Ge (Germanio) cristalli singoli e wafer

Ge Cristalli (Germanio) singoli e Wafer

PAM-XIAMEN offre wafer al germanio da 2", 3", 4" e 6", che è l'abbreviazione di wafer Ge coltivato da VGF / LEC. Wafer di germanio di tipo P e N leggermente drogato può essere utilizzato anche per esperimenti con effetto Hall. A temperatura ambiente, il germanio cristallino è fragile e ha poca plasticità. Il germanio ha proprietà di semiconduttore. Il germanio di elevata purezza viene drogato con elementi trivalenti (come indio, gallio, boro) per ottenere semiconduttori di germanio di tipo P; e gli elementi pentavalenti (come antimonio, arsenico e fosforo) vengono drogati per ottenere semiconduttori di germanio di tipo N. Il germanio ha buone proprietà di semiconduttore, come un'elevata mobilità degli elettroni e un'elevata mobilità dei fori.
  • Descrizione

Descrizione del prodotto

Single Crystal Germanium Wafer

PAM-XIAMEN offers 2”, 3”, 4” and 6” germanium wafer, which is short for Ge wafer grown by VGF / LEC. Lightly doped N and P type Germanium wafer can be also used for Hall effect experiment. At room temperature, crystalline germanium is brittle and has little plasticity. Germanium has semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (such as indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors; and pentavalent elements (such as antimony, arsenic, and phosphorus) are doped to obtain N-type germanium semiconductors. Germanium has good semiconductor properties, such as high electron mobility and high hole mobility.

1. Properties of Germanium Wafer

1.1 General Properties of Germanium Wafer

Proprietà Generale Struttura Cubic, a = 5.6754 Å
Densità: 5.765 g / cm3
Melting   Point: 937.4 oC
Conducibilità termica: 640
Tecnologia Crystal Growth Czochralski
doping disponibili non drogato Sb doping In drogaggio o Ga
Tipo conduttivo / N P
Resistività, ohm.cm >35 <0.05 0,05-0,1
EPD < 5×103/cm2 < 5×103/cm2 < 5×103/cm2
< 5×102/cm2 < 5×102/cm2 < 5×102/cm2

 

1.2 Grades and Application of Germanium wafer

grado elettronico Utilizzato per diodi e transistori,
Grado infrarossi o Opitical Usato per la finestra ottica IR o dischi, componenti Opitical
Grade cellulare Used for substrates of solar cell

 

1.3 Standard Specs of Germanium Crystal and wafer

cristallo Orientamento <111>,<100> and <110> ± 0.5o or custom orientation
Cristallo boule in natura 1 "~ 6" di diametro x 200 mm Lunghezza
vuoto standard come taglio 1 "x 0,5 millimetri 2 "x0.6mm 4 "x0.7mm 5 "e 6" x0.8mm
Standard lucido wafer (uno / due lati lucido) 1 "x 0,30 millimetri 2 "x0.5mm 4 "x0.5mm  5″&6″x0.6mm
  • Special size and orientation are available upon requested Wafers

2. Specification of Germanium Wafer

2.1 Specification of Germanium Wafer of 2”,3”,4”and 6”size

Voce Specificazioni Osservazioni
metodo di crescita VGF
Tipo conduzione tipo n, di tipo p, non drogato  
drogante Gallio o antimonio
Wafer Diamter 2, 3,4 e 6 pollice
cristallo Orientamento (100), (111), (110)
Spessore 200 ~ 550 um
DI EJ o degli Stati Uniti
Concentrazione Carrier richiesta su clienti  
Resistività a RT (0.001 ~ 80) Ohm.cm
Etch Pit Densità <5000 / cm2
Marcatura laser su richiesta
Finitura superficiale P / E o P / P
Epi pronto
Pacchetto contenitore singolo wafer o cassetta

 

2.2 Germanium Wafer for Solar Cell

4 pollici Ge wafer Specifica per celle solari  —
Doping P  —
sostanze dopanti Ge-Ga  —
Diametro 100 ± 0,25 millimetri  —
Orientamento (100) 9 ° via verso <111> +/- 0.5
Off-orientamento angolo di inclinazione N / A  —
Orientamento piatto primaria N / A  —
Primaria Lunghezza piatto 32 ± 1 mm
Secondaria Orientamento piatto N / a  —
Secondaria Lunghezza piatto N / A mm
cc (0,26-2,24) E18 / cc
resistività (0,74-2,81) E-2 ohm.cm
Electron Mobility 382-865 cm2 / vs
EPD <300 / cm2
Mark laser N / A  —
Spessore 175 ± 10 micron
TTV <15 micron
TIR N / A micron
ARCO <10 micron
Ordito <10 micron
faccia anteriore Lucidato  —
Indietro faccia Terra  —

 

2.3 Ge Wafer (as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter)

PAM180212-GE

Voce DSP Ge Wafer
Dia 4”
Spessore 1.50mm +/- 0.10mm
Orientamento N / A
Conductivity N / A
resistività N / A
Surface Process Double-side polished; minimum 90mm dia. central clear aperture
Other Parameters 60-40 scratch-dig or better
Less than 2 arc minutes parallelism
Surfaces optically flat to within 1 fringe irregular per any 25mm dia. in the clear aperture

 

2.4 Germanium Used as Thin FIR Window (PAM211121-GE)

4″ Germanium wafer with low plasma frequency, undoped ,175µm+/-25um. (100), single side polished.

3. Germanium Wafer Process

With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
1) di elevata purezza germanio si ottiene durante zona di raffinazione.
2) Un cristallo di germanio è prodotto tramite il processo Czochralski.
3) Il germanio wafer viene prodotto tramite vari taglio, molatura, incisione e passi.
4) I wafer vengono puliti ed ispezione. Durante questo processo, i wafer sono singolo lato lucido o doppio lato lucido secondo requisito personalizzato, wafer epi-ready viene.
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

4. Application of Germanium:

vuota o finestra germanio sono utilizzati in visione notturna e soluzioni di imaging termografico per la sicurezza commerciale, antincendio e monitoraggio industriale. Inoltre, essi sono utilizzati come filtri per apparecchiature di analisi e di misura, finestre per la misurazione della temperatura remoto, e specchi per laser.

Thin Germanium substrates are used in III-V triple-junction solar cells and for power Concentrated PV (CPV) systems and as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter application.

5. Test of Germanium Wafer:

The resistivity of the crystal germanium wafer was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.

 

 

 

 

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Ge Wafer Supplier

P Type Thin Germanium Wafer | Solar Cell

Germanium Substrate for Optics and Epi-growth

As-cut Germanium (Ge) Window

Doped or Undoped Germanium (Ge) Crystal | Ge Single Crystal Growth

Germanium (Ge) Ingot

Single Crystal Germanium Wafer with Orientation (110) toward<111>

Test Method for Dislocation Density of Monocrystal Germanium

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