Pengesan CZT
PAM-XIAMEN membekalkan satu siri produk CZT, yang termasuk pengesan, modul, probe, sistem, penguat, penganalisis, bekalan dan relau.
- Penerangan
Penerangan Produk
Barisan produk CZT yang meluas boleh disediakan oleh PAM-XIAMEN, melibatkan pengesan CZT, modul CZT, probe CZT, sistem CZT, penguat CZT, penganalisis CZT, bekalan CZT dan relau pertumbuhan kristal. Dapatkan lebih banyak butiran produk, sila lihat di bawah:
1. Pengesan CZT
1.1Pengesan Pixilasi CZT(tua)
1.3Pengesan Pembezaan sinar α / β / γ-ray
1.6SPECT, Pengesan pencitraan γ
1.7Pengesan Piksel Resolusi Tinggi CZT(tua)
1.8CZT Photon Mengira Pengesan Array Linear
1.9Pengesan Pencitraan CZT Compton
1.10CZT tinggi Ketumpatan Pixel Pengesan
2. Modul CZT
2.2Modul Dos Sinaran Lebar SPCW
2.3 Modul Pengimejan Spektral Berbilang Piksel
2.4 Modul Pengiraan Fon Multi-Pixel CZT
3. Siasatan CZT
3.2Probe CZT
3.4Probe-2 CZT
4. Sistem CZT
4.1Sistem Pengiraan Foton X-ray(tua)
4.2Sistem Pengimejan Pengiraan Fon sinar-X MXA-128
4.3 Sistem Pengimejan Berbilang piksel γ-ray CZT
4.4 Sistem Pengujian Vakum α-Ray(baru)
5. Penguat CZT
5.1 Penguat utama
5.2 Cip Pra-penguat Sensitif Caj
5.3 Pra-penguat Sensitif Caj(tua)
6. Penganalisis CZT
6.1 Penganalisis Berbilang Saluran Analog(tua)
6.2 Portable Diagnostic Spectrum Analyzer
6.3 Penganalisis Spektrum Mudah Alih CZT(tua)
6.4Penganalisis Berbilang Saluran Digital(baru)
7. Produk CZT Lain
7.1 Bekalan Kuasa Voltan Tinggi
7.2 Relau pertumbuhan kristal(tua)
7.3 Pengecam Radionuklid Mudah Alih CZT(baru)
Di dalamnya, pengesan berasaskan CZT daripada PAM-XIAMEN oleh teknologi pengesan keadaan pepejal untuk sinar-X atau sinar gamma mempunyai resolusi tenaga yang lebih baik berbanding dengan pengesan berasaskan kristal scitillation.Kami menyenaraikan spesifikasi Pengesan Planar CZT, Pengesan Pixilated CZT, Pengesan Gri Co-Planar CZT seperti berikut sebagai contoh:
| 1.1 Pengesan Pixilasi CZT | ||
| Spesifikasi | ||
| Permohonan | SPECT 、 γ Kamera | Pengimejan sinar-X |
| Julat suhu operasi | -20 ℃ ~ 40 ℃ | |
| Resolusi tenaga khas | ＜ 6.5%@59.5 KeV | —— |
| Kira kadar | —— | ＞ 2M cps / piksel |
| Matriks tipikal | Pengesan array kawasan: 8 × 8 | Pengesan array kawasan: 8 × 8 |
| Pengesan array linear: 1 × 16 | Pengesan array linear: 1 × 16 | |
| Dimensi maksimum kristal | 40 × 40 × 5 mm 3 | |
| Nota | Corak elektrod lain juga boleh didapati | |
Pemasangan pengesan CZT piksel 8 × 8 piawai
Pemasangan pengesan CZT piksel 8 × 8 piawai
| 1.2 Pengesan Planar CZT | |||
| Spesifikasi | |||
| HV | +200 V ~ +500 V | ||
| Julat tenaga | 20 KeV ~ 200 KeV | ||
| Julat suhu operasi | -20 ℃ ~ 40 ℃ | ||
| Saiz （mm 3） | 5 × 5 × 2 | 10 × 10 × 2 | |
| Resolusi tenaga @ 59.5 KeV | Gred kaunter | ＞ 15% | ＞ 15% |
| Gred diskriminator | 7% ~ 15% | 8% ~ 15% | |
| Gred spektrometer | ＜ 7% | ＜ 8% | |
| Nota | Saiz lain juga boleh didapati | ||
Pemasangan standard 5 × 5 × 2mm 3 CZT
Pemasangan standard 10 × 10 × 2mm 3 CZT
| 1.5 Pengesan Hemisfera CZT | ||
|
HV: +200 V ~ +1000 V |
Julat suhu operasi: -20 ℃ ~ 40 ℃ |
|
| Julat tenaga: 50 KeV ~ 3 MeV | Resolusi tenaga biasa: ＜ 3% @ 662 KeV | |
| Saiz standard （mm 3）: 4 × 4 × 2, 5 × 5 × 2.5, 10 × 10 × 5 | ||
| Pengesan Grid Co-Planar CZT |
| Spesifikasi |
| HV: +1000 V ~ + 3000V |
| Julat tenaga: 50 KeV ~ 3 MeV |
| Julat suhu operasi: -20 ℃ ~ 40 ℃ |
| Resolusi tenaga biasa: ＜ 4% @ 662 KeV |
| Nisbah puncak-ke-Compton: 3 ~ 5 |
| Saiz standard （mm 3）: 10 × 10 × 5, 10 × 10 × 10 |
Pada masa ini, dua arah pembangunan penting pengesan CZT ialah berbilang pengesan selari volum besar dan pengesan tatasusunan elemen permukaan. Yang pertama terdiri daripada pelbagai susunan kristal CdZnTe dengan isipadu lebih daripada 1cm. Pengesan jenis ini menyelesaikan kekurangan pengesan tunggal, yang bersaiz kecil dan kecekapan pengesanan yang rendah, dan sangat memendekkan masa pengukuran. Ia amat sesuai untuk sistem spektrometer mudah alih dan boleh digunakan untuk pemantauan radioaktif dalam persekitaran, pelabuhan, kargo kereta api, dll. Yang terakhir ini terdiri daripada tatasusunan unsur muka kristal CdZnTe, dan teknologi pengesan CZT ini digunakan terutamanya dalam pengimejan spektrum tenaga dalam perubatan nuklear, astrofizik dan bidang lain.
Pembangunan dan penggunaan pengesan CZT telah memungkinkan untuk mendapatkan foton berkecekapan tinggi dengan prestasi tinggi. Dengan peningkatan berterusan kualiti tinggiHablur semikonduktor CdZnTeteknologi penyediaan, pemahaman lanjut tentang proses pengumpulan pembawa dan pembangunan mikroelektronik bunyi rendah yang pantas, pengesan CdZnTe pasti akan digunakan dalam bidang yang lebih luas.
Awak juga mungkin menyukai…
-
Fotoresis Nanofabrikasi
PAM-XIAMEN Tawaran plat photoresist dengan photoresist
-
Ge (Germanium) kristal tunggal dan Wafers
PAM-XIAMEN menawarkan wafer germanium 2", 3", 4" dan 6", yang merupakan singkatan untuk wafer Ge yang ditanam oleh VGF / LEC. Wafer Germanium jenis P dan N yang didop ringan boleh juga digunakan untuk eksperimen kesan Hall. Pada suhu bilik, germanium kristal rapuh dan mempunyai keplastikan yang sedikit. Germanium mempunyai sifat semikonduktor. germanium ketulenan tinggi didopkan dengan unsur trivalen (seperti indium, galium, boron) untuk mendapatkan semikonduktor germanium jenis P; dan unsur pentavalen (seperti antimoni, arsenik, dan fosforus) didopkan untuk mendapatkan semikonduktor germanium jenis N. Germanium mempunyai sifat semikonduktor yang baik, seperti mobiliti elektron tinggi dan mobiliti lubang tinggi. -
Ujian Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer
Sebagai pengeluar wafer dummy, PAM-XIAMEN menawarkan wafer dummy silikon / wafer ujian / wafer monitor, yang digunakan dalam peranti pengeluaran untuk meningkatkan keselamatan pada permulaan proses pengeluaran dan digunakan untuk semakan penghantaran dan penilaian borang proses. Oleh kerana wafer silikon tiruan sering digunakan untuk eksperimen dan ujian, saiz dan ketebalannya adalah faktor penting dalam kebanyakan keadaan. Wafer tiruan 100mm, 150mm, 200mm atau 300mm tersedia.
-
SiC Epitaxy
Kami menyediakan filem adat nipis (silikon karbida) SiC epitaxy pada 6H atau 4H substrat untuk pembangunan peranti silikon karbida. SiC epi wafer digunakan terutamanya untuk diod Schottky, logam-oksida semikonduktor bidang kesan transistor, kesan medan simpang -
Freestanding Gan substrat
PAM-XIAMEN telah menubuhkan teknologi pembuatan untuk berdiri sendiri (galium nitrida) wafer Gan substrat, yang adalah untuk UHB-LED dan LD. Berkembang dengan teknologi hidrida fasa wap epitaxy (HVPE), substrat Gan kami mempunyai ketumpatan kecacatan rendah.
-
CdZnTe (CZT) Wafer
Kadmium Zinc Telluride (CdZnTe atau CZT) adalah semikonduktor baru, yang membolehkan untuk menukar sinaran elektron dengan berkesan, ia adalah terutamanya digunakan dalam inframerah filem nipis epitaxy substrat, pengesan X-ray dan pengesan Gamma-ray CdZnTe. -
wafer Inas
PAM-XIAMEN menawarkan wafer Semikonduktor Kompaun InAs – wafer indium arsenide yang ditanam oleh LEC(Czochralski Berkapsul Cecair) sebagai gred sedia epi atau mekanikal dengan jenis n, jenis p atau separa penebat dalam orientasi berbeza(111) atau (100). Selain itu, kristal tunggal InAs mempunyai mobiliti elektron yang tinggi dan merupakan bahan yang sesuai untuk membuat peranti Hall.
-
GaAs (galium arsenida) Wafers
Sebagai pembekal substrat GaAs terkemuka, PAM-XIAMEN mengeluarkan Substrat Wafer GaAs(Gallium Arsenide) Epi-sedia termasuk jenis n separa konduktor, doped separa konduktor C dan jenis p dengan gred perdana dan gred tiruan. Kerintangan substrat GaAs bergantung kepada dopan, Si doped atau Zn doped ialah (0.001~0.009) ohm.cm, C doped ialah >=1E7 ohm.cm. Orientasi kristal wafer GaAs hendaklah (100) dan (111). Untuk orientasi (100), ia boleh dimatikan 2°/6°/15°. EPD wafer GaAs biasanya adalah <5000/cm2 untuk LED atau <500/cm2 untuk LD atau mikroelektronik.
