Epitassiale di silicio Wafer

Epitassiale di silicio Wafer

Silicon Epitaxial Wafer(Epi Wafer) is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystal silicon wafer(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.

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Descrizione del prodotto

Epitassiale di silicio Wafer

Silicio epitassiale Wafer(Epi Wafer)is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystalwafer di silicio(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.

The methods for preparing epitaxial silicon wafers include vapor phase epitaxy, liquid phase epitaxy, molecular beam epitaxy and so on. Among them, chemical vapor deposition (CVD)-based vapor phase epitaxy is the main silicon epitaxial growth process. Commonly used sources are SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2 and SiH4.

In order to meet the needs of various semiconductor devices, various silicon epitaxial technologies have been generated for epitaxial silicon wafer production. In addition to the silicon epitaxial growth in low temperature epitaxy and reduced pressure epitaxy, there is also selective epitaxy that deposits a silicon epitaxial layer on a specific part of the silicon wafer.

Lo strato epitassiale può essere drogato, come si deposita, per la precisa concentrazione di drogaggio continuando struttura cristallina del substrato.

Strato epitassiale resistività: <1 ohm-cm fino a 150 ohm-cm

Strato epitassiale spessore: <1 um a 150 um fino

Struttura: N / N +, N- / N / N +, N / P / N +, N / N + / P-, N / P / P +, P / P +, P- / P / P +.

Wafer Applicazione: digitale, lineare, Potere, MOS, Dispositivi BiCMOS.

I nostri vantaggi a colpo d'occhio

1.Advanced epitaxial growth equipment, test equipment and epitaxial silicon technology.

2.offer altissima qualità con bassa densità di difetti e buona rugosità superficiale.

3.Strong supporto team di ricerca e di supporto IT per i nostri clienti

 

6 "specifica (150mm) Wafer:

Voce   Specificazione
Substrato Sotto spec No.  
metodo di crescita del lingotto CZ
tipo di conduttività N
drogante Come
Orientamento (100) ± 0.5 °
resistività ≤0.005Ohm.cm
RRG ≤15%
[Oi] Contenuto 8 ~ 18 PPMA
Diametro 150 ± 0.2 mm
Primaria Lunghezza piatto 55 ~ 60 mm
Luogo piatto primaria {110} ± 1 °
In secondo piano Lunghezza semi
In secondo piano Luogo semi
Spessore 625 ± 15 um
Backside Caratteristiche:  
1, BSD / Poly-Si (A) 1.BSD
2, SIO2 2.LTO: 5000 ± 500 A
3, Esclusione bordo 3.EE:?0.6 mm
Marcatura laser NONE
superficie frontale lucidato a specchio
Epi Struttura N / N +
drogante Phos
Spessore 3 ± 0,2 um
Thk.Uniformity ≤5%
posizione di misura Centro (1 pt) 10 mm dal bordo (4 punti @ 90 gradi)
Calcolo [Tmax-Tmin] ÷ [[Tmax + Tmin] X 100%
resistività 2,5 ± 0,2 Ohm.cm
Res.Uniformity ≤5%
posizione di misura Centro (1 pt) 10 mm dal bordo (4 punti @ 90 gradi)
Calcolo [Rmax-Rmin] ÷ [[Rmax + Rmin] X 100%
Stack colpa Densità ≤2 (EA / cm2)
Foschia NONE
graffi NONE
Crateri, Orange Peel, NONE
Corona bordo ≤1 / 3 spessore Epi
Slittamento (mm) Lunghezza totale ≤ 1Dia
Affari esteri NONE
Indietro contaminazione superficiale NONE
Difetti di punto totali (particelle) [email protected]

Silicon Wafer Epi Vendita-1

Silicon Wafer Epi Sale-2

6 "Silicon EPI Wafer

4 "Silicon Wafer EPI-1

4 "Silicon Wafer EPI-2

4 "Silicon Wafer EPI-3

4 "Silicon Wafer EPI-4

4 "Silicon Wafer EPI-5

4″ Silicon EPI Wafer-6

3 "Silicon Wafer EPI-1

3 "Silicon Wafer EPI-2

3 "Silicon Wafer EPI-3

4″ Epitaxial Silicon Wafer

Silicon Epitaxy Growth with Boron Dopant by VPE

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