2009 thn kerja

Siapa Kami

Sebelum tahun 1990, kami dinyatakan milik pekat pusat penyelidikan perkara fizik. Pada tahun 1990, pusat dilancarkan Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), kini ia adalah sebuah pengeluar terkemuka bagi bahan semikonduktor sebatian dalam China. PAM-XIAMEN membangunkan pertumbuhan maju kristal dan teknologi epitaxy, pelbagai dari wafer Germanium generasi pertama, kedua generasi galium arsenida dengan pertumbuhan substrat dan epitaxy on ...

Read More ...

kenapa pilih kami

batal

Baik Service Sales

Matlamat kami adalah untuk memenuhi semua keperluan anda, tidak kira betapa kecil pesanan dan bagaimana soalan sukar mereka berada, untuk mengekalkan pertumbuhan yang mampan dan menguntungkan untuk setiap pelanggan melalui produk-produk berkualiti dan perkhidmatan yang memuaskan.
batal

25+ Tahun Pengalaman

Dengan lebih daripada 25 + tahun pengalaman dalam bidang bahan semikonduktor kompaun dan perniagaan eksport, pasukan kami boleh memberi jaminan bahawa kita dapat memahami keperluan anda dan berurusan dengan projek anda secara profesional.
batal

Kualiti dipercayai

Kualiti adalah keutamaan kami. PAM-XIAMEN telah ISO9001: 2008, memiliki dan saham empat facories moden yang boleh memberikan agak pelbagai besar produk-produk berkualiti untuk memenuhi keperluan yang berbeza dari pelanggan kami, dan tiap-tiap perintah perlu dikendalikan melalui sistem kualiti yang ketat kami. Laporan ujian disediakan untuk setiap penghantaran, dan setiap wafer adalah dijamin.
batal

Sokongan Dan Profesional Teknologi

Anda boleh mendapatkan perkhidmatan teknologi percuma kami daripada pertanyaan kepada selepas perkhidmatan berdasarkan 25+ pengalaman kami dalam talian semikonduktor.
Selepas lebih daripada 20 tahun pengumpulan dan pembangunan, syarikat kami mempunyai kelebihan yang jelas dalam inovasi teknologi dan bakat.
Pada masa akan datang, Kita perlu mempercepatkan proses tindakan sebenar untuk menyediakan pelanggan dengan produk dan perkhidmatan yang lebih baik

Doktor Chan - CEO Of Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd

Dunia Paling Universiti Terkenal & Syarikat Amanah Kami

Rakan-rakan
FRAUNHOFER
PERKONGSIAN
SBIR STTR
OSRAM
INTEGRASI KUASA
LOGO ibm

Berita terkini

Diamond Window Blank dalam Gred Optik

Industrial diamond window blanks with optical transmissivity for IR-applications are commercially available. The applicable wavelengths of current diamond optical [...]

2021-10-19
Pemendapan Logam pada Silicon Wafer

Silicon wafers with various metal depositions are for sale in sizes from 2 inch to 12 inch. Metal deposition [...]

2021-10-13
Ingot Germanium (Ge)

Monocrystalline Germanium (Ge) ingot is provided with P type by PAM-XIAMEN. Germanium crystal does not contain large-angle grain boundaries [...]

2021-10-08
Tetingkap Germanium (Ge)

Germanium (Ge) window is provided for infrared (IR) transmission. Ge window is not transparent for visible lingt and UV [...]

2021-09-18
Lapisan Titik Kuantum InAs pada Substrat InP

The typical structure of InAs quantum dot (QD) layers on InP substrate is available with wavelength of 1.55um for [...]

2021-09-17
GaN pada SiC Substrat

GaN template with single side polished and atomic step is available, which is grown on 4H or 6H SiC [...]

2021-09-16
Sensor InSb Magnetoresistance (MR)

Indium antimonide (InSb) thin film magnetoresistor, which is the core sensitive element of magnetoresistance (MR) sensor, is provided from [...]

2021-09-14
Nanopowder Perak

Silver nanopowder for sale is typically by laser evaporation in vacuum or in a small pressure of gas to [...]

2021-09-10
Lazim
Galium arsenida wafer, P / P

S: Sila maklumkan kepada kami jika anda boleh membekalkan di bawah wafer, qty 25/50/300. wafer galium arsenida, P / P 150.00 ± 0.25 mm) 6 "Ø × 650 ± 25μm, VGF SI GaAs undoped: - [100-2,0 ° ke arah [110]] ± 0.5 °, u> 4,000cm² / Vs, Kedua-dua-dua belah pihak -polished, 1 Flat 57.5 ± 2.5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7μm, BOW <4μm, Warp <10μm, TIR <6μm, Sijil: wajib, dimeterai di bawah nitrogen dalam wafer tunggal kaset A: Ya, akan memeriksa [ ...]

2018-09-13meta-penulis
EPD untuk GaAs Substrat dan Epitaxial Wafer

S: Bolehkah anda menasihatkan dijamin EPD untuk di bawah substrat dan epi? wafer galium arsenida, P / E 2 "Ø × 380 ± 25μm, LEC SI GaAs undoped: - [100] ± 0.5 °, n-jenis Ro = (0.8E8-0.9E8) Ohmcm, One-sampingan digilap, kembali- sebelah matte terukir, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2μm, Resistivity> 1E7 Ohm-cm, jangka hayat Pembawa <1ps, dimeterai di bawah nitrogen dalam kaset wafer tunggal. A: Ketumpatan Kehelan <1 × 10 ^ 6cm-2

2018-09-06meta-penulis
Gallium Arsenide Wafer, GaAs, VGF, Semi Insulating, Undoped

Q: We would like to ask for below. (001) +/- 0.5o Orientation Semi Insulating, Undoped Resistivity ≤ 1 – 10 x 108 Ohm-cm3 EPD ≤ 5000 cm-2 1 Side Polished (Ra < 10Å), EPI Ready, Back Side Etched US Semi Standard Flats, No Laser [...]

2018-07-17meta-penulis