Substrat NdGaO3

Substrat NdGaO3

PAM XIAMEN propose le substrat NdGaO3.

 

Substrat NdGaO3 (011)

NdGaO3 (011) 10x10x0,4 mm, 1 SP

NdGaO3 (011) 10x10x0,5 mm, 1 SP

NdGaO3 (011) 2″ dia x0.5 mm, 1 SP

 

Substrats NdGaO3(001)

NdGaO3 (001) 5x5x0,5 mm, 1 SP

NdGaO3 (001) 10x10x0,5 mm, 1 SP

NdGaO3 (001) 10x10x0,5 mm, 2 SP

 

Substrats NdGaO3(100)

NdGaO3 (100) 10x3x0.5mm, 1 SP

NdGaO3 (100) 5x5x0.5mm, 1 SP

NdGaO3 (100) 5x5x0.5mm, 2SP

NdGaO3 (100) 1/4" x 1/4" x 0.5mm, 2 SP

NdGaO3 (100) 10x10x0,5 mm, 1 SP

NdGaO3 (100) 10x10x0,5 mm, 2 SP

NdGaO3 (100) 15x15xx0,5 mm, 2 SP

NdGaO3 (100) 2″” dia x0.5 mm, 1 SP

 

Substrats NdGaO3(110)

NdGaO3 (110) 5x5x0.5mm, 1 SP

NdGaO3 (110) 5x5x0.5mm, 2 SP

NdGaO3 (110) 1/4" x 1/4" x 0.5mm, 1 SP

NdGaO3 (110) 10x10x0,5 mm, 1 SP

NdGaO3 (110) 10x10x0,5 mm, 2 SP

NdGaO3 (110) 2″ dia x0.5 mm, 2 SP

Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web:https://www.powerwaywafer.com,
envoyez-nous un e-mail àsales@powerwaywafer.cometpowerwaymaterial@gmail.com

Fondée en 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) est l'un des principaux fabricants de matériaux semi-conducteurs en Chine.PAM-XIAMEN développe des technologies avancées de croissance cristalline et d'épitaxie, des procédés de fabrication, des substrats techniques et des dispositifs semi-conducteurs.Les technologies de PAM-XIAMEN permettent des performances plus élevées et une fabrication à moindre coût de tranches de semi-conducteurs.

Avec plus de 25 ans d'expérience dans le domaine des matériaux semi-conducteurs composés et les activités d'exportation, notre équipe peut vous assurer que nous pouvons comprendre vos besoins et traiter votre projet de manière professionnelle.

2019-05-13

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