2009 thn kerja

Siapa Kami

Sebelum tahun 1990, kami dinyatakan milik pekat pusat penyelidikan perkara fizik. Pada tahun 1990, pusat dilancarkan Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), kini ia adalah sebuah pengeluar terkemuka bagi bahan semikonduktor sebatian dalam China. PAM-XIAMEN membangunkan pertumbuhan maju kristal dan teknologi epitaxy, pelbagai dari wafer Germanium generasi pertama, kedua generasi galium arsenida dengan pertumbuhan substrat dan epitaxy on ...

Read More ...

kenapa pilih kami

batal

Baik Service Sales

Matlamat kami adalah untuk memenuhi semua keperluan anda, tidak kira betapa kecil pesanan dan bagaimana soalan sukar mereka berada, untuk mengekalkan pertumbuhan yang mampan dan menguntungkan untuk setiap pelanggan melalui produk-produk berkualiti dan perkhidmatan yang memuaskan.
batal

25+ Tahun Pengalaman

Dengan lebih daripada 25 + tahun pengalaman dalam bidang bahan semikonduktor kompaun dan perniagaan eksport, pasukan kami boleh memberi jaminan bahawa kita dapat memahami keperluan anda dan berurusan dengan projek anda secara profesional.
batal

Kualiti dipercayai

Kualiti adalah keutamaan kami. PAM-XIAMEN telah ISO9001: 2008, memiliki dan saham empat facories moden yang boleh memberikan agak pelbagai besar produk-produk berkualiti untuk memenuhi keperluan yang berbeza dari pelanggan kami, dan tiap-tiap perintah perlu dikendalikan melalui sistem kualiti yang ketat kami. Laporan ujian disediakan untuk setiap penghantaran, dan setiap wafer adalah dijamin.
batal

Sokongan Dan Profesional Teknologi

Anda boleh mendapatkan perkhidmatan teknologi percuma kami daripada pertanyaan kepada selepas perkhidmatan berdasarkan 25+ pengalaman kami dalam talian semikonduktor.
Selepas lebih daripada 20 tahun pengumpulan dan pembangunan, syarikat kami mempunyai kelebihan yang jelas dalam inovasi teknologi dan bakat.
Pada masa akan datang, Kita perlu mempercepatkan proses tindakan sebenar untuk menyediakan pelanggan dengan produk dan perkhidmatan yang lebih baik

Doktor Chan - CEO Of Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd

Dunia Paling Universiti Terkenal & Syarikat Amanah Kami

Rakan-rakan
FRAUNHOFER
PERKONGSIAN
SBIR STTR
OSRAM
INTEGRASI KUASA
LOGO ibm

Berita terkini

Substrat Semikonduktor Indium Phosphide Jenis P

Indium phosphide (InP) is one of the III-V compound semiconductors. It is a new generation of electronic functional materials [...]

2022-11-29
Wafer Diod Laser GaN 405nm

Group III nitride materials are a kind of direct band gap materials, which have the advantages of wide band [...]

2022-11-25
Perkhidmatan Fabrikasi GaN untuk Peranti HEMT

PAM-XIAMEN supplies GaN HEMT epitaxial wafers and GaN fabrication services. Our GaN fabrication services supplied include front-end process and [...]

2022-11-23
Perkhidmatan Faundri GaN untuk Fabrikasi LED

PAM-XIAMEN can offer LED epitaxy wafers and is able to offer GaN foundry services & supplies for LEDs. The [...]

2022-11-22
Wafer Laser Kuasa Tinggi 1060nm

InGaAs quantum well (QW), as a commonly used two-dimensional material in near-infrared band, has important applications in semiconductor lasers, [...]

2022-10-28
Struktur Fotodiod InGaAs

Bahan semikonduktor sebatian ternary InxGa1-xAs ialah larutan pepejal campuran yang dibentuk oleh GaAs dan InAs. Ia adalah sphalerit [...]

2022-10-19
Wafer LED UV AlGaN

AlGaN ialah bahan semikonduktor jurang jalur lebar langsung. Dengan menukar komposisi bahan AlGaN, jurang jalur [...]

2022-10-14
Wafer LED Positif Berdasarkan Substrat GaAs

Epi-wafer LED merah AlGaInP berasaskan GaAs ialah bahan LED cahaya kelihatan biasa yang telah dibangunkan secara meluas dalam [...]

2022-10-09
Lazim
Galium arsenida wafer, P / P

S: Sila maklumkan kepada kami jika anda boleh membekalkan di bawah wafer, qty 25/50/300. wafer galium arsenida, P / P 150.00 ± 0.25 mm) 6 "Ø × 650 ± 25μm, VGF SI GaAs undoped: - [100-2,0 ° ke arah [110]] ± 0.5 °, u> 4,000cm² / Vs, Kedua-dua-dua belah pihak -polished, 1 Flat 57.5 ± 2.5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7μm, BOW <4μm, Warp <10μm, TIR <6μm, Sijil: wajib, dimeterai di bawah nitrogen dalam wafer tunggal kaset A: Ya, akan memeriksa [ ...]

2018-09-13meta-penulis
EPD untuk Substrat GaAs

PAM-XIAMEN can supply GaAs wafer with EPD less than 5000/cm2. Q: Could you please advise guaranteed EPD for below substrate and epi? Gallium Arsenide wafers, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI undoped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm, One-side-polished, back-side matte etched, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Resistivity >1E7 Ohm-cm, Carrier [...]

2018-09-06meta-penulis
Wafer Gallium Arsenide, GaAs, VGF, Separa Penebat, Tidak Didop

Q: We would like to ask for below. (001) +/- 0.5o Orientation Semi Insulating, Undoped Resistivity ≤ 1 – 10 x 108 Ohm-cm3 EPD ≤ 5000 cm-2 1 Side Polished (Ra < 10Å), EPI Ready, Back Side Etched US Semi Standard Flats, No Laser [...]

2018-07-17meta-penulis