GaSb Wafer

PAM-XIAMEN propose des plaquettes GaSb à semi-conducteur composé - antimoniure de gallium qui sont développées par LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) en qualité épi-prête ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).

  • Description

Description du produit

PAM-XIAMEN propose une plaquette GaSb à semi-conducteur composé -antimoniure de galliumcultivé par LEC (Liquid Encapsulated Czochralski), qui peut réduire les défauts de l'antimoniure de gallium. La plaquette de GaSb est épi-prête ou de qualité mécanique avec un type n, un type p ou semi-isolant dans une orientation différente (111) ou (100).

L'antimoniure de gallium (GaSb) est un composé semi-conducteur de gallium et d'antimoine de la famille III-V. Il a une constante de réseau d'environ 0,61 nm. Les plaquettes GaSb peuvent être utilisées pour les détecteurs infrarouges, les LED infrarouges, les lasers et les transistors, et les systèmes thermophotovoltaïques.

Voici la spécification détaillée de la plaquette :

Spécification de la tranche de 2″(50,8 mm) de GaSb

3″(50.8mm) Spécification de plaquette de GaSb

Spécification de la plaquette GaSb 4″(100mm)

 

Spécification de la plaquette GaSb 2″

tem Caractéristiques
Dopant low doped Zinc Tellure
Type de conduction Type P Type P Type N
Diamètre de plaquette 2″
Orientation de la plaquette (100)±0.5°
Épaisseur de plaquette 500±25um
Longueur plate principale 16±2mm
Longueur plate secondaire 8±1mm
Concentration de transporteur (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobilité 600-700cm2/Vs 200-500cm2/Vs 2000-3500cm2/Vs
DEP <2×103cm-2
TTV <10um
ARC <10um
CHAÎNE <12um
Marquage au laser à la demande
Finition de surface P/E, P/P
Prêt pour l'épi oui
Emballer Récipient ou cassette de wafer unique

 

Spécification de la plaquette GaSb 3″

tem Caractéristiques
Type de conduction Type P Type P Type N
Dopant low doped Zinc Tellure
Diamètre de plaquette 3″
Orientation de la plaquette (100)±0.5°
Épaisseur de plaquette 600±25um
Longueur plate principale 22±2mm
Longueur plate secondaire 11±1mm
Concentration de transporteur (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobilité 600-700cm2/Vs 200-500cm2/Vs 2000-3500cm2/Vs
DEP <2×103cm-2
TTV <12um
ARC <12um
CHAÎNE <15um
Marquage au laser à la demande
Finition de surface P/E, P/P
Prêt pour l'épi oui
Emballer Récipient ou cassette de wafer unique

 

Spécification de la plaquette GaSb 4″

tem Caractéristiques
Dopant low doped Zinc Tellure
Type de conduction Type P Type P Type N
Diamètre de plaquette 4″
Orientation de la plaquette (100)±0.5°
Épaisseur de plaquette 800±25um
Longueur plate principale 32,5 ± 2,5 mm
Longueur plate secondaire 18±1mm
Concentration de transporteur (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobilité 600-700cm2/Vs 200-500cm2/Vs 2000-3500cm2/Vs
DEP <2×103cm-2
TTV <15um
ARC <15um
CHAÎNE <20um
Marquage au laser à la demande
Finition de surface P/E, P/P
Prêt pour l'épi oui
Emballer Récipient ou cassette de wafer unique

 

1) 2 ″ (50,8 mm), 3 ″ (76,2 mm) tranche de GaSb

Orientation :(100)±0,5°
Épaisseur(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:P/low doped;P/Si;P/Zn
Nc(cm-3):(1~2)E17
Mobilité (cm2/V ·s):600~700
Méthode de croissance : CZ
Polonais : SSP

2) 2 ″ (50,8 mm) tranche de GaSb
Orientation :(100)±0,5°
Épaisseur(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:N/low doped;P/Te
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobilité (cm2/V ·s):2500~3500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP

3)2″(50,8 mm) plaquette de GaSb
Orientation :(111)A±0.5°
Épaisseur(μm):500±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobilité (cm2/V ·s):2500~3500 ;200~500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP

4) 2 ″ (50,8 mm) plaquette de GaSb
Orientation :(111)B±0.5°
Épaisseur(μm):500±25;450±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobilité (cm2/V ·s):2500~3500 ;200~500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP

5) 2″ (50,8 mm) tranche de GaSb
Orientation :(111)B 2deg.off
Épaisseur(μm):500±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobilité (cm2/V ·s):2500~3500 ;200~500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP

Produits relatifs :
plaquette InAs
plaquette InSb
plaquette InP
plaquette GaAs
tranche de GaSb
Plaquette GaP

L'antimoniure de gallium (GaSb) peut être fourni sous forme de plaquettes avec des finitions brutes de coupe, gravées ou polies et est disponible dans une large gamme de concentrations, de diamètres et d'épaisseurs de porteurs.

Le matériau GaSb présente des propriétés intéressantes d'antimoniure de gallium pour les dispositifs thermophotovoltaïques à simple jonction (TPV). GaSb : monocristal de Te développé avec les méthodes de Czochralski (Cz) ou de Czochralski modifié (Mo-Cz) sont présentés et le problème de l'homogénéité de Te discuté. La mobilité des porteurs étant l'un des points clés des cristaux d'antimoniure de gallium, des mesures de Hall sont réalisées. Nous présentons ici quelques développements complémentaires basés sur le point de vue du traitement des matériaux : la croissance massive des cristaux d'antimoniure de gallium, la préparation des plaquettes d'antimoniure de gallium et la gravure des plaquettes d'antimoniure de gallium. Les étapes suivantes sont liées à l'élaboration de la jonction p/no rn/p. Quelques résultats obtenus pour différentes approches d'élaboration de couches minces sont présentés. Ainsi, du simple processus de diffusion en phase vapeur ou du processus d'épitaxie en phase liquide jusqu'au processus de dépôt chimique en phase vapeur d'organo-métalliques, nous rapportons une certaine spécificité du matériau.

Nous proposons également un service épi de plaquette d'antimonide de gallium, ci-dessous à titre d'exemple :

Plaquette épi GaSb de taille 2 pouces :
Couche Epi : épaisseur 0,5 um, couche épi GaSb non dopée/de type p (couche épi InP non dopée également disponible),
Substrat : 2" GaAs semi-isolant

 

Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux au gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et aux matériaux au germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À compter du 1er août 2023, l’exportation de ces matériaux n’est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère votre compréhension et votre coopération !

Plus d'informations sur l'epiwafer, veuillez lire:

Couche mince de GaSb sur GaAs

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