Bolacha de silício de 12 ″ de primeira qualidade
A PAM-XIAMEN oferece wafers de silício puro de 300 mm (12 polegadas) em grau nobre, tipo n ou tipo p, e a espessura do wafer de silício de 300 mm é 775±15. Em comparação com outros fornecedores de wafer de silício, o preço do wafer de silício da Powerway Wafer é mais competitivo e com qualidade superior. Os wafers de silício de 300 mm têm um rendimento maior por wafer do que os wafers de silício permeáveis de grande diâmetro.
- Descrição
Descrição do produto
PAM-XIAMEN offer 300mm bare silicon wafers (12 inch) in prime grade, n type or p type, and the 300mm silicon wafer thickness is 775±15. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer’s silicon device wafer price is more competitive with higher quality. 300mm silicon wafers have a higher yield per wafer than pervious large diameter silicon wafers. Size on/above 8 inches (200 mm) is called a large silicon wafer. The production technology of large silicon wafer is not only the increase of process complexity because of the increase of area, but also the higher requirements on many other control factors. For example: oxygen content and its radial uniformity in wafer, impurity control, OISF control, etc. The silicon wafer requirements for defect control, oxygen precipitation control, resistance quantification, doping and radial uniformity are also higher. Especially for prime grade 300mm silicon wafer, some parameters are required critically, for instant, wafer TTV is below1.5um and defect density ~0/cm2. The next step is 450mm silicon ingot or wafer.
1. Parameters of 300mm Silicon Wafer
| Parâmetros | Value(PAM210512-300-SIL) |
| Tipo de lingote | Cultivado de acordo com o método Czochralski |
| Diametr, mm | 300 ± 0,2 |
| dopante | B (boro) |
| Tipo de condutividade | P |
| Oxigen max, OLD-PPMA | 40 |
| Carbono, PPMA | 1 |
| Orientação cristalográfica | <100> |
| Desvio da orientação de superfície predeterminada do plano do cristal, deg | 1 |
| Resistividade de volume, Ohm · cm | 8-12 |
| Entalhe Primário | Sim |
| Localização de entalhe | 110 |
| Tamanho do entalhe, mm | 2,3 |
| Forma Notch | V |
| Espessura da bolacha, microns | 775 ± 15 |
| Tipo de marcação | Laser |
| Marcando localização | lado traseiro |
| Perfil de borda | por SEMI T / 4 |
| Arranhões na frente | ausente |
| Polimento frontal | sim |
| Polimento do verso | sim |
| Mudança total na espessura do wafer (TTV), micrômetros | 1,5 |
| Deflexão (WARP), mícrons | 30 |
| O número de partículas em uma superfície maior que 0,05 mícrons | 50 |
| O número de partículas em uma superfície maior que 0,09 mícrons | 30 |
| Conteúdo da superfície de alumínio, E10AT / CM2 | 1 |
| Conteúdo de superfície de cálcio, E10AT / CM2 | 1 |
| Conteúdo de superfície de cromo, E10AT / CM2 | 1 |
| Conteúdo de superfície de cobre, E10AT / CM2 | 1 |
| Conteúdo de superfície de ferro, E10AT / CM2 | 1 |
| Conteúdo superficial de potássio, E10AT / CM2 | 1 |
| Conteúdo de superfície de natrium, E10AT / CM2 | 1 |
| Teor de superfície de níquel, E10AT / CM2 | 1 |
| Conteúdo de superfície de zinco, E10AT / CM2 | 1 |
Requisitos de embalagem:
| Parâmetros | |
| Tipo de embalagem | MW300GT-A |
| Material do recipiente interno | polietileno |
| Material de Embalagem Externa | Alumínio |
| Número de peças em um pacote | 25 |
| Reutilização | Sim |
2. FAQ:
Q: Please take note that we offer “The number of particles on a surface larger than 0.09 microns 50” just for silicon substrate.
Normalmente, o requisito de partícula é para substrato de silício.
Para garantir a conformidade, você poderia verificar?
A: Verificamos duas vezes: Sim, as informações indicadas estão corretas.
A PAM-XIAMEN pode oferecer a você tecnologia e suporte para wafer.
Para obter mais informações, visite nosso site:https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer,
envie-nos e-mail emsales@powerwaywafer.comepowerwaymaterial@gmail.com
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