Tag - Silicon Wafer

Silicio pieno wafer bonding con atomico strato depositato biossido di titanio e ossido di alluminio film intermedi

Silicio pieno wafer bonding con strato depositato biossido di titanio e ossido di alluminio atomici film intermedi silicio su isolante (SOI) wafer fatti da wafer bonding diretto sono ampiamente utilizzate come substrati per sistemi microelettromeccanici (MEMS) fabbricazione. Aggiungendo un altro strato successivo alla SiO2 SOI, o la sostituzione con un altro materiale, sarà un modo [...]

Avanzate caratterizzazione di cellule Silicon Wafer solari

caratterizzazione astratta avanzata svolge un ruolo importante per ulteriori miglioramenti del rapporto costo-efficacia ($ / Wp) di celle solari. Questo articolo presenta una panoramica di tecniche di caratterizzazione avanzate che sono attualmente in uso per l'analisi delle celle solari wafer di silicio, sia in laboratorio o nelle fabbriche. Tecniche trattati comprendono l'imaging luminescenza, [...]

Imec Ingegneri Forma FinFETs più velocemente da composti semiconduttori su wafer di silicio

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Wafer di silicio

Silicon Wafer Si wafer Substrate -Silicon Quantity Material Orientation. Diameter Thickness Polish Resistivity Type Dopant Nc Mobility EPD PCS (mm) (μm) Ω·cm   a/cm3 cm2/Vs /cm2 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b N/A N/A N/A 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b (1-200)E16 N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525 N/A <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si with Oxide layer (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 350-500 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si with electrodes (100) 50.8 400 N/A <0.05 N/p 1E14-1E15 N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275±25 SSP 1~10 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 350±15 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 430±15 SSP 5000-8000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 410±15 SSP 1~20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 400-500 SSP >5000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 525±25 SSP 1~50 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 SSP 1~10 N  P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 P/P >700 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 76.2 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 SSP N/A N/P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 320 SSP >2500ohm·cm P/b N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 N/A SSP 10~30 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 505±25 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 381 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625±25 SSP 0.001-0.004 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si with Oxide layer 3000A (100) 100 675±25 SSP 0.001-0.004 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625±25 SSP 0.001-0.004 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 N/A SSP N/A P/b N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 500±25 SSP 1~25 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 500 SSP 1~10 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 500±25 P/E 1-10 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 500/525±25 P/P 1-10 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 500/525±25 N/A N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 500±25 P/P >700 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 150 675±25 N/A  0.001-0.004 P/b N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 150 675±25 N/A  0.001-0.004 P/b N/A N/A N/A 1-100 Si (100)/(111) 150 550~650 DSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100)/(111) 150 600-700 SSP <0.5 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 150 400±25 DSP <50 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 150 545 P/E 1-3 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 200 725±25 SSP 1~25 P/ N/A N/A N/A As a [...]