2009 thn kerja

Siapa Kami

Sebelum tahun 1990, kami dinyatakan milik pekat pusat penyelidikan perkara fizik. Pada tahun 1990, pusat dilancarkan Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), kini ia adalah sebuah pengeluar terkemuka bagi bahan semikonduktor sebatian dalam China. PAM-XIAMEN membangunkan pertumbuhan maju kristal dan teknologi epitaxy, pelbagai dari wafer Germanium generasi pertama, kedua generasi galium arsenida dengan pertumbuhan substrat dan epitaxy on ...

Read More ...

kenapa pilih kami

batal

Baik Service Sales

Matlamat kami adalah untuk memenuhi semua keperluan anda, tidak kira betapa kecil pesanan dan bagaimana soalan sukar mereka berada, untuk mengekalkan pertumbuhan yang mampan dan menguntungkan untuk setiap pelanggan melalui produk-produk berkualiti dan perkhidmatan yang memuaskan.
batal

25+ Tahun Pengalaman

Dengan lebih daripada 25 + tahun pengalaman dalam bidang bahan semikonduktor kompaun dan perniagaan eksport, pasukan kami boleh memberi jaminan bahawa kita dapat memahami keperluan anda dan berurusan dengan projek anda secara profesional.
batal

Kualiti dipercayai

Kualiti adalah keutamaan kami. PAM-XIAMEN telah ISO9001: 2008, memiliki dan saham empat facories moden yang boleh memberikan agak pelbagai besar produk-produk berkualiti untuk memenuhi keperluan yang berbeza dari pelanggan kami, dan tiap-tiap perintah perlu dikendalikan melalui sistem kualiti yang ketat kami. Laporan ujian disediakan untuk setiap penghantaran, dan setiap wafer adalah dijamin.
batal

Sokongan Dan Profesional Teknologi

Anda boleh mendapatkan perkhidmatan teknologi percuma kami daripada pertanyaan kepada selepas perkhidmatan berdasarkan 25+ pengalaman kami dalam talian semikonduktor.
Selepas lebih daripada 20 tahun pengumpulan dan pembangunan, syarikat kami mempunyai kelebihan yang jelas dalam inovasi teknologi dan bakat.
Pada masa akan datang, Kita perlu mempercepatkan proses tindakan sebenar untuk menyediakan pelanggan dengan produk dan perkhidmatan yang lebih baik

Doktor Chan - CEO Of Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd

Dunia Paling Universiti Terkenal & Syarikat Amanah Kami

Rakan-rakan
FRAUNHOFER
PERKONGSIAN
SBIR STTR
OSRAM
INTEGRASI KUASA
LOGO ibm

Berita terkini

Kajian mengenai Teknologi Epitaxial Silicon Carbide

With different fabrication process from the traditional ones, SiC power device cannot be directly made on single crystal SiC materials. It’s [...]

2021-02-25
Faktor Pertumbuhan

What is the Growth Facet? In the central region of SiC {0001} wafer, the doping concentration is usually relatively high, [...]

2021-01-22
2, FZ Intrinsik Si Wafer DSP

PAM XIAMEN menawarkan 2 ″ FZ Intrinsic Si Wafer DSP 2 ″ FZ Intrinsic Si Wafer DSP 2 ″ FZ (100) intrinsik, DSP wafer Si [...]

2021-01-08
2, FZ Intrinsik Si Wafer SSP

PAM XIAMEN menawarkan 2 ″ FZ Intrinsic Si Wafer SSP 2 ″ FZ Intrinsic Si Wafer SSP 2 ″ FZ (100) intrinsik, SSP wafer Si [...]

2021-01-08
3 ″ CZ Si Lapped Wafer

PAM XIAMEN menawarkan 3 ″ CZ Si Lapped Wafer 3 ″ CZ Si Lapped Wafer N-type Resistivity6-10Ωcm Ketebalan180-185um Orientasi <111> Double Side Lapped SEMI Flat [...]

2021-01-06
4 ″ CZ Prime Silicon wafer-16

PAM XIAMEN menawarkan 4 ″ CZ Prime Silicon wafer-16 4 ″ CZ Silicon Wafer SSP Silicon wafer, per SEMI Prime, P / E 4 ″ Ø × 525 ± 25μm, SEMI Flats (two), p-type Si: B [100] ± 0.5 °, Ro = (0.001-0.002) Ohmcm, Satu-digilap, [...]

2021-01-06
4 ″ CZ Prime Silicon wafer-15

PAM XIAMEN menawarkan 4 ″ CZ Prime Silicon wafer-15 4 ″ CZ Silicon Wafer Silicon wafer, per SEMI Prime, P / E 4 ″ Ø × 525 ± 25μm, SEMI Flats (two), p-type Si: B [100] ± 0.5 °, Ro = (0.001-0.005) Ohmcm, Satu-digilap, bahagian belakang [...]

2020-12-30
2.5 ″ Pemanas PBN

PAM XIAMEN menawarkan Pemanas 2.5 ″ PBN 2.5 ″ Pemanas PBN. 1. Rintangan: 22-35 ohm 2. Voltan: 180 V 3. Arus: 15 A 4. Kuasa: 2000 [...]

2020-12-30
Lazim
Galium arsenida wafer, P / P

S: Sila maklumkan kepada kami jika anda boleh membekalkan di bawah wafer, qty 25/50/300. wafer galium arsenida, P / P 150.00 ± 0.25 mm) 6 "Ø × 650 ± 25μm, VGF SI GaAs undoped: - [100-2,0 ° ke arah [110]] ± 0.5 °, u> 4,000cm² / Vs, Kedua-dua-dua belah pihak -polished, 1 Flat 57.5 ± 2.5 mm @ 110 ± ° 1, TTV <7μm, BOW <4μm, Warp <10μm, TIR <6μm, Sijil: wajib, dimeterai di bawah nitrogen dalam wafer tunggal kaset A: Ya, akan memeriksa [ ...]

2018-09-13meta-penulis
EPD untuk GaAs Substrat dan Epitaxial Wafer

S: Bolehkah anda menasihatkan dijamin EPD untuk di bawah substrat dan epi? wafer galium arsenida, P / E 2 "Ø × 380 ± 25μm, LEC SI GaAs undoped: - [100] ± 0.5 °, n-jenis Ro = (0.8E8-0.9E8) Ohmcm, One-sampingan digilap, kembali- sebelah matte terukir, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2μm, Resistivity> 1E7 Ohm-cm, jangka hayat Pembawa <1ps, dimeterai di bawah nitrogen dalam kaset wafer tunggal. A: Ketumpatan Kehelan <1 × 10 ^ 6cm-2

2018-09-06meta-penulis
2 "LT-GaAs Wafer

S: Kami ingin membeli LT-GaAs, anda boleh sila mencadangkan ciri-ciri komputer yang sesuai untuk memohon? A: 2 "LT-GaAs Wafer Spesifikasi: diamater (mm) Ф 50.8mm ± 1mm ​​ketebalan 1-2um Marco kecacatan Density≤ 5 cm-2 Resistivity (300K)> 10 ^ 8 Ohm-cm hidup Pembawa <1ps atau 15ps Kehelan Ketumpatan <1 × 10 ^ 6cm-2 Surface Useable Area≥80% Polishing: sebelah Single substrat digilap: GaAs substrat

2018-07-25meta-penulis