12″ Prime Grade Silicon Wafer
PAM-XIAMEN menawarkan wafer silikon kosong 300mm (12 inci) dalam gred perdana, jenis n atau jenis p, dan ketebalan wafer silikon 300mm ialah 775±15. Berbanding dengan pembekal wafer silikon yang lain, harga wafer silikon Powerway Wafer lebih kompetitif dengan kualiti yang lebih tinggi. Wafer silikon 300mm mempunyai hasil yang lebih tinggi bagi setiap wafer berbanding wafer silikon diameter besar yang telap.
- Penerangan
Penerangan Produk
PAM-XIAMEN menawarkan wafer silikon kosong 300mm (12 inci) dalam gred perdana, jenis n atau jenis p, dan ketebalan wafer silikon 300mm ialah 775±15. Berbanding dengan pembekal wafer silikon yang lain, harga wafer peranti silikon Powerway Wafer adalah lebih kompetitif dengan kualiti yang lebih tinggi. Wafer silikon 300mm mempunyai hasil yang lebih tinggi bagi setiap wafer berbanding wafer silikon diameter besar yang telap. Saiz pada/di atas 8 inci (200 mm) dipanggil wafer silikon besar. Teknologi pengeluaran wafer silikon besar bukan sahaja peningkatan kerumitan proses kerana peningkatan kawasan, tetapi juga keperluan yang lebih tinggi pada banyak faktor kawalan lain. Contohnya: kandungan oksigen dan keseragaman jejarinya dalam wafer, kawalan kekotoran, kawalan OISF, dll. Keperluan wafer silikon untuk kawalan kecacatan, kawalan pemendakan oksigen, kuantiti rintangan, doping dan keseragaman jejari juga lebih tinggi. Khususnya untuk wafer silikon 300mm gred perdana, beberapa parameter diperlukan secara kritikal, untuk segera, wafer TTV adalah di bawah 1.5um dan ketumpatan kecacatan ~0/cm2. Langkah seterusnya ialah jongkong silikon 450mm atau wafer.
1. Parameter Wafer Silikon 300mm
| Parameter | Nilai(PAM210512-300-SIL) |
| Jenis jongkong | Dibesarkan mengikut kaedah Czochralski |
| Diameter, mm | 300 ± 0,2 |
| Dopant | B (boron) |
| Jenis kekonduksian | P |
| Oksigen maks, OLD-PPMA | 40 |
| Karbon, PPMA | 1 |
| Orientasi kristalografi | <100> |
| Sisihan daripada orientasi permukaan yang telah ditetapkan bagi satah kristal, deg | 1 |
| Kerintangan isipadu, Ohm · cm | 8-12 |
| Takik Utama | Ya |
| Lokasi Takik | 110 |
| Saiz takuk, mm | 2,3 |
| Borang Takik | V |
| Ketebalan wafer, mikron | 775±15 |
| Jenis penandaan | laser |
| Menandakan Lokasi | bahagian belakang |
| Profil tepi | oleh SEMI T/4 |
| Calar di bahagian hadapan | tidak hadir |
| Menggilap bahagian hadapan | yes |
| Menggilap bahagian belakang | yes |
| Jumlah perubahan dalam ketebalan wafer (TTV), mikrometer | 1,5 |
| Pesongan (WARP), mikron | 30 |
| Bilangan zarah pada permukaan yang lebih besar daripada 0.05 mikron | 50 |
| Bilangan zarah pada permukaan yang lebih besar daripada 0.09 mikron | 30 |
| Kandungan permukaan aluminium, E10AT/CM2 | 1 |
| Kandungan permukaan kalsium, E10AT/CM2 | 1 |
| Kandungan permukaan kromium, E10AT/CM2 | 1 |
| Kandungan permukaan kuprum, E10AT/CM2 | 1 |
| Kandungan permukaan besi, E10AT/CM2 | 1 |
| Kandungan permukaan kalium, E10AT/CM2 | 1 |
| Kandungan permukaan natrium, E10AT/CM2 | 1 |
| Kandungan permukaan nikel, E10AT/CM2 | 1 |
| Kandungan permukaan zink, E10AT/CM2 | 1 |
Keperluan pembungkusan:
| Parameter | |
| Jenis pembungkusan | MW300GT-A |
| Bahan Bekas Dalam | Polietilena |
| Bahan Pembungkusan Luar | aluminium |
| Bilangan keping dalam satu bungkusan | 25 |
| Kebolehgunaan semula | Ya |
2. Soalan Lazim:
S:Sila ambil perhatian bahawa kami menawarkan "Bilangan zarah pada permukaan yang lebih besar daripada 0.09 mikron 50" hanya untuk substrat silikon.
Biasanya keperluan zarah adalah untuk substrat silikon.
Untuk memastikan pematuhan, bolehkah anda semak?
A:Kami menyemak semula: Ya, maklumat yang ditunjukkan adalah betul.
PAM-XIAMEN boleh menawarkan anda sokongan teknologi dan wafer.
Untuk maklumat lanjut, sila layari laman web kami:https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer,
hantarkan e-mel kepada kami disales@powerwaywafer.comdanpowerwaymaterial@gmail.com
Produk Berkaitan
-
12″ Wafer Silikon 300mm TOX ( Wafer Pengoksidaan Terma Si )
PAM-XIAMEN menawarkan wafer silikon oksida 300mm dan wafer dioksida. Wafer silikon oksida haba atau wafer silikon dioksida ialah wafer silikon kosong dengan lapisan oksida yang ditanam melalui proses pengoksidaan kering atau basah. Lapisan oksida terma wafer silikon biasanya ditanam dalam relau tiub mendatar, dan julat suhu wafer silikon oksida biasanya 900 ℃ ~ 1200 ℃. Berbanding dengan lapisan oksida CVD, lapisan wafer oksida silikon mempunyai keseragaman yang lebih tinggi, kekompakan yang lebih baik, kekuatan dielektrik yang lebih tinggi dan kualiti yang lebih baik.
-
Wafer Digilap
PAM-XIAMEN boleh menawarkan wafer yang digilap, jenis n atau jenis p dengan orientasi pada <100>, <110> atau <111>. Wafer digilap FZ, terutamanya untuk pengeluaran penerus silikon (SR), penerus terkawal silikon (SCR), Transistor Gergasi (GTR), thyristor (GRO)
-
Uji Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer
Sebagai pengeluar wafer dummy, PAM-XIAMEN menawarkan wafer dummy silikon / wafer ujian / wafer monitor, yang digunakan dalam peranti pengeluaran untuk meningkatkan keselamatan pada permulaan proses pengeluaran dan digunakan untuk semakan penghantaran dan penilaian borang proses. Oleh kerana wafer silikon tiruan sering digunakan untuk eksperimen dan ujian, saiz dan ketebalannya adalah faktor penting dalam kebanyakan keadaan. Wafer tiruan 100mm, 150mm, 200mm atau 300mm tersedia.
-
Silikon Mono-Kristal Zon Terapung
PAM-XIAMEN boleh menawarkan wafer silikon zon terapung, yang diperoleh melalui kaedah Zon Terapung. Rod silikon monohablur diperolehi melalui pertumbuhan zon terapung, dan kemudian memproses rod silikon monohablur menjadi wafer silikon, dipanggil wafer silikon zon terapung. Oleh kerana wafer silikon cair zon tidak bersentuhan dengan pijar kuarza semasa proses silikon zon terapung, bahan silikon berada dalam keadaan terampai. Oleh itu, ia kurang tercemar semasa proses lebur zon terapung silikon. Kandungan karbon dan kandungan oksigen lebih rendah, kekotoran kurang, dan kerintangan lebih tinggi. Ia sesuai untuk pembuatan peranti kuasa dan peranti elektronik voltan tinggi tertentu.
-
Wafer Silikon Epitaxial
Wafer Epitaxial Silikon (Wafer Epi) ialah lapisan kristal tunggal silikon epitaxial yang didepositkan pada wafer silikon kristal tunggal (nota: ia tersedia untuk menumbuhkan lapisan lapisan silikon poli hablur di atas wafer silikon kristal tunggal yang didopkan tinggi, tetapi ia memerlukan lapisan penampan (seperti oksida atau poli-Si) di antara substrat Si pukal dan lapisan silikon epitaxial atas.Ia juga boleh digunakan untuk transistor filem nipis.
-
Mengukir Wafer
Wafer silikon etsa yang ditawarkan oleh PAM-XIAMEN ialah wafer etsa jenis N atau P, yang mempunyai kekasaran rendah, pemantulan rendah dan pemantulan tinggi. Wafer etsa mempunyai ciri-ciri kekasaran yang rendah, berkilat yang baik dan kos yang agak rendah, dan secara langsung menggantikan wafer yang digilap atau wafer epitaxial yang mempunyai kos yang agak tinggi untuk menghasilkan unsur elektronik dalam beberapa bidang, mengurangkan kos.
-
Cz Mono-Crystalline Silicon
PAM-XIAMEN, pengeluar silikon pukal monohablur, boleh menawarkan wafer silikon monohablur <100>, <110> dan <111> dengan dopan N&P dalam 76.2~200 mm, yang ditanam dengan kaedah CZ. Kaedah Czochralski ialah kaedah pertumbuhan kristal, dirujuk sebagai kaedah CZ. Ia disepadukan dalam sistem haba tiub lurus, dipanaskan oleh rintangan grafit, mencairkan polysilicon yang terkandung dalam mangkuk kuarza ketulenan tinggi, dan kemudian memasukkan kristal benih ke dalam permukaan cair untuk kimpalan. Selepas itu, kristal benih yang berputar diturunkan dan cair. Badan disusup dan disentuh, secara beransur-ansur dinaikkan, dan selesai atau ditarik melalui langkah-langkah menekuk, menekuk, memikul, kawalan diameter yang sama, dan kemasan.
-
12″ Wafer Silikon Gred Ujian
PAM-XIAMEN menawarkan wafer silikon kosong 300mm (12 inci) tiruan, gred ujian, jenis n atau jenis p. Berbanding dengan pembekal wafer silikon yang lain, Powerway Wafer menawarkan perkhidmatan profesional dengan harga yang kompetitif.
