wafer edge | Bevelling | ||
| Edge chips/indents by diffuse lighting | None permitted≥0.5mm width and depth | Qty.2 <1.0 mm width and depth | |
| Scratches(CS920/CS8520) | Cumulative length≤1*wafer diameter | Cumulative length≤1.5*wafer diameter | |
| Des fissures | None permitted | ||
| exclusion de bord | 3mm | ||
2-4 4H HIGH PURITY SEMI-INSULATING SIC SUBSTRATE SPECIFICATION,6”
| PROPRIÉTÉ DU SOUS-TRAIT | A Grade | B Grade | C Grade |
| Diamètre | 150.0 mm ± 0.2 mm | ||
| Surface orientation | {0001} ± 0.2° | ||
| Notch orientation | [1-100] ± 5.0° | ||
| Notch depth | 1.0 mm +0.25 mm, -0.00 mm | ||
| Rugosité de surface | Si-face Ra≤0.2 nm | ||
| Épaisseur | 500.0μm ± 25.0μm | ||
| TTV | ≤10μm | ||
| LTV(10mm2) | ≤3μm | ≤5μm | |
| Warp | ≤40μm | ≤60μm | |
| Bow(Absolute) | ≤25μm | ≤40μm | |
| Densité du micropipe | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤10 cm-2 |
| Resistivity | ≥1E8Ω-cm | 75% area: ≥1E8Ω-cm | |
| Polytype | None permitted | Cumulative area≤5% | |
| Hex Plates by high intensity light | Cumulative area ≤0.05% | Cumulative area ≤0.1% | Cumulative area≤5% |
| Visual Carbon Inclusions | Cumulative area ≤0.05% | Cumulative area ≤10% | N / A |
| Surface finish | Double Side Polish, Si Face CMP(chemical polishing) | ||
| Wafer edge | Bevelling | ||
| Edge chips/indents by diffuse lighting | None permitted ≥0.5mm width and depth | Qty.2 <1.0 mm width and depth | |
| Scratches(CS920/CS8520) | Cumulative length≤1*wafer diameter | Cumulative length≤1.5*wafer diameter | |
| Des fissures | None permitted | ||
| exclusion de bord | 3mm | ||
3. Fluorescence PL Diagram of Vsi
See below Fluorescence PL diagram of Vsi, tested by a 2inch,4H, high purity semi insulating SiC substrate.
Diagramme PL de fluorescence de Vsi
In the high purity semi-insulating SiC substrate market, the current mainstream silicon carbide substrate product specification is 4 inches. Because of high purity without any dopants, the HPSI SiC substrate material keep high resistivity with good uniformity. Semi-insulating SiC substrate is mainly used in the manufacture of gallium nitride radio frequency devices. By growing a gallium nitride epitaxial layer on a SiC wafer of HPSI type, a SiC-based gallium nitride epitaxial wafer is prepared, which can be further made into a GaN RF device.
Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par email àvictorchan@powerwaywafer.cometpowerwaymaterial@gmail.com.