Siapa Kami

Sebelum tahun 1990, kami dinyatakan milik pekat pusat penyelidikan perkara fizik. Pada tahun 1990, pusat dilancarkan Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), kini ia adalah sebuah pengeluar terkemuka bagi bahan semikonduktor sebatian dalam China. PAM-XIAMEN membangunkan pertumbuhan maju kristal dan teknologi epitaxy, pelbagai dari wafer Germanium generasi pertama, kedua generasi galium arsenida dengan pertumbuhan substrat dan epitaxy on ...

Read More ...

kenapa pilih kami

null

Baik Service Sales

Matlamat kami adalah untuk memenuhi semua keperluan anda, tidak kira betapa kecil pesanan dan bagaimana soalan sukar mereka berada, untuk mengekalkan pertumbuhan yang mampan dan menguntungkan untuk setiap pelanggan melalui produk-produk berkualiti dan perkhidmatan yang memuaskan.
null

25+ Tahun Pengalaman

Dengan lebih daripada 25 + tahun pengalaman dalam bidang bahan semikonduktor kompaun dan perniagaan eksport, pasukan kami boleh memberi jaminan bahawa kita dapat memahami keperluan anda dan berurusan dengan projek anda secara profesional.
null

Kualiti dipercayai

Kualiti adalah keutamaan kami. PAM-XIAMEN telah ISO9001: 2008, memiliki dan saham empat facories moden yang boleh memberikan agak pelbagai besar produk-produk berkualiti untuk memenuhi keperluan yang berbeza dari pelanggan kami, dan tiap-tiap perintah perlu dikendalikan melalui sistem kualiti yang ketat kami. Laporan ujian disediakan untuk setiap penghantaran, dan setiap wafer adalah dijamin.
null

Sokongan Dan Profesional Teknologi

Anda boleh mendapatkan perkhidmatan teknologi percuma kami daripada pertanyaan kepada selepas perkhidmatan berdasarkan 25+ pengalaman kami dalam talian semikonduktor.
Selepas lebih daripada 20 tahun pengumpulan dan pembangunan, syarikat kami mempunyai kelebihan yang jelas dalam inovasi teknologi dan bakat.
Pada masa akan datang, Kita perlu mempercepatkan proses tindakan sebenar untuk menyediakan pelanggan dengan produk dan perkhidmatan yang lebih baik

Doktor Chan - CEO Of Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd

Dunia Paling Universiti Terkenal & Syarikat Amanah Kami

Partners

Berita terkini

(Dijemput) Strain Engineered Crack Bebas Gan pada Si untuk menegak tinggi Devices Gan kuasa bersepadu dengan Si CMOS

The ability to grow thin GaN layers on Si substrates has led to the development of lateral high power [...]

2020-01-20
Heteroepitaxial Pertumbuhan SiC di Si (100) dan (111) oleh Chemical Vapor Deposition Menggunakan Trimethylsilane

Heteroepitaxial growth of 3C‐SiC on Si by chemical vapor deposition has been investigated using the precursor trimethylsilane. To optimize [...]

2020-01-20
Top 10 Penerbitan di dalam Microelectronics & Packaging Elektronik oleh Citation

Top 10 Publication in in Microelectronics & Electronic Packaging by Citation Post: PAM-XIAMEN, date: Jan 13,2020 PAM-XIAMEN has compiled top 10 [...]

2020-01-13
Analisis Tahap Trace Ge Dipindahkan Si Wafer Permukaan semasa SiGe Wafer Pemprosesan

Effects of trace levels of Ge transferred to Si surfaces during thermal processing of SiGe wafers are presented here. [...]

2020-01-13
Fabrikasi dan Anggaran Thermal Pertimbangan Advanced Ge dan InP tapak kaki Substrat

The Silicon on Lattice Engineered Substrate (SOLES) platform enables monolithic integration of III-V compound semiconductor (III-V) and silicon (Si) [...]

2020-01-13
Selective Epitaxial Pertumbuhan SiC: termodinamik Analisis SiC-Cl-H dan SiC-Cl-H-O Systems

Thermodynamic analysis was conducted to determine the conditions necessary for the selective epitaxial growth (SEG) of SiC on  masked Si [...]

2020-01-07
Two-dimensional arrays of nanometre scale holes and nano-V-grooves in oxidized Si wafers for the selective growth of Ge dots or Ge/Si hetero-nanocrystals

Two-dimensional (2D) arrays of nanometre scale holes were opened in thin SiO2 layers on silicon by electron beam lithography and [...]

2020-01-07
2018 PERBELANJAAN TOP 100 US TINGGI R & D

2018 TOP 100 US HIGHER EDUCATION R&D EXPENDITURES post by PAM-XIAMEN  date: Jan 03,2020 University is an important research and development subject [...]

2020-01-03
faqs
Galium arsenida wafer, P / P

S: Sila maklumkan kepada kami jika anda boleh membekalkan di bawah wafer, qty 25/50/300. wafer galium arsenida, P / P 150.00 ± 0.25 mm) 6 "Ø × 650 ± 25μm, VGF SI GaAs undoped: - [100-2,0 ° ke arah [110]] ± 0.5 °, u> 4,000cm² / Vs, Kedua-dua-dua belah pihak -polished, 1 Flat 57.5 ± 2.5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7μm, BOW <4μm, Warp <10μm, TIR <6μm, Sijil: wajib, dimeterai di bawah nitrogen dalam wafer tunggal kaset A: Ya, akan memeriksa [ ...]

2018-09-13meta-penulis
EPD untuk GaAs Substrat dan Epitaxial Wafer

S: Bolehkah anda menasihatkan dijamin EPD untuk di bawah substrat dan epi? wafer galium arsenida, P / E 2 "Ø × 380 ± 25μm, LEC SI GaAs undoped: - [100] ± 0.5 °, n-jenis Ro = (0.8E8-0.9E8) Ohmcm, One-sampingan digilap, kembali- sebelah matte terukir, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2μm, Resistivity> 1E7 Ohm-cm, jangka hayat Pembawa <1ps, dimeterai di bawah nitrogen dalam kaset wafer tunggal. A: Ketumpatan Kehelan <1 × 10 ^ 6cm-2

2018-09-06meta-penulis
2 "LT-GaAs Wafer

S: Kami ingin membeli LT-GaAs, anda boleh sila mencadangkan ciri-ciri komputer yang sesuai untuk memohon? A: 2 "LT-GaAs Wafer Spesifikasi: diamater (mm) Ф 50.8mm ± 1mm ​​ketebalan 1-2um Marco kecacatan Density≤ 5 cm-2 Resistivity (300K)> 10 ^ 8 Ohm-cm hidup Pembawa <1ps atau 15ps Kehelan Ketumpatan <1 × 10 ^ 6cm-2 Surface Useable Area≥80% Polishing: sebelah Single substrat digilap: GaAs substrat

2018-07-25meta-penulis