Plaquette de GaSb

Description du produit

PAM-XIAMEN propose une plaquette GaSb à semi-conducteur composé -antimoniure de galliumcultivé par LEC (Liquid Encapsulated Czochralski), qui peut réduire les défauts de l'antimoniure de gallium. La plaquette de GaSb est épi-prête ou de qualité mécanique avec un type n, un type p ou semi-isolant dans une orientation différente (111) ou (100).

L'antimoniure de gallium (GaSb) est un composé semi-conducteur de gallium et d'antimoine de la famille III-V. Il a une constante de réseau d'environ 0,61 nm. Les plaquettes GaSb peuvent être utilisées pour les détecteurs infrarouges, les LED infrarouges, les lasers et les transistors, et les systèmes thermophotovoltaïques.

Voici la spécification détaillée de la plaquette :

Orientation :(100)±0,5°
Épaisseur(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:P/low doped;P/Si;P/Zn
Nc(cm-3):(1~2)E17
Mobilité (cm2/V ·s):600~700
Méthode de croissance : CZ
Polonais : SSP

2) 2 ″ (50,8 mm) tranche de GaSb
Orientation :(100)±0,5°
Épaisseur(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:N/low doped;P/Te
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobilité (cm2/V ·s):2500~3500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP

3)2″(50,8 mm) plaquette de GaSb
Orientation :(111)A±0.5°
Épaisseur(μm):500±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobilité (cm2/V ·s):2500~3500 ;200~500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP

4) 2 ″ (50,8 mm) plaquette de GaSb
Orientation :(111)B±0.5°
Épaisseur(μm):500±25;450±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobilité (cm2/V ·s):2500~3500 ;200~500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP

5) 2″ (50,8 mm) tranche de GaSb
Orientation :(111)B 2deg.off
Épaisseur(μm):500±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobilité (cm2/V ·s):2500~3500 ;200~500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP

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L'antimoniure de gallium (GaSb) peut être fourni sous forme de plaquettes avec des finitions brutes de coupe, gravées ou polies et est disponible dans une large gamme de concentrations, de diamètres et d'épaisseurs de porteurs.

Le matériau GaSb présente des propriétés intéressantes d'antimoniure de gallium pour les dispositifs thermophotovoltaïques à simple jonction (TPV). GaSb : monocristal de Te développé avec les méthodes de Czochralski (Cz) ou de Czochralski modifié (Mo-Cz) sont présentés et le problème de l'homogénéité de Te discuté. La mobilité des porteurs étant l'un des points clés des cristaux d'antimoniure de gallium, des mesures de Hall sont réalisées. Nous présentons ici quelques développements complémentaires basés sur le point de vue du traitement des matériaux : la croissance massive des cristaux d'antimoniure de gallium, la préparation des plaquettes d'antimoniure de gallium et la gravure des plaquettes d'antimoniure de gallium. Les étapes suivantes sont liées à l'élaboration de la jonction p/no rn/p. Quelques résultats obtenus pour différentes approches d'élaboration de couches minces sont présentés. Ainsi, du simple processus de diffusion en phase vapeur ou du processus d'épitaxie en phase liquide jusqu'au processus de dépôt chimique en phase vapeur d'organo-métalliques, nous rapportons une certaine spécificité du matériau.

Nous proposons également un service épi de plaquette d'antimonide de gallium, ci-dessous à titre d'exemple :

Plaquette épi GaSb de taille 2 pouces :
Couche Epi : épaisseur 0,5 um, couche épi GaSb non dopée/de type p (couche épi InP non dopée également disponible),
Substrat : 2" GaAs semi-isolant

 

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Plus d'informations sur l'epiwafer, veuillez lire:

Couche mince de GaSb sur GaAs