Float-Zone monocristallins Silicon
PAM-XIAMEN peut proposer une plaquette de silicium à zone flottante, obtenue par la méthode Float Zone. Les tiges de silicium monocristallin sont obtenues par croissance de la zone flottante, puis transforment les tiges de silicium monocristallin en tranches de silicium, appelées tranches de silicium à zone flottante. Etant donné que la plaquette de silicium fondu dans la zone n'est pas en contact avec le creuset en quartz pendant le processus de silicium à zone flottante, le matériau de silicium est dans un état suspendu. De ce fait, il est moins pollué lors du processus de fusion en zone flottante du silicium. La teneur en carbone et la teneur en oxygène sont plus faibles, les impuretés sont moindres et la résistivité est plus élevée. Il convient à la fabrication d'appareils de puissance et de certains appareils électroniques à haute tension.
- La description
Description du produit
PAM-XIAMEN peut proposer une plaquette de silicium à zone flottante, obtenue par la méthode Float Zone. Les tiges de silicium monocristallin sont obtenues par croissance de la zone flottante, puis transforment les tiges de silicium monocristallin en tranches de silicium, appelées tranches de silicium à zone flottante. Etant donné que la plaquette de silicium fondu dans la zone n'est pas en contact avec le creuset en quartz pendant le processus de silicium à zone flottante, le matériau de silicium est dans un état suspendu. De ce fait, il est moins pollué lors du processus de fusion en zone flottante du silicium. La teneur en carbone et la teneur en oxygène sont plus faibles, les impuretés sont moindres et la résistivité est plus élevée. Il convient à la fabrication d'appareils de puissance et de certains appareils électroniques à haute tension.
1. Float zone silicon wafer specification
| ype | Type de Conduction | Orientation | Diamètre (mm) | Conductivité (Ω • cm) |
| Haute résistance | N & P | <100> et <111> | 76.2-200 | >1000 |
| NTD | N | <100> et <111> | 76.2-200 | 30-800 |
| CFZ | N & P | <100> et <111> | 76.2-200 | 1-50 |
| GD | N & P | <100> et <111> | 76.2-200 | 0,001 à 300 |
1.1 Floating zone silicon wafer specification
| lingot Paramètre | Article | Description |
| méthode de culture | FZ | |
| Orientation | <111> | |
| Off-orientation | 4±0.5 degree to the nearest <110> | |
| Type/Dopant | P/Boron | |
| Resistivity | 10-20 W.cm | |
| RRV | ≤15% (Max edge-Cen)/Cen |
1.2 FZ silicon wafer specification
| meter | Item | Description |
| Diameter | 150±0.5 mm | |
| Thickness | 675±15 um | |
| Primary Flat Length | 57.5±2.5 mm | |
| Primary Flat Orientation | <011>±1 degree | |
| Secondary Flat Length | None | |
| Secondary Flat Orientation | None | |
| TTV | ≤5 um | |
| Bow | ≤40 um | |
| Warp | ≤40 um | |
| Edge Profile | SEMI Standard | |
| Front Surface | Chemical-Mechenical Polishing | |
| LPD | ≥0.3 um@≤15 pcs | |
| Back Surface | Acid Etched | |
| Edge Chips | None | |
| Emballer | Vacuum Packing; Inner Plastic, Outer Aluminum |
2. Float-zone mono-crystalline silicon classifications
2.1 FZ-Silicon
The mono-crystalline silicon with the characteristics of low foreign-material content, low defect density and perfect crystal structure is produced with the float zone silicon process; no foreign material is introduced during the float zone silicon crystal growth. The FZ-Silicon conductivity is usually above 1000 Ω-cm, and such a high resistivity float zone silicon is mainly used to produce the high inverse-voltage elements and photoelectronic devices. It also can be used for dry etching process.
2.2 NTDFZ-Silicon
The mono-crystalline silicon with high-resistivity and uniformity can be achieved by neutron irradiation of FZ-silicon, to ensure the yield and uniformity of produced elements, and is mainly used to produce the silicon rectifier (SR), silicon control (SCR), giant transistor (GTR), gate-turn-off thyristor (GTO), static induction thyristor (SITH), insulate-gate bipolar transistor (IGBT), extra HV diode (PIN), smart power and power IC, etc; it is the main functional material for various frequency converters, rectifiers, large-power control elements, new power electronic devices, detectors, sensors, photoelectronic devices and special power devices.
FZ NTD Silicon Wafer with a Uniform Doping Concentration
2.3 GDFZ-Silicon
Utilizing the foreign-material diffusion mechanism, add the gas-phase foreign-material during the floating zone monocrystalline silicon process, to solve the doping problem of float-zone process from the root, and to get the GDFZ-silicon which is N-type or P-type, has the resistivity 0.001-300 Ω.cm, relative good resistivity uniformity and neutron irradiation. It is applicable for producing various semi-conductor power elements, insulate-gate bipolar transistor (IGBT) and high-efficiency solar cell, etc.
2.4 CFZ-Silicon
Le produit est du silicium monocristallin avec la combinaison de Czochralski et le flotteur de la zone des processus, et a la qualité entre le silicium monocristallin CZ et le silicium monocristallin FZ; les éléments spéciaux peuvent être dopés, tels que le Ga, Ge et d'autres. La nouvelle génération de tranches solaires en silicium CFZ sont meilleures que diverses plaquettes de silicium dans l'industrie mondiale de PV sur chaque indice de performance; le rendement de conversion du panneau solaire est à 24-26%. Les produits sont principalement appliqués dans les batteries solaires à haut rendement avec la structure spéciale, contact arrière, HIT et d'autres procédés spéciaux, et plus largement utilisés dans la LED, des éléments de puissance, automobile, satellite et divers autres produits et champs.
Nos avantages en un coup d'oeil
1.Advanced équipement de croissance Épitaxie et l'équipement d'essai.
2.Offer the highest quality with low defect density and good float zone silicon surface roughness.
3.strong soutien de l'équipe de recherche et de soutien technologique pour nos clients
Si MEMS Wafer Grown by FZ
4″ FZ Prime Silicon Wafer
3″ FZ Prime Silicon Wafer Thickness: 350±15um
4″ FZ Prime Silicon Wafer Thickness: 400µm +/-25µm
4″FZ Prime Silicon Wafer Thickness: 400µm +/-25µm-2
4″ FZ Silicon Ingot with Diameter 100.7±0.3mm
3″ FZ Silicon Wafer Thickness：229-249μm -1
3″ FZ Silicon Wafer Thickness：229-249μm -2
Tranches de silicium non dopées intrinsèques FZ
1″ FZ Silicon Ingot with Diameter 25mm
2″ FZ Silicon Ingot with Diameter 50mm
4″ FZ Intrinsic Silicon Wafer SSP
4″ FZ Intrinsic Silicon Wafer DSP
3″ FZ Silicon Ingot with Diameter 76mm
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