Wide memberikan nilai jurang Teknologi -Next Generation Devices Power

Memperketatkan piawai industri dan perubahan dalam peraturan-peraturan kerajaan adalah pemacu utama kecekapan tenaga yang lebih tinggi. Sebagai contoh, pusat data yang semakin meningkat dengan pesat untuk memenuhi permintaan. Mereka menggunakan kira-kira 3% daripada jumlah bekalan elektrik di dunia (400 kWh) dan 2% daripada jumlah pelepasan gas rumah hijau. Pelepasan karbon industri penerbangan juga yang sama. Dengan permintaan yang besar untuk tenaga, kerajaan mengguna pakai piawaian yang lebih ketat dan langkah-langkah peraturan baru untuk memastikan bahawa semua produk tenaga yang bergantung kepada memerlukan kecekapan tenaga yang paling tinggi.

Pada masa yang sama, kita melihat keperluan untuk ketumpatan kuasa yang lebih tinggi dan ruang yang lebih kecil. Kenderaan elektrik cuba untuk mengurangkan berat badan dan meningkatkan kecekapan tenaga, oleh itu menyokong keupayaan untuk perjalanan jarak yang lebih panjang setiap pertuduhan. On-board pengecas (OBCs) dan penyongsang cengkaman kini menggunakan memberikan nilai jurang luas (WBG) produk untuk mencapai matlamat ini.

Silikon karbida(SiC) dan Gallium Nitride(Gan) adalah bahan memberikan nilai jurang luas yang menyediakan asas untuk peranti kuasa generasi akan datang. Berbanding dengan silikon, SiC dan Gan memerlukan tiga kali lebih banyak tenaga untuk membolehkan elektron untuk mula bergerak secara bebas dalam bahan. oleh itu ia mempunyai ciri-ciri yang lebih baik dan sifat-sifat daripada silikon.

Kelebihan utama adalah kerugian beralih dikurangkan. Pertama, cara ini peranti tidak kurang terdedah kepada haba. Ini memberi manfaat kepada seluruh sistem kerana saiz (dan kos) sink haba dapat dikurangkan. Yang kedua adalah untuk meningkatkan kelajuan pensuisan. Pereka kini boleh pergi jauh di luar had fizikal MOSFET silikon atau IGBTs. Ini membolehkan sistem untuk mengurangkan komponen pasif seperti transformer, induktor dan kapasitor. Oleh itu, penyelesaian WBG boleh meningkatkan sistem kecekapan tenaga, mengurangkan jumlah dan kos peranti, dan ketumpatan kuasa yang meningkat.

Silikon diod karbida digunakan secara meluas dalam pelbagai topologi PFC mana kecekapan tenaga adalah kritikal. Ia juga adalah lebih mudah untuk mengendalikan gangguan elektromagnet (EMI) kerana kelajuan pemulihan sangat cepat berbalik. Pada semikonduktor mempunyai barisan lengkap 650 V dan 1200 diod V SiC meliputi semua julat kuasa untuk aplikasi fasa tunggal dan multi-fasa. Pada masa yang sama, kami akan memperkenalkan 1200 V MOSFET kemudian pada tahun 2018, yang akan memberikan prestasi yang paling tinggi dan tahan lasak yang sangat baik dan kebolehpercayaan yang tinggi. Ia menawarkan struktur penamatan dipatenkan yang memastikan kelasakan yang terbaik dalam kelas dan tiada kegagalan yang berkaitan disebabkan oleh kelembapan.

Gan kini semakin diterima oleh pasaran. Terdapat beberapa lelaran teknikal, daripada "D-Mode" untuk Cascode, dan kini akhir "E-Mode" (biasanya ditutup) peranti. Gan adalah alat yang sangat pantas yang memerlukan tumpuan kepada susun atur PCB dan memandu pintu dioptimumkan. Dr. Sharka, seorang pegawai teknologi Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd berkongsi dengan kami mengatakan yang berbeza besar antara Gan D-Mode dan Gan E-Mode dari epi wafer perspektif di dua titik: struktur halangan yang berbeza, nilai tipikal D-HEMT adalah AlGaN ketebalan 21nm dengan Al komposisi 25%, manakala E-HEMT adalah AlGaN ketebalan 18nm dengan Al komposisi 18%, dan titik yang lain adalah terdapat p lapisan Gan E-HEMT untuk mengurangkan 2DEG.

Kita lihat sekarang pereka tahu bagaimana untuk menggunakan Gan dan melihat kelebihan besar ke atas silikon. Kami sedang bekerjasama dengan rakan kongsi industri dan automotif terkemuka untuk menyampaikan ketumpatan kuasa dan kecekapan tenaga yang paling tinggi untuk sistem generasi akan datang seperti bekalan kuasa pelayan, penyesuai perjalanan dan pengecas kereta. Sejak Gan adalah teknologi yang sangat baru, yang akan memastikan teknologi pemeriksaan tambahan dan ujian untuk Gan untuk menyediakan produk berkualiti tinggi di pasaran.

Mengenai Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd

Mendapati pada tahun 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), Sebuah pengeluar terkemuka bagi bahan semikonduktor Wide memberikan nilai jurang (WBG) di China, perniagaannya melibatkan bahan Gan meliputi substrat Gan, wafer Gan epi dan bahan SiC meliputi substrat SiC dan SiC epi wafer.

Kata kunci: memberikan nilai jurang lebar, bahan memberikan nilai jurang lebar, semikonduktor memberikan nilai jurang luas, Sic memberikan nilai jurang luas

Untuk maklumat lanjut, sila layari laman web kami: https://www.powerwaywafer.com,

menghantar e-mel kepada kami diangel.ye@powerwaywafer.comataupowerwaymaterial@gmail.com.