Epi Wafer for Laser Diode
Il wafer epitassico LD basato su GaAs, che può generare emissioni stimolanti, è ampiamente utilizzato per la fabbricazione di diodi laser poiché le proprietà superiori del wafer epitassiale GaAs rendono il dispositivo un basso consumo energetico, alta efficienza, lunga durata e così via. Oltre al wafer epitassico LD all'arseniuro di gallio , i materiali semiconduttori comunemente usati sono il solfuro di cadmio (CdS), il fosfuro di indio (InP) e il solfuro di zinco (ZnS).
- Description
Descrizione del prodotto
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), un fornitore di wafer epitassiali LD, si concentra sui wafer epi a diodi laser basati su GaAs e InP coltivati dai reattori MOCVD per la comunicazione in fibra ottica, l'applicazione industriale e l'uso per scopi speciali. PAM-XIAMEN è in grado di offrire wafer di epitassia LD basato su substrato GaAs per vari campi, come VCSEL, infrarossi, fotorilevatore e così via. Maggiori dettagli sul materiale del wafer di epitassia LD, fare riferimento alla tabella seguente:
Materiale del substrato | Capacità materiale | lunghezza d'onda | Applicazione |
GaAs | GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP | 635nm | |
Epi-wafer basato su GaAs | 650nm | Laser a emissione di superficie in cavità verticale (VCSEL) RCLED |
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GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP | 660nm | ||
GaAs/AlGaAs/GalnP/AlGaAs/GaAs | 703nm | ||
GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP | 780nm | ||
GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP | 785nm | ||
Epi-wafer basato su GaAs | 800-1064nm | LD a infrarossi | |
GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP | 808nm | LD a infrarossi | |
Epi-wafer basato su GaAs | 850nm | Laser a emissione di superficie in cavità verticale (VCSEL) RCLED |
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Epi-wafer basato su GaAs | <870nm | Foto-rilevatore | |
Epi-wafer basato su GaAs | 850-1100nm | Laser a emissione di superficie in cavità verticale (VCSEL) RCLED |
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GaAs/AlGaAs/GaInAs/AlGaAs/GaAs | 905nm | ||
GaAs/AlGaAs/InGaAs/AlGaAs/GaAs | 950nm | ||
Epi-wafer basato su GaAs | 980nm | LD a infrarossi | |
Epi-wafer basato su InP | 1250-1600 nm | Fotorilevatore di valanghe | |
Epi-wafer basato su GaAs | 1250-1600nm/>2.0um (Strato assorbente InGaAs) |
Foto-rilevatore | |
Epi-wafer basato su GaAs | 1250-1600 nm/<1,4μm (Strato assorbente InGaAsP) |
Foto-rilevatore | |
Epi-wafer basato su InP | 1270-1630 nm | Laser DFB | |
Substrato GaAsP/GaAs/GaAs | 1300nm | ||
Epi-wafer basato su InP | 1310nm | Laser FP | |
Substrato GaAsP/GaAs/GaAs | 1550nm | Laser FP | |
1654nm | |||
Epi-wafer basato su InP | 1900nm | Laser FP | |
2004nm |
Informazioni su LD Epitaxy Wafer Applications & Market
Le applicazioni del wafer di epitassia LD basato su GaAs nel campo laser possono essere suddivise in VCSEL e non VCSEL. Le attuali applicazioni di epitassia LD basate su GaAs risiedono principalmente nei VCSEL. VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), basato su materiali GaAs, viene utilizzato principalmente per il riconoscimento facciale. Si prevede che avrà un alto tasso di crescita in futuro. EEL (Edge Emitting Laser) è un dispositivo non VCSEL, utilizzato principalmente nel campo del lidar automobilistico, e si prevede che la domanda aumenterà con l'espansione del mercato delle auto senza conducente.
Il substrato GaAs utilizzato nel campo laser richiede indicatori tecnici elevati e il prezzo unitario del wafer epitassiale è significativamente superiore a quello di altri campi. Ci si può aspettare il futuro spazio di mercato epitassiale LD. Le applicazioni laser sono le più sensibili alla densità di dislocazione. C'è un elevato requisito per i materiali del substrato GaAs nelle applicazioni laser. Pertanto, il requisito più elevato viene proposto ai produttori di wafer epitassiali LD e al processo di wafer epitassiale LD. Attualmente, il laser a semiconduttore basato su substrato GaAs nella banda del vicino infrarosso (760~1060 nm) ha lo sviluppo più maturo e l'applicazione più diffusa ed è già stato commercializzato.
Nota:
Il governo cinese ha annunciato nuovi limiti all’esportazione di materiali al gallio (come GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiali al germanio utilizzati per produrre chip semiconduttori. A partire dal 1 agosto 2023, l'esportazione di questi materiali è consentita solo se si ottiene una licenza dal Ministero del Commercio cinese. Spero nella vostra comprensione e collaborazione!
Si prega di vedere sotto le specifiche di dettaglio del wafer di epitassia LD:
Epi wafer a diodi laser da 780 nm
Epi wafer a diodi laser da 650 nm
Epi wafer a diodi laser da 785 nm
Epi wafer a diodi laser da 850 nm
Epi wafer a diodi laser da 950 nm
Wafer laser ad alta potenza da 1060 nm
Wafer a diodi laser da 1300 nm
Wafer a diodo laser a pompa da 1460 nm
Epi wafer a diodi laser da 1550 nm
Epi wafer a diodi laser da 1654 nm
Epi wafer a diodo laser 2004nm
GaAs Epitassia con crescita spessa
Struttura Epi basata su GaAs MOCVD sviluppata per emettitore di luce
Stretto InGaAsP Quantum ben cresciuto su wafer InP
Strati InAs Quantum Dot su substrato InP
Wafer laser a cascata quantistica
Chip a singolo emettitore
Chip LD a singolo emettitore 755nm @8W
Chip LD a singolo emettitore 808nm @8W
Chip LD a singolo emettitore 808nm @10W
Chip LD a singolo emettitore 830nm @2W
Chip LD a singolo emettitore 880nm @8W
Chip LD a singolo emettitore 900+nm @10W
Chip LD a singolo emettitore 900+nm @15W
Chip LD a singolo emettitore 905nm @25W
Chip LD a singolo emettitore 1470nm @3W
PAM XIAMEN offre un singolo chip laser ad alta potenza 1470/1550nm come segue:
Barra nuda LD
Barra nuda LD per 780nm@cavità 2,5 mm
Barra nuda LD per 808nm@cavità 2mm
Barra nuda LD per 808nm@cavità 1,5 mm
Barra nuda LD per 880nm@cavità 2mm
Barra nuda LD per 940nm@cavità 2mm
Barra nuda LD per 940nm@cavità 3mm
Barra nuda LD per 940nm@cavità 4mm
Barra nuda LD per 940nm@cavità 2mm
Barra nuda LD per 976nm@cavità 4mm