2009 yr work

Siapa Kami

Sebelum tahun 1990, kami dinyatakan milik pekat pusat penyelidikan perkara fizik. Pada tahun 1990, pusat dilancarkan Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), kini ia adalah sebuah pengeluar terkemuka bagi bahan semikonduktor sebatian dalam China. PAM-XIAMEN membangunkan pertumbuhan maju kristal dan teknologi epitaxy, pelbagai dari wafer Germanium generasi pertama, kedua generasi galium arsenida dengan pertumbuhan substrat dan epitaxy on ...

kenapa pilih kami

null

Baik Service Sales

Matlamat kami adalah untuk memenuhi semua keperluan anda, tidak kira betapa kecil pesanan dan bagaimana soalan sukar mereka berada, untuk mengekalkan pertumbuhan yang mampan dan menguntungkan untuk setiap pelanggan melalui produk-produk berkualiti dan perkhidmatan yang memuaskan.
null

25+ Tahun Pengalaman

Dengan lebih daripada 25 + tahun pengalaman dalam bidang bahan semikonduktor kompaun dan perniagaan eksport, pasukan kami boleh memberi jaminan bahawa kita dapat memahami keperluan anda dan berurusan dengan projek anda secara profesional.
null

Kualiti dipercayai

Kualiti adalah keutamaan kami. PAM-XIAMEN telah ISO9001: 2008, memiliki dan saham empat facories moden yang boleh memberikan agak pelbagai besar produk-produk berkualiti untuk memenuhi keperluan yang berbeza dari pelanggan kami, dan tiap-tiap perintah perlu dikendalikan melalui sistem kualiti yang ketat kami. Laporan ujian disediakan untuk setiap penghantaran, dan setiap wafer adalah dijamin.
null

Sokongan Dan Profesional Teknologi

Anda boleh mendapatkan perkhidmatan teknologi percuma kami daripada pertanyaan kepada selepas perkhidmatan berdasarkan 25+ pengalaman kami dalam talian semikonduktor.
Selepas lebih daripada 20 tahun pengumpulan dan pembangunan, syarikat kami mempunyai kelebihan yang jelas dalam inovasi teknologi dan bakat.
Pada masa akan datang, Kita perlu mempercepatkan proses tindakan sebenar untuk menyediakan pelanggan dengan produk dan perkhidmatan yang lebih baik

Doktor Chan - CEO Of Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd

Dunia Paling Universiti Terkenal & Syarikat Amanah Kami

Partners

Berita terkini

650V GaN FETs Chip for Fast Charge

650V GaN FETs Chip for Fast Charge ThePAM65D150DNBI-TSeries650V,150mΩ galliumnitride(GaN)FETsarenormally-on devices.PAM-XIAMENGaNFETsofferbetter efficiencythroughlowergatecharge,faster switchingspeeds,andsmallerreverserecovery charge,deliveringsignificantadvantagesover traditionalsilicon(Si)devices. PAM-XIAMENisaleading-edgewidebandgap supplierwithworld-classinnovation. 1.Parameters of 650V GaN FETs [...]

Apakah Parameter Utama SiC Epitaxial Wafer?

What is the Key Parameters of SiC Epitaxial Wafer? The most basic and key parameters of SiC epitaxial materials are [...]

Mengapa Kita Memerlukan Silicone Carbide Epitaxial Wafer?

Why do We Need Silicon Carbide Epitaxial Wafer? Silicon carbide epitaxial wafer is a kind of silicon carbide wafer [...]

Phonon Properties SiC Wafer

Phonon Properties of SiC Wafer Nanyang Technological University use our SiC wafer to research Phonon Properties. They research focused on [...]

InGaAs Berkembang Suhu Rendah

Low Temperature Grown InGaAs  PAM-XIAMEN offer low temperature grown InGaAs on GaAs Substrate(LT-InGaAs) for InGaAs Photo Conductive antenna substrate for [...]

Cip Laser Mod Tunggal 980

980 Single Mode Laser Chip (PAM200827-LD) PAM XIAMEN offers 980 Single Mode Laser Chip   Powerwaywafer 980 Single mode laser chip property Minimum Typical Maximum Central Wavelength [...]

(20-2-1) Substrat GaN Berdiri Bebas Plane Si-GaN

(20-2-1) Plane Si-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane Si-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-SI Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type Semi-Insulating Resistivity (300K) >106 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

(20-2-1) Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate

(20-2-1) Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-N Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type N-type Resistivity (300K) < 0.05 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

Lazim