Com a evolução contínua das aplicações de dispositivos de telecomunicações ópticas e optoeletrônicos em direção a alta velocidade e alto desempenho, estamos acompanhando de perto a demanda do mercado em wafers epitaxiais fotônicos para aplicações optoeletrônicas de alta velocidade e de ponta.PAM-XIAMENpode fornecer uma série de wafers epitaxiais fotônicos baseados em semicondutores compostos, que podem ser usados ​​​​como principais materiais de chips optoeletrônicos para aplicações como construção de infraestrutura de rede de banda larga em comunicações de fibra óptica, comunicações de dados e detecção 3D e etc. :

1. Comunicação de fibra ópticaBolacha Epitaxial

De acordo com suas diferentes funções, o epi wafer fotônico para comunicações ópticas pode ser dividido em epiwafers de laser, epiwafers detectores, etc.

1.1 Wafers Epitaxiais para Laser

Os wafers de laser semicondutores fornecidos incluem Laser de Feedback Distribuído (DFB), Laser Modulado por Eletroabsorção (EML) e Fabry Perot (FP), com comprimentos de onda que variam de 1270 nm a 1610 nm. Informações adicionais como:

Esses wafers epitaxiais fotônicos podem ser usados ​​​​em GPON (rede óptica passiva com capacidade de Gigabit), XGPON (rede óptica passiva com capacidade de 10 Gigabit), XGSPON (rede óptica passiva simétrica de 10 Gigabit) e FTTR (fibra para a sala), CWDM / DWDM ( Multiplexação por Divisão de Comprimento de Onda Grosso/Multiplexação por Divisão de Comprimento de Onda Densa), BIDI (Bidirecional) e outras comunicações de fibra óptica.

Os wafers epitaxiais DFB são cultivados com múltiplos poços quânticos AlGaInAs e InGaAsP. A tecnologia de grade inclui grades holográficas, nanoimpressão e exposição a feixe de elétrons, que podem atender aos requisitos de diferentes produtos. O wafer epitaxial EML integra um laser DFB e uma região de absorção eletricamente modulada, que possui as características de alta largura de banda, baixo chirp, alta taxa de extinção de modulação e estrutura compacta. A região de absorção eletricamente modulada adota tecnologias de crescimento de juntas SAG e de topo. Além disso, a PAM-XIAMEN também oferece soluções para wafer epitaxial DFB de pequeno ângulo de divergência, crescimento epitaxial DFB de heterojunção enterrada (BH), crescimento epitaxial de guia de onda passivo de acoplamento e wafer epitaxial de confinamento semi-isolante (InP: Fe) para atender às demandas de alta- velocidade de fabricação de chips.

1.2Bolachas Epitaxiaispara Detector

Os wafers epitaxiais fotônicos semicondutores que fornecemos são para MicroPulse DIAL (MPD), Fotodiodo Avalanche (APD) e PIN, cobrindo comprimentos de onda que variam de 650 nm a 1700 nm. Eles são adequados para comunicações ópticas como GPON, XGPON e XGSPON. Os parâmetros específicos são os seguintes:

O princípio de funcionamento do PD é que a junção PN do fotodetector forma um campo elétrico interno; Então, a injeção de luz em semicondutores gera pares de buracos de elétrons e, sob a ação de um campo elétrico, a junção PN gera fotocorrente direcional; A fotocorrente é exportada como sinal de saída. Os fotodetectores geralmente requerem epiwafers com alta sensibilidade, alta taxa de resposta, baixa corrente escura e alta confiabilidade. Para amplificar a fotocorrente recebida e melhorar a sensibilidade de detecção, é utilizado o APD com efeito de multiplicação de avalanche. Há muitos anos que fornecemos produção em massa estável de produtos fotodetectores e podemos fornecer serviços de difusão de zinco para você.

2. Wafer Epitaxial do Data Center

As estruturas epi para data center são cultivadas principalmente em substrato GaAs e InP:

2.1 Bolacha Epitaxial InP

Os wafers epitaxiais cultivados em substratos InP consistem principalmente em DFB emissores de borda, lasers EML e epitaxia fotônica de silício, com velocidades superiores a 25 Gb/s e comprimentos de onda de 1270 nm, 1310 nm, 1330 nm, etc., que podem atender aos requisitos de transmissão de 100G/400G. Módulo óptico /800G. Os parâmetros específicos como abaixo:

Bolacha epitaxial de 2,2 GaAs

Os wafers epitaxiais baseados em GaAs que cultivamos são principalmente lasers emissores de superfície de cavidade vertical (VCSELs) e PDs de GaAs, que têm um comprimento de onda de 850 nm e uma taxa de modulação superior a 50 Gb/s. As aplicações fotônicas de crescimento epitaxial podem atender às demandas de transmissão de dados de curta distância em data centers. Mais por favor veja:

3. Wafers epitaxiais fotônicos para detecção

Os wafers epifotônicos fornecidos para aplicações industriais ou de detecção são principalmente lasers VCSEL de 905/940 nm baseados em GaAs e lasers FP de 650-980 nm. Mais informações consulte a tabela abaixo:

O refletor do laser VCSEL é desenvolvido com uma pilha alternada de dois materiais de diferentes índices de refração por centenas de camadas, conhecido como refletor de Bragg (DBR). A cavidade ressonante é fabricada no meio das camadas epitaxiais e a luz é emitida pela superfície do wafer fotônico. Assim, o VCSEL é fabricado com as características de um pequeno ângulo de emissão, ponto circular, baixo limiar, podendo ser integrado em um array, amplamente utilizado em reconhecimento facial de detecção 3D móvel, robôs industriais, LiDAR de direção autônoma para automóveis, etc. Os lasers FP baseados em GaAs são usados ​​​​principalmente em aplicações, como exibição de laser (650 FP), depilação a laser (810 FP), lidar automotivo (905 FP) e fonte de bomba de laser de fibra (808/915/976 FP).

Para mais informações, entre em contato conosco pelo e-mailvictorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.