Modelli GaN

I prodotti modello PAM-XIAMEN sono costituiti da strati cristallini di modelli GaN (nitruro di gallio), modelli AlN (nitruro di alluminio), modelli AlGaN (nitruro di gallio alluminio) e modelli InGaN (nitruro di gallio indio), che sono depositati su zaffiro
  • Descrizione

Descrizione del prodotto

GaN Template (nitruro di gallio template)

PAM-XIAMEN’s GaN Template consists of crystalline layers of gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN), aluminum gallium nitride (AlGaN) and indium gallium nitride (InGaN), which are epilayer on sapphire and electronic grade for fabrication as MOS-based devices. PAM-XIAMEN’s Gallium Nitride Template Products enable 20-50% shorter epitaxy cycle times and higher quality epitaxial device layers, with better structural quality and higher thermal conductivity,which can improve devices in the cost, yield, and performance.

2 "(50,8 mm)Modelli GaNEpitassia su substrati di zaffiro

Voce PAM-2 pollici-GaNT-N PAM-2 pollici-GaNT-SI
Tipo conduzione Tipo N Semi-isolante
drogante Si drogato o non drogato Fe dopato
Dimensione 2 ″ (50mm) dia.
Spessore 4um, 20um, 30um, 50um, 100um 30um, 90um
Orientamento Asse C (0001) +/- 1 °
Resistività (300K) <0.05Ω · cm > 1 × 106Ω · cm
lussazione Densità <1x108cm-2
Struttura del substrato GaN on Sapphire (0001)
Finitura superficiale Lato singolo o doppio lucido, pronto per l'epi
superficie utile ≥ 90%

Epitassia per modelli GaN da 2 ″ (50,8 mm) su substrati in zaffiro

Voce PAM-GANT-P
Tipo conduzione Di tipo P
drogante Mg drogato
Dimensione 2 ″ (50mm) dia.
Spessore 5um, 20um, 30um, 50um, 100um
Orientamento Asse C (0001) +/- 1 °
Resistività (300K) <1Ω · cm o personalizzato
Concentrazione dopante 1E17 (cm-3) o personalizzato
Struttura del substrato GaN on Sapphire (0001)
Finitura superficiale Lato singolo o doppio lucido, pronto per l'epi
superficie utile ≥ 90%

 Epitassia Ga3 da 3 ″ (76,2 mm) su substrati di zaffiro

Voce PAM-3inch-GANT-N
Tipo conduzione Tipo N
drogante Si drogato o non drogato
Zona di esclusione: 5 mm dal diametro esterno
Spessore: 20um, 30um
Densità di lussazione <1x108cm-2
Resistenza del foglio (300K): <0.05Ω · cm
Substrato: zaffiro
Orientamento: C-plane
Spessore zaffiro: 430um
lucidatura: Un lato lucido, pronto per l'epi, con gradini atomici.
Rivestimento posteriore: (personalizzato) rivestimento in titanio di alta qualità, spessore> 0,4 ​​μm
Imballaggio: Confezionato singolarmente sotto argon
Atmosfera sigillata sotto vuoto in camera bianca di classe 100.

Epitassia Ga3 da 3 ″ (76,2 mm) su substrati di zaffiro

Voce PAM-3inch-GANT-SI
Tipo conduzione Semi-isolante
drogante Fe Doped
Zona di esclusione: 5 mm dal diametro esterno
Spessore: 20um, 30um, 90um (20um è il migliore)
Densità di lussazione <1x108cm-2
Resistenza del foglio (300K): > 106 ohm.cm
Substrato: zaffiro
Orientamento: C-plane
Spessore zaffiro: 430um
lucidatura: Un lato lucido, pronto per l'epi, con gradini atomici.
Rivestimento posteriore: (personalizzato) rivestimento in titanio di alta qualità, spessore> 0,4 ​​μm
Imballaggio: Confezionato singolarmente sotto atmosfera di argon sigillato sotto vuoto in camera bianca di classe 100.

Modelli GaN da 4 ″ (100 mm) epitassiali su substrati in zaffiro

Voce PAM-4inch-GANT-N
Tipo conduzione Tipo N
drogante non drogato
Spessore: 4um
Densità di lussazione <1x108cm-2
Resistenza del foglio (300K): <0.05Ω · cm
Substrato: zaffiro
Orientamento: C-plane
Spessore zaffiro:
lucidatura: Un lato lucido, pronto per l'epi, con gradini atomici.
Imballaggio: Confezionato singolarmente in atmosfera argon
sottovuoto in camera bianca di classe 100.

2 "(50,8 mm) AlGaN, InGaN, AlN Epitaxy su modelli di zaffiro: personalizzato
Epitassia AlN da 2 ”(50,8 mm) su modelli in zaffiro

Voce PAM-AlNT-SI
Tipo conduzione semi-isolante
Diametro Ф 50,8 millimetri ± 1mm
Spessore: 1000nm +/- 10%
Substrato: zaffiro
Orientamento: Asse C (0001) +/- 1 °
Orientamento piatto Un aereo
XRD FWHM di (0002) <200 arcsec.
Superficie utilizzabile ≥90%
lucidatura: Nessuno

2” (50,8 millimetri)Epitassia InGaN su modelli di zaffiro

Voce PAM-InGaN
Tipo di conduzione
Diametro Ф 50,8 mm ± 1 mm
Spessore: 100-200nm, personalizzato
Substrato: zaffiro
Orientamento: Asse C (0001) +/- 1O
drogante In
Densità di lussazione ~ 108 cm-2
Superficie utilizzabile ≥90%
Finitura superficiale Lato singolo o doppio lucido, pronto per l'epi

Epitassia AlGaN da 2 ”(50,8 mm) su modelli in zaffiro

Voce PAM-AlNT-SI
Tipo conduzione semi-isolante
Diametro Ф 50,8 millimetri ± 1mm
Spessore: 1000nm +/- 10%
Substrato: zaffiro
Orientamento: C-plane
Orientamento piatto Un aereo
XRD FWHM di (0002) <200 arcsec.
Superficie utilizzabile ≥90%
lucidatura: Nessuno

Modello GaN su zaffiro e silicone

GaN da 2 ″ (50,8 mm) su substrato SiC 4H o 6H

1) Sono disponibili buffer GaN non protetti o buffer AlN;
2) disponibili strati epitassiali GaN di tipo n (Si drogati o non drogati), di tipo p o semiisolanti;
3) strutture conduttive verticali su SiC di tipo n;
4) AlGaN - 20-60nm di spessore, (20% -30% Al), tampone drogato con Si;
5) Strato GaN tipo n su wafer da 2 ”da 330 µ +/- +/- 25um.
6) Lato singolo o doppio lucido, pronto per l'epi, Ra <0,5um
7) Valore tipico su XRD:
ID wafer ID substrato XRD (102) XRD (002) Spessore
#2153 X-70105033 (con AlN) 298 167 679um
         
Singolo o doppio lato lucidato, epi-ready, Ra <0.5um

GaN su substrato SiC

6 "(150mm) n-GaN on doppio lato lucido zaffiro piatto

Bersaglio osservazione  
Diametro del substrato 150 mm +/- 0,15 mm
Spessore del substrato 1300 um o 1000um +/- 25 um
piano c (0001), angolo di taglio verso il piano m 0,2 gradi +/- 0,1 gradi
Singola lunghezza piatta primaria 47.5 mm +/- 1 mm
Orientamento piatto un aereo +/- 0,2 gradi
Spessore n-GaN drogato con si 4 um +/- 5%
Concentrazione di Si in n-GaN 5e18 cm-3
spessore u-GaN 1 um no questo strato
Curva oscillante XRD (002) <250 arcsec <300 arcsec
Curva oscillante XRD (102) <250 arcsec <350 arcsec
Densità di lussazione <5e8 cm-2
Superficie del lato anteriore, AFM (5 × 5 um2) Ra <0,5 nm, pronto per Epi
Superficie posteriore \ e 0,6 - 1,2 um, terreno fine
Inchino wafer <100 um no questi dati
resistività n-GaN (300K) <0,01 ohm-cm2
Variazione di spessore totale <25 um <10um
Densità del difetto Difetti macro (> 100 um): <1 / wafer Micro difetti (1-100 um): <1 / cm2 Difetti macro (> 100 um): <10 / wafer Micro difetti (1-100 um): <10 / cm2
marcatura laser sul retro dell'appartamento wafer
Pacchetto confezionato in un ambiente di camera bianca di classe 100, in cassette da 25 pezzi o contenitori per wafer singoli, in atmosfera di azoto, doppio sigillato
Esclusione dei bordi <3 mm
Superficie utilizzabile > 90%

Processo di epitassia con fase vapore di idruro (HVPE)

GaN template on sapphire is grown by HVPE process and technology for the production of compound semiconductors such as GaN, AlN, and AlGaN. GaN templates are used in a wide applications: solid state lighting, short wavelength optoelectronics and RF power device.

Nel processo HVPE, i nitruri del gruppo III (come GaN, AlN) si formano facendo reagire i cloruri metallici gassosi caldi (come GaCl o AlCl) con ammoniaca gas (NH3). I cloruri metallici vengono generati facendo passare gas HCl caldo sui metalli caldi del Gruppo III. Tutte le reazioni sono fatte in un forno al quarzo a temperatura controllata.

Offriremo rapporti di prova, vedi sotto un esempio:

AlGaN rapporto struttura modello

Rapporto FWHM e XRD

Substrato e modello in cristallo singolo AlN su zaffiro / silicio

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