Semiconductor wafer, Single Crystal wafer, wafer substrat-XIAMEN Powerway

Siapa Kami

Sebelum tahun 1990, kami dinyatakan milik pekat pusat penyelidikan perkara fizik. Pada tahun 1990, pusat dilancarkan Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), kini ia adalah sebuah pengeluar terkemuka bagi bahan semikonduktor sebatian dalam China. PAM-XIAMEN membangunkan pertumbuhan maju kristal dan teknologi epitaxy, pelbagai dari wafer Germanium generasi pertama, kedua generasi galium arsenida dengan pertumbuhan substrat dan epitaxy on ...

kenapa pilih kami

Baik Service Sales

Matlamat kami adalah untuk memenuhi semua keperluan anda, tidak kira betapa kecil pesanan dan bagaimana soalan sukar mereka berada, untuk mengekalkan pertumbuhan yang mampan dan menguntungkan untuk setiap pelanggan melalui produk-produk berkualiti dan perkhidmatan yang memuaskan.

25+ Tahun Pengalaman

Dengan lebih daripada 25 + tahun pengalaman dalam bidang bahan semikonduktor kompaun dan perniagaan eksport, pasukan kami boleh memberi jaminan bahawa kita dapat memahami keperluan anda dan berurusan dengan projek anda secara profesional.

Kualiti dipercayai

Kualiti adalah keutamaan kami. PAM-XIAMEN telah ISO9001: 2008, memiliki dan saham empat facories moden yang boleh memberikan agak pelbagai besar produk-produk berkualiti untuk memenuhi keperluan yang berbeza dari pelanggan kami, dan tiap-tiap perintah perlu dikendalikan melalui sistem kualiti yang ketat kami. Laporan ujian disediakan untuk setiap penghantaran, dan setiap wafer adalah dijamin.

Sokongan Dan Profesional Teknologi

Anda boleh mendapatkan perkhidmatan teknologi percuma kami daripada pertanyaan kepada selepas perkhidmatan berdasarkan 25+ pengalaman kami dalam talian semikonduktor.

Selepas lebih daripada 20 tahun pengumpulan dan pembangunan, syarikat kami mempunyai kelebihan yang jelas dalam inovasi teknologi dan bakat.
Pada masa akan datang, Kita perlu mempercepatkan proses tindakan sebenar untuk menyediakan pelanggan dengan produk dan perkhidmatan yang lebih baik

Doktor Chan - CEO Of Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd

Dunia Paling Universiti Terkenal & Syarikat Amanah Kami

Berita terkini

Growth of SiC nanowires/nanorods using a Fe–Si solution method

A new solution technique to grow SiC nanowires/nanorods was developed by simply heating Fe–Si melt on a graphite plate [...]

2019-11-15

3″ Silicon Wafer-15

PAM XIAMEN offers3″ Silicon Wafer-15 3″ Si wafer(32825), R≤200Ωcm 1. Diameter: 76.2 ± 0.1mm 2. The type of alloying: P/type boron 3. Orientation [...]

2019-11-13

Bubble evolution mechanism and stress-induced crystallization in low-temperature silicon wafer bonding based on a thin intermediate amorphous Ge layer

The dependence of the morphology and crystallinity of an amorphous Ge (a-Ge) interlayer between two Si wafers on the [...]

2019-11-13

penilaian Photoluminescence daripada undoped wafer InP separuh penebat diperolehi oleh penyepuhlindapan dalam besi phosphide wap

Kami telah menyiasat ciri-ciri photoluminescence pemetaan wafer (SI) InP separuh penebat diperolehi oleh penyepuhlindapan dalam suasana besi phosphide [...]

2019-11-11

3 "Silicon Wafer-14

PAM XIAMEN tawaran 3 "Silicon Wafer-14 3" Si wafer (32.849), R≥200Ωcm 1. Diameter: 76.2 ± 0.1 mm 2. Jenis pengaloian: N-jenis / fosforus .3. Orientasi [...]

2019-11-08

pertumbuhan AlN berkualiti tinggi pada 6H-SiC substrat menggunakan tiga penukleusan dimensi dengan tekanan rendah hidrida fasa wap epitaxy

Terdapat kaedah mengawal penukleusan dan pertumbuhan sisi menggunakan tiga dimensi (3D) dan dua dimensi mod pertumbuhan (2D) [...]

2019-11-08

pengoptimuman reka bentuk voltan pecahan AlGaN / Gan tinggi elektron mobiliti transistor *

Simulasi dijalankan untuk meneroka kemungkinan mencapai voltan pecahan tinggi Gan HEMT (elektron tinggi mobiliti transistor). [...]

2019-11-07

Tekanan dalam (Al, Ga) N heterostruktur ditanam di 6H-SiC dan Si substrat byplasma bantuan rasuk molekul epitaxy

Kertas kerja ini menerangkan hasil eksperimen di suhu rendah plasma bantuan epitaxy rasuk molekul Gan / AlN heterostruktur di kedua-6H-SiC dan [...]

2019-11-05