Silicion de zone flottante, Silicon FZ, processus de zone flottante, lingot de silicium, N de type Silicon Wafer

Float-Zone Mono-Crystalline Silicon

PAM-XIAMEN peut offrir une plaquette de silicium sur zone flottante, qui est obtenue par la méthode de la zone flottante. Les tiges de silicium monocristallines sont obtenues par la croissance de la zone flottante, puis traitent les tiges de silicium monocristallines dans des plaquettes de silicium, appelées plaquettes de silicium de zone flottante. Étant donné que la tranche de silicium fondu sur zone n'est pas en contact avec le creuset en quartz pendant le processus de silicium de la zone flottante, le matériau en silicium est en suspension. Ainsi, il est moins pollué pendant le processus de fonte des zones flottantes du silicium. La teneur en carbone et la teneur en oxygène sont plus faibles, les impuretés sont moindres et la résistivité est plus élevée. Il convient à la fabrication de dispositifs d'alimentation et à certains dispositifs électroniques à haute tension.

Catégorie:plaquette de silicium Mots clés:Zone flottante,Processus de zone flottante,Silicium FZ,Plaquette de silice,Lingot en silicium,Fabricants de lingots en silicium

Description

Description

1. Spécification de la plaquette de silicium de zone flottante

ouais	Type de conduction	Orientation	Diamètre(mm)	Conductivité (Ω•cm)
Résistance élevée	N&P	<100> & <111>	76.2-200	>1000
NTD	N	<100> & <111>	76.2-200	30-800
Cfz	N&P	<100> & <111>	76.2-200	1-50
DG	N&P	<100> & <111>	76.2-200	0,001-300

1.1 Spécification de la plaquette de silicium de zone flottante

Paramètre de lingot	Article	Description
	Méthode croissante	FZ
	Orientation	<111>
	Hors orientation	4 ± 0,5 degrés au <110> le plus proche
	Type/Dopant	P/Bore
	Résistivité	10-20 W.cm
	VRR	≤15 % (bord maximum-Cen)/Cen

1.2 Spécification FZ Silicon Wafer

Paramètre de plaquette	Article	Description
	Diamètre	150 ± 0,5 mm
	Épaisseur	675 ± 15 um
	Longueur plate principale	57,5 ± 2,5 mm
	Orientation principale à plat	<011>±1 degré
	Longueur plate secondaire	Aucun
	Orientation plate secondaire	Aucun
	TTV	≤5 um
	Arc	≤40 um
	Chaîne	≤40 um
	Profil de bord	Norme SEMI
	Face avant	Polissage Chimique-Mécanique
	LPD	≥0,3 um@≤15 pièces
	Surface arrière	Gravé à l'acide
	Puces de bord	Aucun
	Emballer	Emballage à vide; Plastique intérieur, aluminium extérieur

2. Silicium mono-cristallin à la zone flottanteclassements

2.1 FZ-Silicium

Le silicium mono-cristallin avec les caractéristiques d'une faible teneur en matériaux étrangers, d'une densité de défauts faibles et d'une structure cristalline parfaite est produit avec le processus de silicium de la zone flottante; Aucun matériau étranger n'est introduit pendant la croissance des cristaux de silicium sur zone flottante. LeFZ-SiliconLa conductivité est généralement supérieure à 1000 Ω-cm, et un silicium de zone flottante à haute résistivité est principalement utilisé pour produire les éléments élevés de tension inverse et les dispositifs photoélectroniques. Il peut également être utilisé pour le processus de gravure à sec.

2.2 NTDFZ-Silicium

Le silicium mono-cristallin à haute résistance et uniformité peut être obtenu par l'irradiation des neutrons de FZ-Silicion, pour assurer le rendement et l'uniformité des éléments produits, et est principalement utilisé pour produire le redresseur de silicium (SR), le contrôle du silicium (SCR) , transistor géant (GTR), thyristor de tour de retour (GTO), thyristor à induction statique (Sith), transistor bipolaire à la gate d'isolation (IGBT), diode HV supplémentaire (PIN), puissance intelligente et puissance IC, etc.; Il s'agit du principal matériau fonctionnel pour divers convertisseurs de fréquence, redresseurs, éléments de contrôle de grande puissance, nouveaux dispositifs électroniques de puissance, détecteurs, capteurs, dispositifs photoélectroniques et dispositifs d'alimentation spéciaux.

FZ NTD Silicon Wafer avec une concentration de dopage uniforme

2.3 GDFZ-Silicium

En utilisant le mécanisme de diffusion de matériaux étrangers, ajoutez le matériau étranger en phase gazeuse pendant le processus de silicium monocristallin de zone flottante, pour résoudre le problème de dopage du processus de zone flottante à partir de la racine et pour obtenir le Silicon GDFZ qui est le type N ou de type p, a la résistivité 0,001-300 Ω.CM, une bonne uniformité de résistivité relative et l'irradiation des neutrons. Il est applicable à la production de divers éléments de puissance semi-conducteurs, du transistor bipolaire à l'isolement (IGBT) et des cellules solaires à haute efficacité, etc.

2.4 CFZ-Silicium

Le silicium monocristallin est produit avec la combinaison de Czochralski et des processus de zone flottante, et a la qualité entre le silicium monocristallin CZ et le silicium monocristallin FZ; Les éléments spéciaux peuvent être dopés, comme le GA, GE et autres. Les plaquettes solaires en silicium CFZ de nouvelle génération sont meilleures que diverses tranches de silicium dans l'industrie photovoltaïque mondiale sur chaque indice de performance; L'efficacité de conversion du panneau solaire est de 24 à 26%. Les produits sont principalement appliqués dans les batteries solaires à haute efficacité avec la structure spéciale, le contact arrière, le coup et d'autres processus spéciaux, et plus largement utilisés dans la LED, les éléments électriques, l'automobile, le satellite et d'autres produits et champs.

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Plaquette Si MEMS développée par FZ
Plaquette de silicium 4″ FZ Prime

Plaquette de silicium FZ Prime 4″-2

Plaquette de silicium FZ Prime-4 de 4″

Plaquette de silicium FZ Prime-5 de 4″

Plaquette de silicium 4″ FZ Prime-6

Plaquette de silicium FZ Prime-7 de 4″

Plaquette de silicium FZ Prime-8 de 4″

Plaquette de silicium FZ Prime 4″-9