Epi Wafer per Laser Diode

Epi Wafer for Laser Diode

Il wafer epitassico LD basato su GaAs, che può generare emissioni stimolanti, è ampiamente utilizzato per la fabbricazione di diodi laser poiché le proprietà superiori del wafer epitassiale GaAs rendono il dispositivo un basso consumo energetico, alta efficienza, lunga durata e così via. Oltre al wafer epitassico LD all'arseniuro di gallio , i materiali semiconduttori comunemente usati sono il solfuro di cadmio (CdS), il fosfuro di indio (InP) e il solfuro di zinco (ZnS).

  • Descrizione

Descrizione del prodotto

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), un fornitore di wafer epitassiali LD, si concentra sui wafer epi a diodi laser basati su GaAs e InP coltivati ​​dai reattori MOCVD per la comunicazione in fibra ottica, l'applicazione industriale e l'uso per scopi speciali. PAM-XIAMEN è in grado di offrire wafer di epitassia LD basato su substrato GaAs per vari campi, come VCSEL, infrarossi, fotorilevatore e così via. Maggiori dettagli sul materiale del wafer di epitassia LD, fare riferimento alla tabella seguente:

Materiale del substrato Capacità materiale lunghezza d'onda Applicazione
GaAs GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP 635nm  
Epi-wafer basato su GaAs 650nm Laser a emissione di superficie in cavità verticale (VCSEL)
RCLED
GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP 660nm  
GaAs/AlGaAs/GalnP/AlGaAs/GaAs 703nm  
GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP 780nm  
GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP 785nm  
Epi-wafer basato su GaAs 800-1064nm LD a infrarossi
GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP 808nm LD a infrarossi
Epi-wafer basato su GaAs 850nm Laser a emissione di superficie in cavità verticale (VCSEL)
RCLED
Epi-wafer basato su GaAs <870nm Foto-rilevatore
Epi-wafer basato su GaAs 850-1100nm Laser a emissione di superficie in cavità verticale (VCSEL)
RCLED
GaAs/AlGaAs/GaInAs/AlGaAs/GaAs 905nm  
GaAs/AlGaAs/InGaAs/AlGaAs/GaAs 950nm  
Epi-wafer basato su GaAs 980nm LD a infrarossi
Epi-wafer basato su InP 1250-1600 nm Fotorilevatore di valanghe
Epi-wafer basato su GaAs 1250-1600nm/>2.0um
(Strato assorbente InGaAs)
Foto-rilevatore
Epi-wafer basato su GaAs 1250-1600 nm/<1,4μm
(Strato assorbente InGaAsP)
Foto-rilevatore
Epi-wafer basato su InP 1270-1630 nm Laser DFB
Substrato GaAsP/GaAs/GaAs 1300nm  
Epi-wafer basato su InP 1310nm Laser FP
Substrato GaAsP/GaAs/GaAs 1550nm Laser FP
  1654nm  
Epi-wafer basato su InP 1900nm Laser FP
  2004nm  

 

Informazioni su LD Epitaxy Wafer Applications & Market

Le applicazioni del wafer di epitassia LD basato su GaAs nel campo laser possono essere suddivise in VCSEL e non VCSEL. Le attuali applicazioni di epitassia LD basate su GaAs risiedono principalmente nei VCSEL. VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), basato su materiali GaAs, viene utilizzato principalmente per il riconoscimento facciale. Si prevede che avrà un alto tasso di crescita in futuro. EEL (Edge Emitting Laser) è un dispositivo non VCSEL, utilizzato principalmente nel campo del lidar automobilistico, e si prevede che la domanda aumenterà con l'espansione del mercato delle auto senza conducente.

Il substrato GaAs utilizzato nel campo laser richiede indicatori tecnici elevati e il prezzo unitario del wafer epitassiale è significativamente superiore a quello di altri campi. Ci si può aspettare il futuro spazio di mercato epitassiale LD. Le applicazioni laser sono le più sensibili alla densità di dislocazione. C'è un elevato requisito per i materiali del substrato GaAs nelle applicazioni laser. Pertanto, il requisito più elevato viene proposto ai produttori di wafer epitassiali LD e al processo di wafer epitassiale LD. Attualmente, il laser a semiconduttore basato su substrato GaAs nella banda del vicino infrarosso (760~1060 nm) ha lo sviluppo più maturo e l'applicazione più diffusa ed è già stato commercializzato.

 

Nota:
Il governo cinese ha annunciato nuovi limiti all’esportazione di materiali al gallio (come GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiali al germanio utilizzati per produrre chip semiconduttori. A partire dal 1 agosto 2023, l'esportazione di questi materiali è consentita solo se si ottiene una licenza dal Ministero del Commercio cinese. Spero nella vostra comprensione e collaborazione!

Si prega di vedere sotto le specifiche di dettaglio del wafer di epitassia LD:

Chip wafer laser VCSEL

VCSEL Laser Epi Wafer

Epi wafer a diodi laser 703nm

808nm diodo laser epi wafer-1

Epi wafer a diodi laser da 780 nm

Epi wafer a diodi laser da 650 nm

Epi wafer a diodi laser da 785 nm

808nm diodo laser epi wafer-2

Epi wafer a diodi laser da 850 nm

Epi wafer a diodi laser 905nm

Epi wafer a diodo laser 940nm

Epi wafer a diodi laser da 950 nm

Wafer laser ad alta potenza da 1060 nm

Wafer a diodi laser da 1300 nm

Wafer a diodo laser a pompa da 1460 nm

Epi wafer a diodi laser da 1550 nm

Epi wafer a diodi laser da 1654 nm

Epi wafer a diodo laser 2004nm

GaAs Epitassia con crescita spessa

Struttura Epi basata su GaAs MOCVD sviluppata per emettitore di luce

Stretto InGaAsP Quantum ben cresciuto su wafer InP

Strati InAs Quantum Dot su substrato InP

Wafer laser FP (Fabry-Perot).

Wafer PCEL

Wafer laser a cascata quantistica

 

Chip a singolo emettitore

Chip LD a singolo emettitore 755nm @8W

Chip LD a singolo emettitore 808nm @8W

Chip LD a singolo emettitore 808nm @10W

Chip LD a singolo emettitore 830nm @2W

Chip LD a singolo emettitore 880nm @8W

Chip LD a singolo emettitore 900+nm @10W

Chip LD a singolo emettitore 900+nm @15W

Chip LD a singolo emettitore 905nm @25W

Chip LD a singolo emettitore 1470nm @3W

PAM XIAMEN offre un singolo chip laser ad alta potenza 1470/1550nm come segue:

Barra nuda LD

Barra nuda LD per 780nm@cavità 2,5 mm

Barra nuda LD per 808nm@cavità 2mm

Barra nuda LD per 808nm@cavità 1,5 mm

Barra nuda LD per 880nm@cavità 2mm

Barra nuda LD per 940nm@cavità 2mm

Barra nuda LD per 940nm@cavità 3mm

Barra nuda LD per 940nm@cavità 4mm

Barra nuda LD per 940nm@cavità 2mm

Barra nuda LD per 976nm@cavità 4mm

Barra nuda LD per 1470nm@cavità 2mm

Barra nuda LD per 1550nm@cavità 2mm