Wafer poli
PAM-XIAMEN peut proposer des plaquettes polies, de type n ou de type p avec une orientation à <100>, <110> ou <111>. Plaquettes polies FZ, principalement pour la production de redresseurs au silicium (SR), de redresseurs contrôlés au silicium (SCR), de transistors géants (GTR), de thyristors (GRO)
- La description
Description du produit
Gaufrette polie
PAM-XIAMEN can offer polished wafer, n type or p type with orientation at <100>, <110> or <111>. More Specifications, please see tables below.
Nos avantages en un coup d'oeil
- Advanced epitaxy growth equipment and test equipment.
- Offer the highest quality with low defect density and good surface roughness.
- Strong research team support and technology support for our customers
1. Specifications of Polished Silicon Wafers
1.1 FZ Polished Wafers Specifications
FZ polished silicon wafer: mainly for the production of silicon rectifier (SR), silicon controlled rectifier (SCR), Giant Transistor (GTR), thyristor (GRO)
Type | Type de conduction | Orientation | Diamètre portée (mm) | Portée de résistivité (Ω cm) | Granulométrie des paramètres géométriques, métal de surface |
FZ | N & P | <100> et <111> | 76.2-200 | >1000 | T≥260 (um) TTV≤2 (um) TIR≤2 (um) STIR≤1 (um) (20 * 20) Graininess≤10pcs(≥0.3um) , ≤20pcs(≥ urface metal≤5E10/cm2 BSD:Etchpit density>1E106pcs/cm2 Poly:5000-12000 A |
NTDFZ | N | <100> et <111> | 76.2-200 | 30-800 | |
CFZ | N & P | <100> et <111> | 76.2-200 | 1-50 | |
GDFZ | N & P | <100> et <111> | 76.2-200 | 0.001-300 |
1.2 CZ Polished Wafers Specifications
Type | Type de conduction | Orientation | Diamètre portée (mm) | Portée de résistivité (Ω cm) | Granulométrie des paramètres géométriques, métal de surface |
MCZ | N & P | <100> <110> et <111> | 76.2-200 | 1-300 | T≥260 (um) TTV≤2 (um) TIR≤2 (um) STIR≤1 (um) (20 * 20) Graininess≤10pcs(≥0.3um) ,≤20pcs(≥0.2um) Surface metal≤5E10/cm2 BSD:Etchpit density>1E106pcs/cm2LTO:3500~8000±250A |
CZ | N & P | <100> <110> et <111> | 76.2-200 | 1-300 | |
MCZ fortement dopé | N & P | <100> et <111> | 76.2-200 | 0.001-1 |
2. About Polished Wafer
High-purity electronic grade polysilicon undergoes the steps of crystal pulling, slicing, beveling, lapping, etching, polishing, and cleaning to produce a polished wafer, which meets electrical, surface physical properties, impurity standards and other specifications. Wafers with special processes such as annealing, epitaxy, and SOI are processed based on polished wafers.
Polished wafer (PW) is a silicon chip with atomic flatness that is single side or double sides polished silicon wafer, accounting for about 70% of silicon wafer applications. After the monocrystalline silicon ingot is produced, it is cut into thin slices from the cylindrical monocrystalline silicon of the ingot, which is a wafer of high-purity silicon element. The purpose of polishing is to further remove the residual damage layer on the processed surface. The polished monocrystalline silicon wafer can be directly used to fabricate devices or as an epitaxial substrate material. Polished Si wafer is widely used in digital and analog integrated circuits, memory, power devices and other chips.
N Type Sb Doped Silicon Wafer for Integrated Circuit Manufacturing
PAM XIAMEN offers MCZ silicon ingot and silicon wafer.
PAM XIAMEN propose des plaquettes de niobate de lithium noir pour l'optique et les composants SAW
Nitrure LPCVD stoechiométrique sur plaquettes de silicium
4″ Prime CZ Si wafer with one side sputtering Cr/Au layer thickness 10/50nm
Diamètre de la plaquette Si Zéro Diffraction 32 mm pour les mesures XRD
Guide d'ondes en nitrure de silicium - Substrats et services fournis
Nitron à très faible stress sur plaquettes de silicium
Plaquettes de silicium en nitrure à faible stress
Nitrure de LPCVD à stress ciblé
Plaquettes de silicium avec orientation (211)
Clivage des plaquettes de silicium
Plaquettes de silicium de première qualité
Propriétés de la plaquette de silicium
Plaquettes de silicium pour lithographie douce
Plateformes de puces micro-fluides PDMS
Que sont les plats de silicium?
De type P substrats de silicium
Plaquettes de silicium personnalisées
Plaquettes de silicium solaire
Wafer de silicium de 1 "et 1,5"
Plaquette de silicium de 125 mm
Plaquette de silicium 150 mm et 200 mm
Plaquettes de silicium de 25,4 (1 pouce)
Épaisseur de la plaquette de silicium: 275 + - 25µm
Épaisseur de plaquette de silicium: 1000 μm
Plaquettes de silicium 2 ″ Epaisseur: 1000 ± 25μm
Épaisseur de la plaquette Si: 675 ± 25 um
Épaisseur de la plaquette de 4 po Si : 500 ± 20 μm
Épaisseur de la plaquette en Si 3 ″: 380 ± 20μm
Plaquettes de silicium 50,8 mm (2 pouces)-1
50,8 (2 pouces) de silicium gaufrettes-2
Plaquettes de silicium de 50,8 mm (2 pouces) -3
Plaquettes de silicium de 50,8 mm (2 pouces) -4
Plaquettes de silicium de 50,8 mm (2 pouces) -5
Plaquettes de silicium de 76,2 mm (3 pouces)
Plaquettes de silicium 100 mm (4 pouces)-1
Plaquettes de silicium 100 mm (4 pouces)-2
Plaquettes de silicium 100 mm (4 pouces)-3
Plaquettes de silicium 100 mm (4 pouces) -4
Plaquettes de silicium 100 mm (4 pouces) -5
Plaquettes de silicium 100 mm (4 pouces) -6
125mm (5 pouces) Silicon Wafers
150 mm (6 pouces) Silicon Wafers
Plaquettes de silicium de 200 mm (8 pouces)
Plaquettes de silicium de 300 mm
(100) plaquettes de silicium orientées-1
(100) plaquettes de silicium orientées-2
(100) plaquettes de silicium orientées-3
(100) plaquettes de silicium orientées-4
(100) plaquettes de silicium orientées-5
(112) Plaquettes de silicium d'orientation
Wafer de silicium CZ Prime de 2 po
Gaufrette de silicium CZ Prime 3 ″
Plaquette Si de 2 ″ FZ avec SSP
4″ FZ Intrinsic Silicon Wafer SSP
4″ FZ Intrinsic Silicon Wafer DSP
Plaquette d'oxyde de silicium 2 ″
Plaquette d'oxyde de silicium 3 ″