2009 thn kerja

Siapa Kami

Sebelum tahun 1990, kami dinyatakan milik pekat pusat penyelidikan perkara fizik. Pada tahun 1990, pusat dilancarkan Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), kini ia adalah sebuah pengeluar terkemuka bagi bahan semikonduktor sebatian dalam China. PAM-XIAMEN membangunkan pertumbuhan maju kristal dan teknologi epitaxy, pelbagai dari wafer Germanium generasi pertama, kedua generasi galium arsenida dengan pertumbuhan substrat dan epitaxy on ...

Read More ...

kenapa pilih kami

batal

Baik Service Sales

Matlamat kami adalah untuk memenuhi semua keperluan anda, tidak kira betapa kecil pesanan dan bagaimana soalan sukar mereka berada, untuk mengekalkan pertumbuhan yang mampan dan menguntungkan untuk setiap pelanggan melalui produk-produk berkualiti dan perkhidmatan yang memuaskan.
batal

25+ Tahun Pengalaman

Dengan lebih daripada 25 + tahun pengalaman dalam bidang bahan semikonduktor kompaun dan perniagaan eksport, pasukan kami boleh memberi jaminan bahawa kita dapat memahami keperluan anda dan berurusan dengan projek anda secara profesional.
batal

Kualiti dipercayai

Kualiti adalah keutamaan kami. PAM-XIAMEN telah ISO9001: 2008, memiliki dan saham empat facories moden yang boleh memberikan agak pelbagai besar produk-produk berkualiti untuk memenuhi keperluan yang berbeza dari pelanggan kami, dan tiap-tiap perintah perlu dikendalikan melalui sistem kualiti yang ketat kami. Laporan ujian disediakan untuk setiap penghantaran, dan setiap wafer adalah dijamin.
batal

Sokongan Dan Profesional Teknologi

Anda boleh mendapatkan perkhidmatan teknologi percuma kami daripada pertanyaan kepada selepas perkhidmatan berdasarkan 25+ pengalaman kami dalam talian semikonduktor.
Selepas lebih daripada 20 tahun pengumpulan dan pembangunan, syarikat kami mempunyai kelebihan yang jelas dalam inovasi teknologi dan bakat.
Pada masa akan datang, Kita perlu mempercepatkan proses tindakan sebenar untuk menyediakan pelanggan dengan produk dan perkhidmatan yang lebih baik

Doktor Chan - CEO Of Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd

Dunia Paling Universiti Terkenal & Syarikat Amanah Kami

Rakan-rakan
FRAUNHOFER
PERKONGSIAN
SBIR STTR
OSRAM
INTEGRASI KUASA
LOGO ibm

Berita terkini

Bagaimana Wafer Silikon Karbida Dibuat?

Silicon carbide (SiC) is a compound semiconductor material composed of carbon and silicon elements, and is called wide-bandgap semiconductor [...]

2022-08-17
Variasi Rintangan Jejari Silikon FZ Didop Fasa Gas

The FZ (float zone) gas-phase doped silicon single crystal with high purity, few defects, low compensation, and low oxygen [...]

2022-08-16
Filem Nipis LT GaAs untuk Pengesan Foto dan Pengadun Foto

Low temperature grown (LTG) gallium arsenide (GaAs) thin-film on GaAs substrate is available for photodetctors and photomixers. In addition, [...]

2022-08-12
Apakah PL (Photoluminescence)?

PAM-XIAMEN can supply semiconductor wafers, more wafer specifications please refer to https://www.powerwaywafer.com/products.html. If necessary, we will offer PL (photoluminescence) [...]

2022-08-09
Apakah yang akan Menjejaskan Kualiti Penghirisan Wafer SiC?

Silicon carbide (SiC) wafer are available, for more wafer information please click https://www.powerwaywafer.com/sic-wafer. The performance of SiC wafer slicing [...]

2022-08-05
Struktur Pengesan Foto PIN GaN berasaskan Si

III-nitrides are suitable for working in extreme conditions due to their excellent radiation hardness and high temperature properties. Therein, [...]

2022-07-29
Wafer Diod Laser 940nm

Semiconductor lasers in the near-infrared band (760-1060nm) based on GaAs substrates are the most mature and most widely used, [...]

2022-07-28
Bagaimana Cip Silicon Carbide (SiC) Dibuat?

How is silicon carbide (SiC) chip made? Generally speaking, chips are semi-finished products that have been cut from wafers. [...]

2022-07-27
Lazim
Galium arsenida wafer, P / P

S: Sila maklumkan kepada kami jika anda boleh membekalkan di bawah wafer, qty 25/50/300. wafer galium arsenida, P / P 150.00 ± 0.25 mm) 6 "Ø × 650 ± 25μm, VGF SI GaAs undoped: - [100-2,0 ° ke arah [110]] ± 0.5 °, u> 4,000cm² / Vs, Kedua-dua-dua belah pihak -polished, 1 Flat 57.5 ± 2.5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7μm, BOW <4μm, Warp <10μm, TIR <6μm, Sijil: wajib, dimeterai di bawah nitrogen dalam wafer tunggal kaset A: Ya, akan memeriksa [ ...]

2018-09-13meta-penulis
EPD for GaAs Substrate

PAM-XIAMEN can supply GaAs wafer with EPD less than 5000/cm2. Q: Could you please advise guaranteed EPD for below substrate and epi? Gallium Arsenide wafers, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI undoped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm, One-side-polished, back-side matte etched, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Resistivity >1E7 Ohm-cm, Carrier [...]

2018-09-06meta-penulis
Gallium Arsenide Wafer, GaAs, VGF, Semi Insulating, Undoped

Q: We would like to ask for below. (001) +/- 0.5o Orientation Semi Insulating, Undoped Resistivity ≤ 1 – 10 x 108 Ohm-cm3 EPD ≤ 5000 cm-2 1 Side Polished (Ra < 10Å), EPI Ready, Back Side Etched US Semi Standard Flats, No Laser [...]

2018-07-17meta-penulis