Con la evolución continua de las aplicaciones de dispositivos optoelectrónicos y de telecomunicaciones ópticas hacia la alta velocidad y el alto rendimiento, seguimos de cerca la demanda del mercado en obleas epitaxiales fotónicas para aplicaciones optoelectrónicas de alta velocidad y alta gama.PAM-XIAMENpuede proporcionar una serie de obleas epitaxiales fotónicas basadas en semiconductores compuestos, que pueden usarse como materiales de chips optoelectrónicos clave para aplicaciones como la construcción de infraestructura de redes de banda ancha en comunicaciones de fibra óptica, comunicaciones de datos y detección 3D, etc. Los parámetros específicos son los siguientes :

1. Comunicación por fibra ópticaOblea epitaxial

Según sus diferentes funciones, las epiobleas fotónicas para comunicaciones ópticas se pueden dividir en epiobleas láser, epiobleas detectoras, etc.

1.1 Obleas epitaxiales para láser

Las obleas láser semiconductoras suministradas incluyen láser de retroalimentación distribuida (DFB), láser modulado por electroabsorción (EML) y Fabry Perot (FP), con longitudes de onda que van desde 1270 nm a 1610 nm. Información adicional como:

Estas obleas epitaxiales fotónicas se pueden utilizar en GPON (red óptica pasiva con capacidad Gigabit), XGPON (red óptica pasiva con capacidad de 10 Gigabit), XGSPON (red óptica pasiva simétrica de 10 Gigabit) y FTTR (fibra hasta la habitación), CWDM/DWDM ( Multiplexación por división de longitud de onda gruesa/multiplexación por división de longitud de onda densa), BIDI (bidireccional) y otras comunicaciones de fibra óptica.

Las obleas epitaxiales de DFB se cultivan con múltiples pozos cuánticos de AlGaInAs e InGaAsP. La tecnología de rejillas incluye rejillas holográficas, nanoimpresión y exposición a rayos de electrones, que pueden cumplir con los requisitos de los diferentes productos. La oblea epitaxial EML integra un láser DFB y una región de absorción modulada eléctricamente, que tiene las características de alto ancho de banda, bajo chirrido, alto índice de extinción de modulación y estructura compacta. La región de absorción modulada eléctricamente adopta tecnologías SAG y de crecimiento de juntas a tope. Además, PAM-XIAMEN también ofrece soluciones para oblea epitaxial DFB con ángulo de divergencia pequeño, crecimiento epitaxial DFB con heterounión enterrada (BH), crecimiento epitaxial con guía de ondas pasiva de acoplamiento y oblea epitaxial de confinamiento semiaislante (InP: Fe) para satisfacer las demandas de alta acelerar la fabricación de chips.

1.2Obleas epitaxialespara detectores

Las obleas epitaxiales de fotónica semiconductora que suministramos son para MicroPulse DIAL (MPD), fotodiodo de avalancha (APD) y PIN que cubren longitudes de onda que van desde 650 nm a 1700 nm. Son adecuados para comunicaciones ópticas como GPON, XGPON y XGSPON. Los parámetros específicos son los siguientes:

El principio de funcionamiento de la PD es que la unión PN del fotodetector forma un campo eléctrico interno; Luego, la inyección de luz en los semiconductores genera pares de huecos de electrones y, bajo la acción de un campo eléctrico, la unión PN genera fotocorriente direccional; La fotocorriente se exporta como señal de salida. Los fotodetectores suelen requerir epiobleas con alta sensibilidad, alta tasa de respuesta, baja corriente oscura y alta confiabilidad. Para amplificar la fotocorriente recibida y mejorar la sensibilidad de detección, se utiliza el APD con efecto de multiplicación de avalancha. Hemos estado brindando una producción en masa estable de productos fotodetectores durante muchos años y podemos brindarle servicios de difusión de zinc.

2. Oblea epitaxial del centro de datos

Las estructuras epi para centros de datos se cultivan principalmente en sustratos de GaAs e InP:

Oblea epitaxial 2.1 InP

Las obleas epitaxiales cultivadas en sustratos InP consisten principalmente en láseres DFB, EML y epitaxia fotónica de silicio con emisión de borde, con velocidades superiores a 25 Gb/s y longitudes de onda de 1270 nm, 1310 nm, 1330 nm, etc., que pueden cumplir con los requisitos de transmisión de 100G/400G. /Módulo óptico 800G. Los parámetros específicos son los siguientes:

2.2 Oblea epitaxial de GaAs

Las obleas epitaxiales basadas en GaAs que cultivamos son principalmente láseres emisores de superficie de cavidad vertical (VCSEL) y PD de GaAs, que tienen una longitud de onda de 850 nm y una velocidad de modulación superior a 50 Gb/s. El crecimiento epitaxial de las aplicaciones fotónicas puede satisfacer las demandas de transmisión de datos a corta distancia en los centros de datos. Más por favor vea:

3. Obleas epitaxiales fotónicas para detección

Las obleas de epifotónica suministradas para aplicaciones industriales o de detección son principalmente láseres VCSEL de 905/940 nm basados ​​en GaAs y láseres FP de 650-980 nm. Para obtener más información, consulte la siguiente tabla:

El reflector del láser VCSEL se construye alternando cientos de capas de dos materiales con diferentes índices de refracción, lo que se conoce como reflector de Bragg (DBR). La cavidad resonante se fabrica en medio de las capas epitaxiales y la luz se emite desde la superficie de la oblea fotónica. Por lo tanto, VCSEL está fabricado con las características de un ángulo de emisión pequeño, punto circular, umbral bajo y puede integrarse en una matriz, ampliamente utilizado en reconocimiento facial con detección 3D móvil, robots industriales, LiDAR de conducción autónoma para automóviles, etc. Los láseres FP basados ​​en GaAs se utilizan principalmente en aplicaciones como visualización láser (650 FP), depilación láser (810 FP), lidar automotriz (905 FP) y fuente de bomba de láser de fibra (808/915/976 FP).

Para obtener más información, por favor contáctenos por correo electrónico avictorchan@powerwaywafer.comypowerwaymaterial@gmail.com.